傳統(tǒng)上，通常采用機(jī)械繼電器或MOSFET來執(zhí)行電子電路的ON/OFF控制，但它們在系統(tǒng)故障時(shí)不具備相應(yīng)的保護(hù)功能。

從功能安全的角度來看，IPD具有保護(hù)功能，而且在壽命和可靠性方面也表現(xiàn)非常出色，因而得以日益普及，其市場規(guī)模正在不斷擴(kuò)大。

針對市場對提升可靠性的需求，通過進(jìn)一步提高專用工藝的電流承載能力，并結(jié)合ROHM的模擬設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)勢，打造了更廣泛的產(chǎn)品陣容。

這一技術(shù)突破是通過使用一種新的高介電（high-k）材料來增加電池電容，以及改進(jìn)關(guān)鍵電路特性的專利設(shè)計(jì)技術(shù)而實(shí)現(xiàn)的。結(jié)合先進(jìn)的多層極紫外（EUV）光刻技術(shù)，新款DRAM擁有最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圓生產(chǎn)率提高20%。

焊盤與焊盤的間距需要大于6mil，焊盤間距不足很難做出阻焊橋，不同網(wǎng)絡(luò)的IC焊盤無阻焊橋焊接時(shí)可能會連錫短路。同網(wǎng)絡(luò)焊盤與焊盤的間距小，焊接上錫全連接以后返修元器件不方便拆卸。

焊盤距線的距離一般不低于4mil,在有空間的情況下焊盤到線間距越大越好。

光電傳感器的工作原理基于光電效應(yīng)。光電效應(yīng)是指當(dāng)光照射在某些物質(zhì)表面時(shí)，物質(zhì)吸收光子的能量，使物質(zhì)內(nèi)部的電子從束縛狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樽杂蔂顟B(tài)，從而產(chǎn)生電流或電壓的現(xiàn)象。

單通道和雙通道產(chǎn)品均有40、80、160、250mΩ多種導(dǎo)通電阻值可選，能夠滿足客戶多樣化的需求。

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