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大功率電機(jī)起動時變頻器可以達(dá)到電機(jī)起動電流平緩且無沖擊優(yōu)勢

發(fā)布時間:2024/3/30 16:27:27 訪問次數(shù):637

E7515R解決方案是一款精簡的網(wǎng)絡(luò)仿真器,可專門用于對包括RedCap技術(shù)在內(nèi)的所有蜂窩物聯(lián)網(wǎng)(CIoT)技術(shù)執(zhí)行協(xié)議、射頻(RF)和功能測試5G RedCap新技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)引入了對輕量級5G無線設(shè)備的支持。

這些設(shè)備的復(fù)雜度和功耗更低,主要適用于新的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)(CIoT)應(yīng)用,如工業(yè)傳感器以及智能手表等可穿戴設(shè)備。

E7515R 解決方案可以滿足這一需求,這款專為5G RedCap新技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計和構(gòu)建的網(wǎng)絡(luò)仿真測試平臺,可支持所有的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)。

對于需要比MCU板載RAM更多的RAM但又希望降低成本和減小電路板總尺寸的工程師來說,串行SRAM是一種很受歡迎的解決方案。

2Mb和4Mb串行SRAM器件旨在以簡便且具有成本效益的替代方案取代昂貴的并行SRAM。

這些小尺寸、低功耗、高性能串行SRAM器件具有無限的耐用性和零寫入時間,是涉及連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸、緩沖、數(shù)據(jù)記錄、計量以及其他數(shù)學(xué)和數(shù)據(jù)密集型功能的應(yīng)用的絕佳選擇。這些器件的容量從64Kb到4Mb不等,支持SPI、SDI和SQI總線模式。

此款應(yīng)用方案特色包括單電阻無感FOC;速度閉環(huán)控制;恒功率控制;過壓欠壓,過溫過流堵轉(zhuǎn)保護(hù);按鍵記憶功能等。

大功率電機(jī)起動時變頻器可以達(dá)到,電機(jī)起動電流平緩且無沖擊等優(yōu)勢。

變頻器也是速度控制電路中的智能設(shè)備。速度調(diào)節(jié)穩(wěn)定。力的距離是相等的。電磁起動器中常見的交流接觸器,在直接起動時會產(chǎn)生較大的沖擊電流。對于設(shè)備損耗大的電機(jī)。400伏和18.5千瓦,都可以使用,但變頻器價格要更高點(diǎn)。

B0512S-1WR3

E7515R解決方案是一款精簡的網(wǎng)絡(luò)仿真器,可專門用于對包括RedCap技術(shù)在內(nèi)的所有蜂窩物聯(lián)網(wǎng)(CIoT)技術(shù)執(zhí)行協(xié)議、射頻(RF)和功能測試5G RedCap新技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)引入了對輕量級5G無線設(shè)備的支持。

這些設(shè)備的復(fù)雜度和功耗更低,主要適用于新的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)(CIoT)應(yīng)用,如工業(yè)傳感器以及智能手表等可穿戴設(shè)備。

E7515R 解決方案可以滿足這一需求,這款專為5G RedCap新技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計和構(gòu)建的網(wǎng)絡(luò)仿真測試平臺,可支持所有的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)。

對于需要比MCU板載RAM更多的RAM但又希望降低成本和減小電路板總尺寸的工程師來說,串行SRAM是一種很受歡迎的解決方案。

2Mb和4Mb串行SRAM器件旨在以簡便且具有成本效益的替代方案取代昂貴的并行SRAM。

這些小尺寸、低功耗、高性能串行SRAM器件具有無限的耐用性和零寫入時間,是涉及連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸、緩沖、數(shù)據(jù)記錄、計量以及其他數(shù)學(xué)和數(shù)據(jù)密集型功能的應(yīng)用的絕佳選擇。這些器件的容量從64Kb到4Mb不等,支持SPI、SDI和SQI總線模式。

此款應(yīng)用方案特色包括單電阻無感FOC;速度閉環(huán)控制;恒功率控制;過壓欠壓,過溫過流堵轉(zhuǎn)保護(hù);按鍵記憶功能等。

大功率電機(jī)起動時變頻器可以達(dá)到,電機(jī)起動電流平緩且無沖擊等優(yōu)勢。

變頻器也是速度控制電路中的智能設(shè)備。速度調(diào)節(jié)穩(wěn)定。力的距離是相等的。電磁起動器中常見的交流接觸器,在直接起動時會產(chǎn)生較大的沖擊電流。對于設(shè)備損耗大的電機(jī)。400伏和18.5千瓦,都可以使用,但變頻器價格要更高點(diǎn)。

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