CoolSiC MOSFET 750 V G1技術(shù)的特點(diǎn)是出色的RDS(on)xQfr和卓越的RDS(on)xQoss優(yōu)值（FOM），在硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中均具有超高的效率。

全新CoolSiC MOSFET 750V G1產(chǎn)品系列在25°C時(shí)的RDS(on)為8至140 mΩ，可滿足廣泛的需求。

其在設(shè)計(jì)上具有較低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，大幅提升了整體系統(tǒng)效率。創(chuàng)新的封裝更大程度地減少了熱阻、幫助改善散熱并優(yōu)化電路內(nèi)功率環(huán)路電感，在實(shí)現(xiàn)高功率密度的同時(shí)降低了系統(tǒng)成本。值得一提的是，該產(chǎn)品系列采用了先進(jìn)的QDPAK頂部冷卻封裝。

有了Rheo-IS附件，我們就可以利用這款功能多樣且簡便易用的Discovery HR混合型流變平臺進(jìn)行漿料配方分析，實(shí)現(xiàn)全范圍的電阻抗測量并獲得出色的流變靈敏度。

TA儀器的Rheo-IS附件為我們的研究項(xiàng)目帶來了全新的科學(xué)視角，讓我們能夠深入研究導(dǎo)電和離子導(dǎo)電柔性材料。這套一體化工作流程可自動(dòng)執(zhí)行復(fù)雜的流變學(xué)和電學(xué)方案，輔以硬件和軟件的緊密集成，使測量成為常規(guī)性工作，在提高通量的同時(shí)還能夠改善數(shù)據(jù)質(zhì)量。

750V G1分立式CoolSiC™MOSFET,以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對更高能效和功率密度日益增長的需求。

該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。

這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應(yīng)用（包括電動(dòng)汽車充電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等）和汽車領(lǐng)域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器等）。

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