元件為系統(tǒng)增加了固有安全性，確保操作員不會通過觸摸故障點附近的金屬外殼意外接觸帶電電壓。

將直流系統(tǒng)接地的第二個好處是，大型互連接地信號網(wǎng)絡(luò)可以創(chuàng)建非常一致的參考點。如果您使用儀表測量電壓，并且由于干擾，連接點處的電壓正在發(fā)生變化，但參考電壓沒有變化，那么這將是一個噪聲很大的信號。

高折射率微透鏡采用了新材料，使HP9傳感器能夠?qū)⒏喙饩�精準(zhǔn)地導(dǎo)向相應(yīng)的RGB濾色片，從而顯著提升了感光能力。與上一代產(chǎn)品相比，HP9的感光度提高了12%（基于信噪比10），自動對焦對比度性能提高了10%，實現(xiàn)了更生動的色彩還原和更強(qiáng)大的對焦性能。

M12028是一款面向小家電、電動工具、戶外藍(lán)牙音箱等充電的快充管理SOC，集成了同步開關(guān)電壓變換器、快充協(xié)議控制器、電池充放電管理、電池電量計算等功能模塊，支持PD3.0、PD2.0、QC3.0、QC2.0、BC1.2 DCP、UFCS快充充電協(xié)議，額定充電功率100W，并提供輸入過壓/欠壓、電池過充、過溫、過流等完備的保護(hù)功能。搭載極簡的外圍電路，即可組成2-4節(jié)電池的快充充電解決方案。

與IGBT和MOSFET相比，氮化鎵的電容更低，從而降低了電容開關(guān)損耗。

受控且更快的di/dt和受控dv/dt有助于優(yōu)化開關(guān)期間的電壓電流重疊損耗。

氮化鎵具有零反向恢復(fù)特性。借助零反向恢復(fù)特性，可以以非常高的電流斜率 (di/dt) 和電壓斜率 (dv/dt) 切換氮化鎵FET。

在MOSFET中，體二極管具有高零反向恢復(fù)特性，限制了開關(guān)di/dt和dv/dt，并導(dǎo)致額外的損耗和相節(jié)點電壓振鈴。對于IGBT，即使添加優(yōu)化的反并聯(lián)二極管，仍然會造成與反向恢復(fù)相關(guān)的挑戰(zhàn)。

在關(guān)斷時，IGBT會受到少數(shù)載流子復(fù)合電流（通常稱為尾電流）的影響，這會增加關(guān)斷損耗，氮化鎵則沒有尾電流。