在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。

三個(gè)溫度下的BVdss值作為額定電壓為30V的器件的雪崩電流的函數(shù)。

不同功率MOSFET BV額定值的典型雪崩電壓范圍——在高雪崩電流（安培）和升高的結(jié)溫（處于或接近最大額定結(jié)溫）下測(cè)量。

即使是“性能”的語(yǔ)義定義也可能成為很多爭(zhēng)論的目標(biāo)，因此為了本次討論的目的，它將被擱置一邊。

除了摩爾定律對(duì)集成電路(IC)中晶體管尺寸/數(shù)量的影響之外，還有另一個(gè)趨勢(shì)正在推動(dòng)主要系統(tǒng)功耗預(yù)算的減少。摩爾定律邏輯器件以指數(shù)速度縮小，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）縮小并集成傳感器到肉眼幾乎看不見(jiàn)的程度。

因此，即使沒(méi)有在技術(shù)上跟蹤任何這些東西，電子行業(yè)似乎也普遍認(rèn)為一切（例如，所有組件、供應(yīng)鏈和工程工作）都以某種方式遵循每18-24個(gè)月性能翻倍的速度。

根據(jù)電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數(shù)百安。

額定擊穿電壓，也可稱(chēng)之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個(gè)工作結(jié)溫范圍）內(nèi)定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數(shù)據(jù)表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為250μA或1mA）和結(jié)溫=25°C時(shí)測(cè)得的器件雪崩電壓。

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