HybridPACK Drive G2能夠在750V和1200V電壓等級(jí)內(nèi)實(shí)現(xiàn)高達(dá)300kW的功率，提供高度易用性和新功能，例如下一代相電流傳感器和片上溫度傳感的集成選項(xiàng)，從而優(yōu)化系統(tǒng)成本。

硅EDT2技術(shù)，可在750V電壓等級(jí)下提供100kW至180kW的功率范圍。

第一代車規(guī)級(jí) HybridPACK Drive CoolSiC MOSFET。這不僅讓逆變器的設(shè)計(jì)在1200V等級(jí)內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率（最高可達(dá)250kW），還擴(kuò)大了驅(qū)動(dòng)范圍、縮小了電池尺寸、優(yōu)化了系統(tǒng)尺寸和成本。

輸出極高的MEMS微型揚(yáng)聲器，其聲壓級(jí)最高可達(dá)120dB@200Hz，是一款理想的全帶寬電聲換能器，適用于發(fā)燒友級(jí)高分辨率入耳式耳機(jī)（In-Ear-Monitor，IEM），為實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更簡(jiǎn)單的入耳式耳機(jī)設(shè)計(jì)提供了可能，無(wú)需多驅(qū)動(dòng)器耳機(jī)的相位對(duì)準(zhǔn)和復(fù)雜設(shè)計(jì)。

支持的數(shù)據(jù)速率達(dá)到6400MbPs，帶寬達(dá)到16Gbps，相較于DDR4 DIMM插槽整體翻倍。

特別是對(duì)于較厚的PCB，采用表貼安裝技術(shù)而不是通孔插裝安裝技術(shù)，提高了SI的性能。

除了短、中、長(zhǎng)耳扣，DDR5 DIMM插槽連接器新增了窄耳扣類型，同時(shí)本體也較DDR4 DIMM插槽更瘦，可通過(guò)更多風(fēng)流進(jìn)而更好散熱，最大限度減少設(shè)備停機(jī)。

相較于上一代產(chǎn)品，DDR5 DIMM插槽連接器對(duì)焊接要求更高。TE通過(guò)更好的表貼共面度這一解決方案減少焊接過(guò)程中的翹曲。

這款功率模塊通過(guò)改進(jìn)的組裝和互連技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了性能和功率密度雙提升。

xMEMS獲得專利的硅基揚(yáng)聲器技術(shù)將取代已有百年歷史的音圈揚(yáng)聲器，能夠利用半導(dǎo)體制造方法大批量、高可靠地規(guī)�；a(chǎn)固態(tài)揚(yáng)聲器，并提供更精確、高保真、高分辨率的音頻。

自從我們的第一款產(chǎn)品發(fā)布以來(lái)，音頻行業(yè)對(duì)我們固態(tài)保真解決方案給予了極高的肯定。與傳統(tǒng)音圈揚(yáng)聲器不同，我們的揚(yáng)聲器是單片式的，硅膜提供了比傳統(tǒng)揚(yáng)聲器更好的材料剛度和指數(shù)級(jí)更快的脈沖響應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)了xMEMS固態(tài)保真技術(shù)的卓越音頻性能。

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