碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品，其封裝支持柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接，有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影響，從而提高高速開關(guān)性能。

導通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，這樣，就降低的電流的額定值。為了得到一定的導通電阻值，就必須增大硅片的面積，成本隨之增加。

如果類似于IGBT引入少數(shù)載流子導電，可以降低導通壓降，但是少數(shù)載流子的引入會降低工作的開關(guān)頻率，并產(chǎn)生關(guān)斷的電流拖尾，從而增加開關(guān)損耗。

與目前采用3引腳TO-247封裝的產(chǎn)品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的開通損耗降低了約40%，關(guān)斷損耗降低了約34%。這一改善有助于降低設(shè)備功率損耗。

顯示平面式MOSFET情況下構(gòu)成RDS(on)的各個分量。對于低壓MOSFET，三個分量是相似的。

但隨著額定電壓增加，外延層需要更厚和更輕摻雜，以阻斷高壓。額定電壓每增加一倍，維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對于額定電壓為600V的MOSFET，超過95%的電阻來自外延層。

NSOPA8xxx系列不僅有效應(yīng)對電源引入的干擾，更對空間輻射干擾給予充分重視。

在汽車電子與泛能源應(yīng)用中，尤其是在開關(guān)電源中電流電壓信號的采樣調(diào)理鏈路中，高PSRR對于提升性能穩(wěn)定性至關(guān)重要。它能夠有效地抑制干擾信號通過電源路徑耦合到采集回路，從而確保信號調(diào)理的準確性和可靠性。

無論是在汽車電子還是泛能源應(yīng)用中，NSOPA801x系列都能為客戶提供一個高效、穩(wěn)定的信號調(diào)理解決方案，幫助客戶在研發(fā)過程中輕松應(yīng)對模擬干擾測試，確保系統(tǒng)的整體性能達到最佳狀態(tài)。

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