高容量抗輻射（RadTol）NOR閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品通過了MIL-PRF-38535 QML-V流程認(rèn)證。QML-V流程是航天級IC的最高質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。

256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存儲器可帶來出色的低引腳數(shù)單芯片解決方案，適用于FPGA配置、圖像存儲、微控制器數(shù)據(jù)和引導(dǎo)代碼存儲等應(yīng)用場合。在更高時(shí)鐘速率下使用時(shí)，器件支持的數(shù)據(jù)傳輸可媲美或超越傳統(tǒng)的并行異步NOR閃存，同時(shí)顯著減少引腳數(shù)。CC2530F256RHAR

這款器件的抗輻射性能高達(dá)30krad（Si）偏置和125krad（Si）無偏置。

電阻在電路中被大量使用，作用不外乎有幾種，分流，分壓，限流等，電阻并聯(lián)分流，串聯(lián)分壓，至于限流，我們使用的發(fā)光二極管一般都會(huì)串聯(lián)一個(gè)電阻，這個(gè)電阻的作用就是限流，以免電流過大燒壞發(fā)光二極管。

電容的作用就多了，有濾波，旁路，耦合，儲能等，我們在電路板上經(jīng)常見到并使用的就是濾波功能了，只要是電源電路都會(huì)用到電容濾波，不管什么作用，都是利用了電容隔直通交，通高阻低的特性，是一個(gè)用電容濾波的電源電路。

線性穩(wěn)壓器電路中可能的故障模式可能來自熱因素，而不是嚴(yán)格的電氣因素，穩(wěn)壓器消耗的功率將導(dǎo)致組件溫度升高，并且由于沒有足夠的路徑使熱量從穩(wěn)壓器中散發(fā)出來，因此溫度終可能會(huì)高到足以嚴(yán)重?fù)p害性能或?qū)е聼彡P(guān)斷的程度。

新款1000Base-T1故障注入模塊，提供多種通道數(shù)選擇以及兩條故障總線連接。

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