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彈簧觸點(diǎn)適用于垂直壓縮應(yīng)用支持水平操作的零件卻并不常見

發(fā)布時(shí)間:2024/4/17 20:49:16 訪問次數(shù):86

Harwin的彈簧觸點(diǎn)采用銅合金制成,可在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)提供出色的彈簧性能,并且插拔次數(shù)超過5,000次。

多向接觸設(shè)計(jì)可確保在水平和垂直兩個(gè)方向上都與配合表面形成良好的連接,并能承受擦拭和滑動(dòng)動(dòng)作。

這些觸點(diǎn)還提供了Harwin系列中最高的垂直彈簧觸點(diǎn)高度——自由高度高達(dá)10.00mm,PCB上方的工作高度則為9.50mm——因此可讓工程師實(shí)現(xiàn)額外的垂直壓縮PCB布局。

E-Ink顯示屏模塊(CY8CKIT-028-EPD)的CY8CKIT-062-BLE先鋒套件包含一個(gè)慣性測(cè)量單元、麥克風(fēng)和溫度傳感器,其支持在專為低功耗、低云成本邊緣物聯(lián)網(wǎng)環(huán)境而優(yōu)化的系統(tǒng)中使用AI模型對(duì)傳感器采集來的真實(shí)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。

盡管已經(jīng)有許多彈簧觸點(diǎn)適用于垂直壓縮應(yīng)用,但同時(shí)支持水平操作的零件卻并不常見。因此,支持多方向操作就很有吸引力,因?yàn)橐雽?shí)現(xiàn)更高密度的電子設(shè)計(jì),工程師就必須在PCB連接方式方面具有更大的靈活性。

NXH006P120MNF2PTG半橋SiC模塊具有兩個(gè)6mΩ 1200V SiC MOSFET開關(guān)和1個(gè)熱敏電阻,采用F2封裝。

這些SiC MOSFET開關(guān)采用M1技術(shù),由18V至20V柵極驅(qū)動(dòng)。NXH006P120MNF2模塊采用平面技術(shù),裸片熱阻低,因此可靠性高。

典型應(yīng)用包括直流-交流轉(zhuǎn)換、直流-直流轉(zhuǎn)換、能量存儲(chǔ)系統(tǒng)、UPS、交流-直流轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車充電站和太陽能逆變器。

我們的多向彈簧觸點(diǎn)提供了一種更加靈活的方法來連接PCB,因此可以適應(yīng)不同的布置。

深圳市維基鴻電子有限公司http://wjydz01.51dzw.com

Harwin的彈簧觸點(diǎn)采用銅合金制成,可在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)提供出色的彈簧性能,并且插拔次數(shù)超過5,000次。

多向接觸設(shè)計(jì)可確保在水平和垂直兩個(gè)方向上都與配合表面形成良好的連接,并能承受擦拭和滑動(dòng)動(dòng)作。

這些觸點(diǎn)還提供了Harwin系列中最高的垂直彈簧觸點(diǎn)高度——自由高度高達(dá)10.00mm,PCB上方的工作高度則為9.50mm——因此可讓工程師實(shí)現(xiàn)額外的垂直壓縮PCB布局。

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盡管已經(jīng)有許多彈簧觸點(diǎn)適用于垂直壓縮應(yīng)用,但同時(shí)支持水平操作的零件卻并不常見。因此,支持多方向操作就很有吸引力,因?yàn)橐雽?shí)現(xiàn)更高密度的電子設(shè)計(jì),工程師就必須在PCB連接方式方面具有更大的靈活性。

NXH006P120MNF2PTG半橋SiC模塊具有兩個(gè)6mΩ 1200V SiC MOSFET開關(guān)和1個(gè)熱敏電阻,采用F2封裝。

這些SiC MOSFET開關(guān)采用M1技術(shù),由18V至20V柵極驅(qū)動(dòng)。NXH006P120MNF2模塊采用平面技術(shù),裸片熱阻低,因此可靠性高。

典型應(yīng)用包括直流-交流轉(zhuǎn)換、直流-直流轉(zhuǎn)換、能量存儲(chǔ)系統(tǒng)、UPS、交流-直流轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車充電站和太陽能逆變器。

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