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終端電阻使通信線纜上電流增大產(chǎn)生較大壓差降低接收端信號(hào)幅值

發(fā)布時(shí)間:2024/4/26 13:19:42 訪問(wèn)次數(shù):125

RS-485總線上的負(fù)載越大,RS-485收發(fā)器輸出差分電壓幅值越低,RSM485ECHT在5m,500kbps的情況下不加終端電阻和加終端電阻的波形,可以看出驅(qū)動(dòng)信號(hào)在增加終端電阻后降低了2V左右。

在組建RS-485總線網(wǎng)絡(luò)時(shí),通常使用特性阻抗為120Ω的屏蔽雙絞線,由于RS-485收發(fā)器輸入阻抗一般較高(例如RSM485ECHT輸入阻抗為96kΩ,最多可連接256個(gè)節(jié)點(diǎn)),在信號(hào)傳輸?shù)娇偩末端時(shí)會(huì)由于受到的瞬時(shí)阻抗發(fā)生突變(以RSM485ECHT為例,阻抗由120Ω變?yōu)?6kΩ),導(dǎo)致信號(hào)發(fā)生反射,影響信號(hào)的質(zhì)量。

增加終端電阻使通信線纜上的電流增大,產(chǎn)生了較大的壓差,降低了接收端的信號(hào)幅值。

為了提高發(fā)光效率,研究人員在提升LED內(nèi)量子效率及光提取效率方面做了大量的研發(fā)工作,提出了 PSS襯底外延片、粗化外延表面、金屬鍵合剝離、倒裝芯片結(jié)構(gòu)、垂直芯片結(jié)構(gòu)等技術(shù),使得LED發(fā)光效率得到了大幅提升。

LED光源器件的封裝暖白發(fā)光效率已達(dá)到140lm/W左右、封裝冷白發(fā)光效率已達(dá)到170lm/W左右,國(guó)際主流實(shí)驗(yàn)室水平已達(dá)到230lm/W。

發(fā)光效率為303lm/W的LED,實(shí)現(xiàn)LED技術(shù)發(fā)光效率進(jìn)一步提升。

LED外延生長(zhǎng)和芯片制造是LED生產(chǎn)過(guò)程中最為核心的環(huán)節(jié),其技術(shù)發(fā)展水平?jīng)Q定了LED應(yīng)用的滲透范圍。提高發(fā)光效率(lm/W)和降低單位成本(元/lm)是LED外延芯片行業(yè)技術(shù)發(fā)展的主要目標(biāo)。

TB67S581FNG和TB67S580FNG這兩款新產(chǎn)品是2相雙極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC。TB67S581FNG的電機(jī)輸出額定電壓(絕對(duì)最大值)為50V,電機(jī)輸出額定電流(絕對(duì)最大值)為2.5A,TB67S580FNG的電機(jī)輸出額定電壓(絕對(duì)最大值)及電流(絕對(duì)最大值)則分別為50V和1.6A。

其它兩款產(chǎn)品TB67H481FNG和TB67H480FNG為恒流雙H橋驅(qū)動(dòng)IC,電機(jī)輸出額定電壓(絕對(duì)最大值)為50V,電機(jī)輸出額定電流(絕對(duì)最大值)為2.5A。TB67H481FNG的輸入接口為IN輸入,TB67H480FNG則使用PHASE輸入。

http://canyijia.51dzw.com深圳市燦億佳電子科技有限公司

RS-485總線上的負(fù)載越大,RS-485收發(fā)器輸出差分電壓幅值越低,RSM485ECHT在5m,500kbps的情況下不加終端電阻和加終端電阻的波形,可以看出驅(qū)動(dòng)信號(hào)在增加終端電阻后降低了2V左右。

在組建RS-485總線網(wǎng)絡(luò)時(shí),通常使用特性阻抗為120Ω的屏蔽雙絞線,由于RS-485收發(fā)器輸入阻抗一般較高(例如RSM485ECHT輸入阻抗為96kΩ,最多可連接256個(gè)節(jié)點(diǎn)),在信號(hào)傳輸?shù)娇偩末端時(shí)會(huì)由于受到的瞬時(shí)阻抗發(fā)生突變(以RSM485ECHT為例,阻抗由120Ω變?yōu)?6kΩ),導(dǎo)致信號(hào)發(fā)生反射,影響信號(hào)的質(zhì)量。

增加終端電阻使通信線纜上的電流增大,產(chǎn)生了較大的壓差,降低了接收端的信號(hào)幅值。

為了提高發(fā)光效率,研究人員在提升LED內(nèi)量子效率及光提取效率方面做了大量的研發(fā)工作,提出了 PSS襯底外延片、粗化外延表面、金屬鍵合剝離、倒裝芯片結(jié)構(gòu)、垂直芯片結(jié)構(gòu)等技術(shù),使得LED發(fā)光效率得到了大幅提升。

LED光源器件的封裝暖白發(fā)光效率已達(dá)到140lm/W左右、封裝冷白發(fā)光效率已達(dá)到170lm/W左右,國(guó)際主流實(shí)驗(yàn)室水平已達(dá)到230lm/W。

發(fā)光效率為303lm/W的LED,實(shí)現(xiàn)LED技術(shù)發(fā)光效率進(jìn)一步提升。

LED外延生長(zhǎng)和芯片制造是LED生產(chǎn)過(guò)程中最為核心的環(huán)節(jié),其技術(shù)發(fā)展水平?jīng)Q定了LED應(yīng)用的滲透范圍。提高發(fā)光效率(lm/W)和降低單位成本(元/lm)是LED外延芯片行業(yè)技術(shù)發(fā)展的主要目標(biāo)。

TB67S581FNG和TB67S580FNG這兩款新產(chǎn)品是2相雙極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC。TB67S581FNG的電機(jī)輸出額定電壓(絕對(duì)最大值)為50V,電機(jī)輸出額定電流(絕對(duì)最大值)為2.5A,TB67S580FNG的電機(jī)輸出額定電壓(絕對(duì)最大值)及電流(絕對(duì)最大值)則分別為50V和1.6A。

其它兩款產(chǎn)品TB67H481FNG和TB67H480FNG為恒流雙H橋驅(qū)動(dòng)IC,電機(jī)輸出額定電壓(絕對(duì)最大值)為50V,電機(jī)輸出額定電流(絕對(duì)最大值)為2.5A。TB67H481FNG的輸入接口為IN輸入,TB67H480FNG則使用PHASE輸入。

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