CS、RESR和LESL是描述所有頻譜所需的關(guān)鍵參數(shù)。在最簡條件下它們被假定為常數(shù)，不隨頻率變化。漏電流可由純電阻RLeak近似表述。通常情況下，RLeak比RESR大幾個數(shù)量級，可忽略不計。

專注于性能優(yōu)化和大規(guī)模生產(chǎn)的電池創(chuàng)新人員需要采用靈敏的工具來表征電極漿料的成分并確保質(zhì)量。

將Rheo-IS附件與Discovery HR搭配使用時，電池研究人員可以在真實的工藝相關(guān)條件下，通過阻抗譜測量來評估電極漿料中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包括模擬混合、儲存和涂層過程中顆粒分布變化的表征，從而促進(jìn)電極材料開發(fā)，提高電池生產(chǎn)效率。 

由于H2的反作用，就會改變探頭頭部線圈高頻電流的幅度和相位，即改變了線圈的有效阻抗。

這種變化與電渦流效應(yīng)有關(guān)，也與靜磁學(xué)效應(yīng)有關(guān)(與金屬導(dǎo)體的電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、幾何形狀、線圈幾何參數(shù)、激勵電流頻率以及線圈到金屬導(dǎo)體的距離參數(shù)有關(guān))。

假定金屬導(dǎo)體是均質(zhì)的，其性能是線形和各向同性的，則線圈——金屬導(dǎo)體系統(tǒng)的磁導(dǎo)率u、電導(dǎo)率σ、尺寸因子r、線圈與金屬導(dǎo)體距離δ線圈激勵電流I和頻率ω等參數(shù)來描述。因此線圈的阻抗可用函數(shù)Z=F(u，σ，r，δ，I，ω)來表示。

我們選擇了納米級的電渦流傳感器KD5100，我們將兩個探頭安裝在被測物振動方向的兩端，測量夾持器的來回振動電渦流傳感器KD5100其采用差動測量方式：兩個精確匹配的傳感器被放置在被測物平臺兩側(cè)，這兩個傳感器組成了平衡橋電路相反的兩端，這個結(jié)構(gòu)提供了極好的線性和熱穩(wěn)定性，所以其輸出準(zhǔn)確地記錄了線性的最微小移動，分辨率高達(dá)1nm。

安徽紐本科技有限公司http://fjbg.51dzw.com