隨著系統(tǒng)尺寸的持續(xù)變小，降低功率損耗和改進(jìn)散熱這兩個(gè)關(guān)鍵因素變得至關(guān)重要。

一系列2分頻揚(yáng)聲器模塊，以加速利用xMEMS固態(tài)MEMS微型揚(yáng)聲器技術(shù)的下一代高分辨率和無(wú)損音頻TWS耳機(jī)的設(shè)計(jì)。

這些模塊集成了由Bujeon定制設(shè)計(jì)的重低音、高性能9毫米動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)低音揚(yáng)聲器、xMEMS的Cowell高音揚(yáng)聲器、世界上最小的單片MEMS 微型揚(yáng)聲器（僅22mm3）和xMEMS的Aptos MEMS揚(yáng)聲器放大器，以創(chuàng)建與當(dāng)今領(lǐng)先的TWS片上系統(tǒng)兼容的“插入式”揚(yáng)聲器解決方案。

與當(dāng)前市面上領(lǐng)先的PQFN 3.3x3.3mm²漏極底置封裝的器件相比，新產(chǎn)品系列的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）大幅降低了25%。

此外，該封裝內(nèi)部在芯片頂部還有一個(gè)改進(jìn)的漏極銅夾片設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了市場(chǎng)領(lǐng)先的芯片/封裝面積比。

雙面散熱、PQFN封裝、OptiMOS™源極底置功率MOSFET可提供一個(gè)增強(qiáng)的熱界面，將功率損耗從開(kāi)關(guān)器件傳導(dǎo)至散熱器。雙面散熱的結(jié)構(gòu)能夠以最直接的方式將功率開(kāi)關(guān)連接至散熱器，其功耗能力與底部散熱、源極底置功率MOSFET相比提高了三倍。

MOSFET產(chǎn)品技術(shù)和領(lǐng)先的封裝技術(shù),將系統(tǒng)性能提升至新的水平。在源極底置（SD）封裝內(nèi)部,MOSFET晶圓的源極觸點(diǎn)被翻轉(zhuǎn)、并朝向封裝的足底一側(cè)，然后焊接到PCB上。

板卡支持多種差分模式，包括RTK、DGNSS、SBAS和“中國(guó)精度”，可滿足米級(jí)、厘米級(jí)及至毫米級(jí)等各種定位精度需求。

與單驅(qū)動(dòng)器TWS耳機(jī)相比，Cowell卓越的高頻響應(yīng)可實(shí)現(xiàn)更寬的聲場(chǎng)，為語(yǔ)音、人聲和樂(lè)器提供更高水平的清晰度和存在感，使低音揚(yáng)聲器能夠?qū)Ｗ⒂谏畛恋鸵繇憫?yīng)和主動(dòng)降噪所需的低頻能量。

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