新型80V對(duì)稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET®Gen IV MOSFET組合在3.3mmx3.3 mm PowerPAIR®3x3FS單體封裝中。

Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高功率密度和能效的同時(shí)，增強(qiáng)熱性能，減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

Sera NX040超寬帶(UWB)和藍(lán)牙低功耗(BLE)模塊,UWB和BLE標(biāo)簽解決方案，專為工業(yè)、消費(fèi)、醫(yī)療、汽車和IoT應(yīng)用中的新一代精準(zhǔn)粒度定位和近距離定位而設(shè)計(jì)。

目前的流變學(xué)解決方案依賴于性能受限的機(jī)械接觸來進(jìn)行電阻抗測(cè)量，這不僅會(huì)影響靈敏度，還會(huì)限制數(shù)據(jù)的獲取和深入分析。

Rheo-IS附件采用的專有技術(shù)（專利申請(qǐng)中）突破了這些限制 ——這種設(shè)計(jì)利用Discovery HR混合型流變儀在全范圍內(nèi)的扭矩靈敏度進(jìn)行精密流變學(xué)測(cè)量，并能在頻率高達(dá)8MHz的條件下進(jìn)行電阻抗測(cè)量。

Rheo-IS附件簡(jiǎn)單易用，5分鐘內(nèi)即可完成安裝，同時(shí)可將測(cè)量控件和數(shù)據(jù)分析功能完全集成到TA儀器的TRIOS™軟件中。

其獨(dú)特的高閾值電壓（VGS(th)，典型值為4.3 V）與低QGD/QGS比率組合具有對(duì)寄生導(dǎo)通的高度穩(wěn)健性并且實(shí)現(xiàn)了單極柵極驅(qū)動(dòng)，不僅提高了功率密度，還降低了系統(tǒng)成本。

所有半導(dǎo)體器件均采用自主芯片連接技術(shù)，在同等裸片尺寸的情況下賦予芯片出色的熱阻。高度可靠的柵極氧化層設(shè)計(jì)加上認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)保證了長(zhǎng)期穩(wěn)定的性能。

Laird Connectivity Sera NX040開發(fā)套件可用于展示Sera NX040 UWB和BLE模塊的特性和功能。

一塊帶USB和MHF4L連接器以及NanoUWB、2.4GHz FlexPIFA和NFC天線的開發(fā)板。要運(yùn)行雙向測(cè)距演示，需要兩個(gè)開發(fā)套件和BL654 USB適配器 (451-00004)。而要運(yùn)行3D定位演示，則需要四個(gè)開發(fā)套件及BL654 USB適配器。

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