內(nèi)置減震器的R4-30轉(zhuǎn)動式門鎖適用于任何R4-30配置，可將門鎖鋼片固定在鎖舌和減震器之間，從而避免了在應(yīng)用運轉(zhuǎn)過程中產(chǎn)生不必要的噪音和振動。

FIB鏡筒支持高達100nA的大電流鎵離子束加工。大電流加工對制備用于大面積成像和分析的截面樣品特別有效。

此外，F(xiàn)IB鏡筒的工作距離更短。加上新開發(fā)的電源，低加速電壓下的加工性能得到極大的改善。

雙軸傾斜盒和專用TEM支架可實現(xiàn)更精確的對準(zhǔn)，同時使樣品更容易在TEM和FIB之間的切換。

ST-ONEMP與MasterGaN功率技術(shù)配套使用。MasterGaN技術(shù)包含集成柵極驅(qū)動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計規(guī)范的高能效。

峰值能效為94%,比同類傳統(tǒng)雙口適配器高2%,而PCB面積僅為傳統(tǒng)適配器的四分之一。

在ST-ONEMP內(nèi)部，Cortex-M0+ MCU微控制器位于充電器次級側(cè)，片上64KB閃存用于保存定制USB-PD協(xié)議和電源轉(zhuǎn)換固件。

設(shè)備制造商使用AS5911可以降低多種尺寸CT探測器模塊的復(fù)雜性，包括四邊可拼接CT探測器。

它提供出色的功率噪聲比性能，有助于下一代CT掃描儀實現(xiàn)更高的成像質(zhì)量。這有助于醫(yī)務(wù)人員做出正確診斷，最終為患者帶來更好的診療結(jié)果。

出色的功率噪聲比性能有助于下一代CT掃描儀實現(xiàn)更高成像質(zhì)量；

AS5911 ADC將在下一代高性能醫(yī)療CT掃描儀和安檢機中發(fā)揮關(guān)鍵作用，這些設(shè)備要求優(yōu)異性能并降低復(fù)雜性。

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