SOT-227封裝半導(dǎo)體器件與銅基板絕緣搭建通用散熱器和小型總成
發(fā)布時(shí)間:2024/5/5 22:49:43 訪問(wèn)次數(shù):429
15款采用SOT-227小型封裝的新型FRED Pt®第五代600V和1200V Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器。Semiconductors整流器導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗在同類器件中達(dá)到先進(jìn)水平,提高高頻逆變器和軟開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。
這些應(yīng)用環(huán)境下,整流器導(dǎo)通損耗低于前代器件,同時(shí)反向恢復(fù)損耗低。此外,SOT-227封裝的半導(dǎo)體器件與銅基板絕緣,便于搭建通用散熱器和小型總成。
30A/600V器件采用單相橋式配置,60A-300A/600V-1200V器件采用雙二極管配置。
根據(jù)設(shè)計(jì)人員的要求和期望,在電子設(shè)備中安裝5x20mm熔斷器的方法多種多樣。這些范圍從保險(xiǎn)絲夾,通常是最便宜的選擇,全面沖擊安全保險(xiǎn)絲座系統(tǒng)。
本應(yīng)用說(shuō)明旨在概述可用系統(tǒng),每種組合的強(qiáng)度和弱點(diǎn),并幫助設(shè)計(jì)人員為每種應(yīng)用選擇最佳的保險(xiǎn)絲和支架解決方案.
這兩款模塊中的 MOSFET采用第二代SiC技術(shù),RDS(on)x芯片面積品質(zhì)因數(shù)非常出色,確保開(kāi)關(guān)可以處理高電流,把功率損耗降至很低。
解決方案涵蓋了USB 1.1和更高速度的USB 2.0電路。特別強(qiáng)調(diào)的是USB 2.0的信息針對(duì)熱連接超過(guò)電流條件和靜電放電(ESD)在USB系統(tǒng)中引起的。
第一款模塊A2F12M12W2-F1是一個(gè)四組模塊,可為 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。第二款模塊A2U12M12W2-F2采用三電平T型逆變拓?fù),?dǎo)通能效和開(kāi)關(guān)能效均很出色,輸出電壓質(zhì)量穩(wěn)定。
每款芯片的典型導(dǎo)通電阻RDS(on)都是13mΩ,全橋拓?fù)浜蚑型拓?fù)鋬煽钅K均可用于設(shè)計(jì)高功率應(yīng)用,而低熱耗散確保應(yīng)用能效出色,熱管理設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單。

深圳市維基鴻電子有限公司http://wjydz03.51dzw.com
15款采用SOT-227小型封裝的新型FRED Pt®第五代600V和1200V Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器。Semiconductors整流器導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗在同類器件中達(dá)到先進(jìn)水平,提高高頻逆變器和軟開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。
這些應(yīng)用環(huán)境下,整流器導(dǎo)通損耗低于前代器件,同時(shí)反向恢復(fù)損耗低。此外,SOT-227封裝的半導(dǎo)體器件與銅基板絕緣,便于搭建通用散熱器和小型總成。
30A/600V器件采用單相橋式配置,60A-300A/600V-1200V器件采用雙二極管配置。
根據(jù)設(shè)計(jì)人員的要求和期望,在電子設(shè)備中安裝5x20mm熔斷器的方法多種多樣。這些范圍從保險(xiǎn)絲夾,通常是最便宜的選擇,全面沖擊安全保險(xiǎn)絲座系統(tǒng)。
本應(yīng)用說(shuō)明旨在概述可用系統(tǒng),每種組合的強(qiáng)度和弱點(diǎn),并幫助設(shè)計(jì)人員為每種應(yīng)用選擇最佳的保險(xiǎn)絲和支架解決方案.
這兩款模塊中的 MOSFET采用第二代SiC技術(shù),RDS(on)x芯片面積品質(zhì)因數(shù)非常出色,確保開(kāi)關(guān)可以處理高電流,把功率損耗降至很低。
解決方案涵蓋了USB 1.1和更高速度的USB 2.0電路。特別強(qiáng)調(diào)的是USB 2.0的信息針對(duì)熱連接超過(guò)電流條件和靜電放電(ESD)在USB系統(tǒng)中引起的。
第一款模塊A2F12M12W2-F1是一個(gè)四組模塊,可為 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。第二款模塊A2U12M12W2-F2采用三電平T型逆變拓?fù),?dǎo)通能效和開(kāi)關(guān)能效均很出色,輸出電壓質(zhì)量穩(wěn)定。
每款芯片的典型導(dǎo)通電阻RDS(on)都是13mΩ,全橋拓?fù)浜蚑型拓?fù)鋬煽钅K均可用于設(shè)計(jì)高功率應(yīng)用,而低熱耗散確保應(yīng)用能效出色,熱管理設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單。

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熱門點(diǎn)擊
- 與CSP封裝相比QFN封裝還具有更好散熱穩(wěn)定
- 45納米低功耗技術(shù)為533MHz至800MH
- 車載設(shè)備提供符合ISO 26262道路車輛功
- 大于200V/ns業(yè)內(nèi)超高共模瞬態(tài)抗擾性(C
- 多個(gè)轉(zhuǎn)換器集成增加輸出功率或通過(guò)添加外部環(huán)形
- 高壓放大器用于放大由鐵電材料產(chǎn)生電極化信號(hào)以
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