一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。新產(chǎn)品TP65H070G4RS晶體管的導通電阻為72毫歐,為業(yè)界首個采用JEDEC標準(MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵器件。

高性能650V常閉型d-mode氮化鎵平臺，該平臺具有更低的柵極電荷、輸出電容、交叉損耗、反向恢復電荷和動態(tài)電阻，從而效率優(yōu)于硅、碳化硅和其他氮化鎵產(chǎn)品。

SuperGaN平臺的優(yōu)勢與TOLT封裝更好的散熱性及系統(tǒng)組裝靈活性相結合，為尋求推出具有更高功率密度和效率、總體功率系統(tǒng)成本更低的電源系統(tǒng)客戶提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。

E-Fuse演示板可在微秒層級檢測并中斷故障電流，得益于高壓固態(tài)設計，這比傳統(tǒng)機械方法快100至500倍。

快速響應時間可大大降低峰值短路電流，能從幾十千安降至幾百安，從而防止故障事件導致硬故障。

這款E-Fuse演示板為BEV/HEV OEM設計人員提供了基于碳化硅技術的解決方案，能夠更快、更可靠地保護電子設備，從而快速啟動開發(fā)流程。E-Fuse采用固態(tài)設計也減輕了對機電設備長期可靠性的擔憂，不會因為機械沖擊、電弧或接觸反彈而發(fā)生退化。

針對不適合使用傳統(tǒng)底部散熱型表貼器件的系統(tǒng)，TOLT封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案。采用TOLT封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩(wěn)定的TO-247插孔封裝，還具有基于SMD的印刷電路板組裝（PCBA）實現(xiàn)高效制造流程的額外優(yōu)勢。

28nm先進NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關領域。LM2594MX-5.0/NOPB

其中FM24C/FM25系列車規(guī)產(chǎn)品已通過AEC-Q100 Grade 1車規(guī)級驗證。

http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導體有限公司