一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。新產(chǎn)品TP65H070G4RS晶體管的導(dǎo)通電阻為72毫歐,為業(yè)界首個(gè)采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵器件。

高性能650V常閉型d-mode氮化鎵平臺(tái)，該平臺(tái)具有更低的柵極電荷、輸出電容、交叉損耗、反向恢復(fù)電荷和動(dòng)態(tài)電阻，從而效率優(yōu)于硅、碳化硅和其他氮化鎵產(chǎn)品。

SuperGaN平臺(tái)的優(yōu)勢(shì)與TOLT封裝更好的散熱性及系統(tǒng)組裝靈活性相結(jié)合，為尋求推出具有更高功率密度和效率、總體功率系統(tǒng)成本更低的電源系統(tǒng)客戶提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。

E-Fuse演示板可在微秒層級(jí)檢測(cè)并中斷故障電流，得益于高壓固態(tài)設(shè)計(jì)，這比傳統(tǒng)機(jī)械方法快100至500倍。

快速響應(yīng)時(shí)間可大大降低峰值短路電流，能從幾十千安降至幾百安，從而防止故障事件導(dǎo)致硬故障。

這款E-Fuse演示板為BEV/HEV OEM設(shè)計(jì)人員提供了基于碳化硅技術(shù)的解決方案，能夠更快、更可靠地保護(hù)電子設(shè)備，從而快速啟動(dòng)開發(fā)流程。E-Fuse采用固態(tài)設(shè)計(jì)也減輕了對(duì)機(jī)電設(shè)備長(zhǎng)期可靠性的擔(dān)憂，不會(huì)因?yàn)闄C(jī)械沖擊、電弧或接觸反彈而發(fā)生退化。

針對(duì)不適合使用傳統(tǒng)底部散熱型表貼器件的系統(tǒng)，TOLT封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案。采用TOLT封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩(wěn)定的TO-247插孔封裝，還具有基于SMD的印刷電路板組裝（PCBA）實(shí)現(xiàn)高效制造流程的額外優(yōu)勢(shì)。

28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。LM2594MX-5.0/NOPB

其中FM24C/FM25系列車規(guī)產(chǎn)品已通過AEC-Q100 Grade 1車規(guī)級(jí)驗(yàn)證。

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