5G和AI是兩個(gè)雙位數(shù)據(jù)增長(zhǎng)的領(lǐng)域，將成為接下來的主流市場(chǎng)。對(duì)于移動(dòng)領(lǐng)域而言，從4G LTE向5G的轉(zhuǎn)變需要更高的調(diào)制解調(diào)速度（從1Gbps到10Gbps），CPU速度提高50％，GPU速度提高兩倍，雙晶體管密度提高3倍，AI引擎性能提高至3TOPS每秒，并且沒有太多的功耗增加。

在云端，隨著計(jì)算需求向網(wǎng)絡(luò)邊緣移動(dòng)，數(shù)據(jù)中心交換機(jī)吞吐量需要從12.8Tbps增長(zhǎng)到25.6Tbps。

同樣地，雙內(nèi)存帶寬，3到4倍的AI加速器吞吐量和4倍的晶體管密度正在到來。

以RSM485ECHT為例，RSM485ECHT處于接收狀態(tài)時(shí)工作電流為20mA左右，在驅(qū)動(dòng)狀態(tài)不加終端電阻時(shí)工作電流為27mA左右，在驅(qū)動(dòng)狀態(tài)加終端電阻時(shí)工作電流為83mA左右，可以看出終端電阻大大增加了RS-485收發(fā)器的功耗，對(duì)于有功耗要求的應(yīng)用場(chǎng)合，應(yīng)謹(jǐn)慎使用終端電阻。

在這個(gè)細(xì)分市場(chǎng)上，臺(tái)積電正在迎來從28HPC+向16FFC的轉(zhuǎn)變。

發(fā)光效率是LED產(chǎn)品的標(biāo)志性技術(shù)指標(biāo)，發(fā)光效率除了影響LED芯片的亮度及能耗外，也影響著LED芯片的成本及可靠性。

除發(fā)光效率及單位成本外，在LED顯示屏、背光源等應(yīng)用領(lǐng)域，LED芯片的光衰、亮度、色度一致性以及抗靜電能力也是關(guān)系LED應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。

LED芯片領(lǐng)域技術(shù)門檻較高，LED封裝領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)較為激烈，行業(yè)集中度不斷提升；LED應(yīng)用領(lǐng)域行業(yè)滲透率不斷提升，傳統(tǒng)應(yīng)用增速放緩，新興應(yīng)用增速超過傳統(tǒng)應(yīng)用。