全新增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。

這些先進(jìn)模型中加入了反向二極管恢復(fù)時(shí)間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級(jí)仿真，并在原型設(shè)計(jì)前對(duì)電熱及EMC性能進(jìn)行評(píng)估。

模型還有助于節(jié)省時(shí)間和資源，工程師此前需要確保他們的設(shè)計(jì)可以在（不太可能的）最壞情況下工作，而現(xiàn)在能夠在特定溫度范圍內(nèi)對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。

元件損壞的方式，有過壓損壞，過流損壞，當(dāng)然還有機(jī)械損壞，過壓損壞如雷擊，擊穿橋式整流管，過流損壞如顯示器行管熱擊穿。

集成電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能很多，任何一部分損壞都無法正常工作，集成電路的損壞也有兩種：徹底損壞，熱穩(wěn)定性不良，徹底損壞時(shí)，可將其拆下，與正常同型號(hào)集成電路對(duì)比測其每一引腳對(duì)地的正，反向電阻，總能找到其中一只或幾只引腳阻值異常，對(duì)熱穩(wěn)定性差的，可以在設(shè)備工作時(shí)，用無水酒精冷卻被懷疑的集成電路，如果故障發(fā)生時(shí)間推遲或不再發(fā)生故障，即可判定，通常只能更換新集成電路來排除。

Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃整個(gè)工作溫度范圍一系列完整器件參數(shù)。

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