KV260視覺AI入門套件是AMD Kria™K26系統(tǒng)模塊（SOM）的開發(fā)平臺(tái)，專為高級(jí)視覺應(yīng)用開發(fā)而構(gòu)建，無需開發(fā)者擁有復(fù)雜的硬件設(shè)計(jì)知識(shí)或 FPGA 編程技能。

AMD Kria SOM 適用于邊緣 AI 應(yīng)用，開箱即用（production-ready），配備數(shù)量豐富的I/O接口，高能效且具有成本效益，可加速視覺和機(jī)器人任務(wù)。

結(jié)合Prophesee突破性的事件視覺技術(shù)，機(jī)器視覺系統(tǒng)開發(fā)者可利用Metavision平臺(tái)的低延遲和低功耗優(yōu)勢(shì)，創(chuàng)建出傳統(tǒng)基于幀的視覺方案無法實(shí)現(xiàn)且更高效的應(yīng)用。

在產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)成熟下，硅基負(fù)極商用已逐漸轉(zhuǎn)向硅碳。

在當(dāng)前階段，硅氧負(fù)極產(chǎn)業(yè)化雖然成熟，但是硅氧負(fù)極上限較低，其主要通過硅與氧化硅復(fù)合限制硅的體積變化，其循環(huán)性和倍率性較好，但是比容量相對(duì)較低，市場(chǎng)上的硅氧負(fù)極比容量多在1300mAh/g至1700mAh/g之間。

硅碳負(fù)極利用石墨材料緩解硅在充放電中的體積變化，能量密度更高，比容量可以達(dá)到2000mAh/g甚至跟高。從中長期規(guī)劃來看，尤其是在能量密度提升方面，硅碳負(fù)極更受終端應(yīng)用的追捧。

典型工業(yè)系統(tǒng)級(jí)仿真工具采用的 PLECS 模型僅對(duì)硬開關(guān)有效，對(duì)軟開關(guān)應(yīng)用的仿真則非常不準(zhǔn)確。安森美推出的全新 PLECS 模型引領(lǐng)了技術(shù)發(fā)展，既適用于硬開關(guān)也適用于軟開關(guān)應(yīng)用，例如 DC-DC LLC 和 CLLC 諧振、雙有源橋和相移全橋。

創(chuàng)新的SSPMG仿真工具還支持設(shè)計(jì)人員根據(jù)電氣偏置和溫度條件，添加自定義的數(shù)據(jù)密集參數(shù)表。這有助于確保表內(nèi)數(shù)據(jù)點(diǎn)之間的插值準(zhǔn)確，由此幾乎消除了外推需求.

邊界模型可在產(chǎn)品的典型條件和邊界條件下發(fā)揮效用，使用戶能夠跟蹤在較差、標(biāo)稱和較佳制造條件下的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，進(jìn)一步掌握應(yīng)用性能表現(xiàn)。

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