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較低的開關(guān)損耗適用于太陽能及儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2024/3/20 8:58:18 訪問次數(shù):64

Laird Connectivity的Sera NX040 UWB和BLE模塊采用緊密集成的硬件和射頻設(shè)計(jì),針對電池供電應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,以降低總BOM成本。

Sera NX040模塊結(jié)合了NXP Semiconductors出色的Trimension™ SR040 UWB芯片組與Nordic Semiconductor的nRF52833片上系統(tǒng) (SoC) 的處理和藍(lán)牙LE功能,通過增加近場通信 (NFC) 和UWB功能,可提供超過基于RSSI的基本信標(biāo)或測距BLE功能,進(jìn)而提升定位及定向功能。

天線選項(xiàng)包括用于UWB和BLE的內(nèi)部PCB走線天線以及通過兩個(gè)MHF4L連接器連接的外部天線。

功率模組團(tuán)隊(duì)正式啟動(dòng)了一項(xiàng)開創(chuàng)性的聯(lián)合設(shè)計(jì)制造(JDM)項(xiàng)目,為電動(dòng)車(xEVs)驅(qū)動(dòng)逆變器打造一款名為"磁歐石"的創(chuàng)新型150KW功率模組。

為提高便攜式設(shè)備電池使用壽命,模塊降低了功耗,閑置供電電流<70μA,關(guān)斷模式<1μA。

第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件,CoolSiC™MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14mm,電氣間隙為5.4mm。該半導(dǎo)體器件得益于其較低的開關(guān)損耗,適用于太陽能(如組串逆變器)以及儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用。


TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC™MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對更高功率密度的需求,而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求,也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。

CoolSiC™MOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率。

適于IrDA®應(yīng)用的升級(jí)版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外(IR)收發(fā)器模塊,鏈路距離延長20%,抗ESD能力提高到2kV。器件支持115.2kbit/s數(shù)據(jù)速率(SIR),鏈路距離為1米,適用于能量表和監(jiān)控器、工業(yè)自動(dòng)化控制、手機(jī)和醫(yī)療設(shè)備無線通信和數(shù)據(jù)傳輸。

MB90F352S




Laird Connectivity的Sera NX040 UWB和BLE模塊采用緊密集成的硬件和射頻設(shè)計(jì),針對電池供電應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,以降低總BOM成本。

Sera NX040模塊結(jié)合了NXP Semiconductors出色的Trimension™ SR040 UWB芯片組與Nordic Semiconductor的nRF52833片上系統(tǒng) (SoC) 的處理和藍(lán)牙LE功能,通過增加近場通信 (NFC) 和UWB功能,可提供超過基于RSSI的基本信標(biāo)或測距BLE功能,進(jìn)而提升定位及定向功能。

天線選項(xiàng)包括用于UWB和BLE的內(nèi)部PCB走線天線以及通過兩個(gè)MHF4L連接器連接的外部天線。

功率模組團(tuán)隊(duì)正式啟動(dòng)了一項(xiàng)開創(chuàng)性的聯(lián)合設(shè)計(jì)制造(JDM)項(xiàng)目,為電動(dòng)車(xEVs)驅(qū)動(dòng)逆變器打造一款名為"磁歐石"的創(chuàng)新型150KW功率模組。

為提高便攜式設(shè)備電池使用壽命,模塊降低了功耗,閑置供電電流<70μA,關(guān)斷模式<1μA。

第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件,CoolSiC™MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14mm,電氣間隙為5.4mm。該半導(dǎo)體器件得益于其較低的開關(guān)損耗,適用于太陽能(如組串逆變器)以及儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用。


TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC™MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對更高功率密度的需求,而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求,也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。

CoolSiC™MOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率。

適于IrDA®應(yīng)用的升級(jí)版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外(IR)收發(fā)器模塊,鏈路距離延長20%,抗ESD能力提高到2kV。器件支持115.2kbit/s數(shù)據(jù)速率(SIR),鏈路距離為1米,適用于能量表和監(jiān)控器、工業(yè)自動(dòng)化控制、手機(jī)和醫(yī)療設(shè)備無線通信和數(shù)據(jù)傳輸。

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