傳感器增強(qiáng)了便攜式設(shè)備和可穿戴設(shè)備的高度計(jì)和氣壓計(jì)性能
發(fā)布時(shí)間:2024/4/24 8:56:23 訪問次數(shù):74
LIS2DU12在100Hz輸出數(shù)據(jù)速率(ODR)時(shí)僅消耗3.5μA,是通用加速度計(jì)市場(chǎng)上首款具有I3C接口的產(chǎn)品。所有這些功能都整合在一個(gè)2.0x2.0x0.74mm的微型封裝內(nèi)。
這些傳感器增強(qiáng)了便攜式設(shè)備和可穿戴設(shè)備(包括運(yùn)動(dòng)手表)的高度計(jì)和氣壓計(jì)性能。典型工業(yè)應(yīng)用包括天氣監(jiān)測(cè)和精確水深監(jiān)測(cè)設(shè)備。
在電阻測(cè)試中我們常采用恒流測(cè)壓方法,電橋(單臂電橋)和雙臂電橋方法,當(dāng)被測(cè)電阻阻值小于幾歐,測(cè)試引線的電阻和探針與測(cè)試點(diǎn)的接觸電阻與被測(cè)電阻相比已不能忽略不計(jì)時(shí),若仍采用兩線測(cè)試方法必將導(dǎo)致測(cè)試誤差增大。
在安放去耦電容時(shí)需要注意以下幾點(diǎn):在印制電路板的電源輸入端跨接100uF左右的電解電容,如果體積允許的話,電容量大一些則更好。
原則上每個(gè)集成電路芯片的旁邊都需要放置一個(gè)0.01uF的瓷片電容,如果電路板的空隙太小而放電子元器件置不下時(shí),可以每10個(gè)芯片左右放置一個(gè)1~10的鉭電容。
對(duì)于抗干擾能力弱,關(guān)斷時(shí)電流變化大的元件和RAM,ROM等存儲(chǔ)元,應(yīng)該在電源線(Vcc)和地線之間接入去耦電容。
在使用小型8°C/W散熱片的情況下,可為4Ω的負(fù)載提供2x200W的恒定功率。
與其他單芯片解決方案相比,尺寸大幅縮小。MA5332MS可提供差分或單端輸入和多種輸出配置選項(xiàng)——單端(2xSE)、橋接式負(fù)載(BTL)和并聯(lián)單端(PSE),并支持雙供電或單供電。以SE結(jié)構(gòu)替代BTL結(jié)構(gòu),可以減少總線電容器,輸出低通濾波器。
深圳市金澤順電子有限公司http://jzs.51dzw.com
LIS2DU12在100Hz輸出數(shù)據(jù)速率(ODR)時(shí)僅消耗3.5μA,是通用加速度計(jì)市場(chǎng)上首款具有I3C接口的產(chǎn)品。所有這些功能都整合在一個(gè)2.0x2.0x0.74mm的微型封裝內(nèi)。
這些傳感器增強(qiáng)了便攜式設(shè)備和可穿戴設(shè)備(包括運(yùn)動(dòng)手表)的高度計(jì)和氣壓計(jì)性能。典型工業(yè)應(yīng)用包括天氣監(jiān)測(cè)和精確水深監(jiān)測(cè)設(shè)備。
在電阻測(cè)試中我們常采用恒流測(cè)壓方法,電橋(單臂電橋)和雙臂電橋方法,當(dāng)被測(cè)電阻阻值小于幾歐,測(cè)試引線的電阻和探針與測(cè)試點(diǎn)的接觸電阻與被測(cè)電阻相比已不能忽略不計(jì)時(shí),若仍采用兩線測(cè)試方法必將導(dǎo)致測(cè)試誤差增大。
在安放去耦電容時(shí)需要注意以下幾點(diǎn):在印制電路板的電源輸入端跨接100uF左右的電解電容,如果體積允許的話,電容量大一些則更好。
原則上每個(gè)集成電路芯片的旁邊都需要放置一個(gè)0.01uF的瓷片電容,如果電路板的空隙太小而放電子元器件置不下時(shí),可以每10個(gè)芯片左右放置一個(gè)1~10的鉭電容。
對(duì)于抗干擾能力弱,關(guān)斷時(shí)電流變化大的元件和RAM,ROM等存儲(chǔ)元,應(yīng)該在電源線(Vcc)和地線之間接入去耦電容。
在使用小型8°C/W散熱片的情況下,可為4Ω的負(fù)載提供2x200W的恒定功率。
與其他單芯片解決方案相比,尺寸大幅縮小。MA5332MS可提供差分或單端輸入和多種輸出配置選項(xiàng)——單端(2xSE)、橋接式負(fù)載(BTL)和并聯(lián)單端(PSE),并支持雙供電或單供電。以SE結(jié)構(gòu)替代BTL結(jié)構(gòu),可以減少總線電容器,輸出低通濾波器。
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