休眠模式下低功耗電流最高為20μA廣泛用于12V/24V電源應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2024/5/18 18:08:05 訪問次數(shù):119
兩款產(chǎn)品TB67H481FNG和TB67H480FNG為恒流雙H橋驅(qū)動(dòng)IC，電機(jī)輸出額定電壓（絕對(duì)最大值）為50V，電機(jī)輸出額定電流（絕對(duì)最大值）為2.5A。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC不僅支持8.2V至44V的電機(jī)電源電壓，而且休眠模式下低功耗電流（IM1）最高為20μA，因此可廣泛用于12V/24V電源應(yīng)用。
將持續(xù)開發(fā)廣泛應(yīng)用的產(chǎn)品，并提供總體解決方案，幫助簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、縮小電路板面積并降低總成本。
其內(nèi)置的可多次編程(MTP)存儲(chǔ)器能夠存儲(chǔ)并恢復(fù)器件配置，通過數(shù)字接口則可以輕松監(jiān)測(cè)故障狀態(tài)、VIN、VOUT、電流和溫度。
MPC12106-54-0750-0220采用表面貼裝(24mmx18mmx9.1mm)封裝。
TB67H481FNG的輸入接口為IN輸入，TB67H480FNG則使用PHASE輸入。
這四款產(chǎn)品采用極為通用的小型HTSSOP28封裝，其表貼面積比當(dāng)前產(chǎn)品TB67S109AFNG使用的HTSSOP48封裝大約小39%。與四周排列端子的QFN型封裝不同，HTSSOP封裝在兩個(gè)方向排列端子，因此在電路板上布線更為便捷。
這些IC都內(nèi)部集成了用于電荷泵電路的電容，不僅可減少外部部件，而且還可節(jié)省電路板空間。
由N溝道MOSFET和PNP型三極管復(fù)合而成，導(dǎo)通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極之間驅(qū)動(dòng)電壓Ucg決定。
此時(shí)，從P+區(qū)注入N-的空穴對(duì)（少數(shù)載流子）對(duì)N區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減少N-區(qū)的電阻RN，使高耐壓的IGBT也具有很小的通態(tài)壓降。當(dāng)柵射極間不加信號(hào)或加反向電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失，PNP型三極管的基極電流被切斷，IGBT即關(guān)斷。A2T08VD020NT1
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兩款產(chǎn)品TB67H481FNG和TB67H480FNG為恒流雙H橋驅(qū)動(dòng)IC，電機(jī)輸出額定電壓（絕對(duì)最大值）為50V，電機(jī)輸出額定電流（絕對(duì)最大值）為2.5A。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC不僅支持8.2V至44V的電機(jī)電源電壓，而且休眠模式下低功耗電流（IM1）最高為20μA，因此可廣泛用于12V/24V電源應(yīng)用。
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這些IC都內(nèi)部集成了用于電荷泵電路的電容，不僅可減少外部部件，而且還可節(jié)省電路板空間。
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此時(shí)，從P+區(qū)注入N-的空穴對(duì)（少數(shù)載流子）對(duì)N區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減少N-區(qū)的電阻RN，使高耐壓的IGBT也具有很小的通態(tài)壓降。當(dāng)柵射極間不加信號(hào)或加反向電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失，PNP型三極管的基極電流被切斷，IGBT即關(guān)斷。A2T08VD020NT1
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