高效功率轉(zhuǎn)換讓設(shè)計(jì)師不增加電子組件物理尺寸的情況下延長(zhǎng)電池
發(fā)布時(shí)間:2024/7/6 23:31:23 訪問(wèn)次數(shù):63
通過(guò)整合性能更高的Cortex-M4內(nèi)核與Cortex-M0+網(wǎng)絡(luò)處理器，STM32WB利用超低功耗微控制器(MCU)技術(shù)集成優(yōu)異的射頻性能和更長(zhǎng)的電池續(xù)航時(shí)間。
系統(tǒng)芯片還集成連接天線所需的基本電路，在其它解決方案中，通常工程師必須自己設(shè)計(jì)巴倫; 還集成大容量的系統(tǒng)存儲(chǔ)器、用戶存儲(chǔ)器、硬件加密、客戶密鑰存儲(chǔ)器(用于品牌和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù))。
現(xiàn)在，終端用戶需要更好的更便宜的智能互聯(lián)產(chǎn)品，為幫助開發(fā)人員滿足這些苛刻的需求，STM32WB系列提供先進(jìn)的集成度和毫不妥協(xié)的雙核性能。
不過(guò)，像素越大，需要的硅材料就越多，傳感器尺寸和成本也會(huì)隨之增加。
相反，像素越小，可以實(shí)現(xiàn)的分辨率越高，但可能需要更復(fù)雜的光學(xué)設(shè)計(jì)才能實(shí)現(xiàn)與較大像素傳感器相當(dāng)?shù)膱D像質(zhì)量。像素大小的選擇需要綜合考慮靈敏度、分辨率和成本等因素，找到恰當(dāng)?shù)钠胶恻c(diǎn)。
nPM1100 PMIC兼具小尺寸外形,高集成度及高效功率轉(zhuǎn)換,能夠讓設(shè)計(jì)師在不增加電子組件物理尺寸的情況下延長(zhǎng)電池使用壽命或提高電源容量。
這些數(shù)字值可以存儲(chǔ)在MCU的內(nèi)部存儲(chǔ)器中以供進(jìn)一步分析或組織起來(lái)以實(shí)現(xiàn)更高效的傳輸。聚合的傳感器數(shù)據(jù)以針對(duì)系統(tǒng)效率優(yōu)化的間隔通過(guò)I3C總線傳輸?shù)街骺刂破鳌?/span>
壓接型器件的熱容量由與其接觸的固體金屬板決定，這些銅盤通常重達(dá)幾百克，幾乎不會(huì)在幾秒鐘內(nèi)產(chǎn)生溫升。將器件加熱到所需溫度的典型循環(huán)周期是導(dǎo)通3分鐘，冷卻2分鐘，整個(gè)周期持續(xù)5分鐘
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司
通過(guò)整合性能更高的Cortex-M4內(nèi)核與Cortex-M0+網(wǎng)絡(luò)處理器，STM32WB利用超低功耗微控制器(MCU)技術(shù)集成優(yōu)異的射頻性能和更長(zhǎng)的電池續(xù)航時(shí)間。
系統(tǒng)芯片還集成連接天線所需的基本電路，在其它解決方案中，通常工程師必須自己設(shè)計(jì)巴倫; 還集成大容量的系統(tǒng)存儲(chǔ)器、用戶存儲(chǔ)器、硬件加密、客戶密鑰存儲(chǔ)器(用于品牌和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù))。
現(xiàn)在，終端用戶需要更好的更便宜的智能互聯(lián)產(chǎn)品，為幫助開發(fā)人員滿足這些苛刻的需求，STM32WB系列提供先進(jìn)的集成度和毫不妥協(xié)的雙核性能。
不過(guò)，像素越大，需要的硅材料就越多，傳感器尺寸和成本也會(huì)隨之增加。
相反，像素越小，可以實(shí)現(xiàn)的分辨率越高，但可能需要更復(fù)雜的光學(xué)設(shè)計(jì)才能實(shí)現(xiàn)與較大像素傳感器相當(dāng)?shù)膱D像質(zhì)量。像素大小的選擇需要綜合考慮靈敏度、分辨率和成本等因素，找到恰當(dāng)?shù)钠胶恻c(diǎn)。
nPM1100 PMIC兼具小尺寸外形,高集成度及高效功率轉(zhuǎn)換,能夠讓設(shè)計(jì)師在不增加電子組件物理尺寸的情況下延長(zhǎng)電池使用壽命或提高電源容量。
這些數(shù)字值可以存儲(chǔ)在MCU的內(nèi)部存儲(chǔ)器中以供進(jìn)一步分析或組織起來(lái)以實(shí)現(xiàn)更高效的傳輸。聚合的傳感器數(shù)據(jù)以針對(duì)系統(tǒng)效率優(yōu)化的間隔通過(guò)I3C總線傳輸?shù)街骺刂破鳌?/span>
壓接型器件的熱容量由與其接觸的固體金屬板決定，這些銅盤通常重達(dá)幾百克，幾乎不會(huì)在幾秒鐘內(nèi)產(chǎn)生溫升。將器件加熱到所需溫度的典型循環(huán)周期是導(dǎo)通3分鐘，冷卻2分鐘，整個(gè)周期持續(xù)5分鐘
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司
相關(guān)技術(shù)資料- 7-4超低功耗角度位置傳感器參數(shù)技術(shù)封裝
- 7-4四路輸出 DC/DC 降壓電源模塊產(chǎn)品系列
- 7-4降壓變換器和升降壓變換器優(yōu)特點(diǎn)及區(qū)別
- 7-4業(yè)界首創(chuàng)可在線編程電源模塊 mEZ系列
- 7-4可編程門陣列 (FPGA)智能 電源解決方案
- 7-4高效先進(jìn)封裝工藝MPS 電源模塊優(yōu)勢(shì)設(shè)計(jì)
- 7-31200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片應(yīng)用詳情
- 7-3高帶寬內(nèi)存（HBM）和芯片間互連（ICI）應(yīng)用探究
- 7-3第七代TPU—Ironwood技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- 7-3Neuralink新款“心靈感應(yīng)”腦機(jī)接口N1芯片
- 7-3IR最新功率MOSFET的300V器件系列
- 7-3全新第4代SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái)應(yīng)用解釋
熱門點(diǎn)擊
- 檢測(cè)到過(guò)流支持100µs內(nèi)做出快速
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器二級(jí)電流保護(hù)進(jìn)一步提高系統(tǒng)可靠性和
- 接通下臂中的器件以通過(guò)虛線的路徑從下臂的電源
- 涵蓋硅和碳化硅的分立式功率器件以及創(chuàng)新的SM
- 示波器自動(dòng)放大對(duì)應(yīng)總線信號(hào)在屏幕的下半部分顯
- 系統(tǒng)的模擬前端通常是一個(gè)傳感器流數(shù)據(jù)端接在F
- 電池壽命的需求日益增長(zhǎng)因此對(duì)降低IQ的要求也
- 有源米勒鉗位功能可防止上下橋臂功率器件發(fā)生短
- 主機(jī)動(dòng)態(tài)更改模塊I2C地址實(shí)現(xiàn)單I2C總線掛
- 安全引導(dǎo)原則MCU在啟動(dòng)時(shí)運(yùn)行經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的固件
推薦技術(shù)資料
- 超低功耗角度位置傳感器參數(shù)技術(shù)
- 四路輸出 DC/DC 降壓電源
- 降壓變換器和升降壓變換器優(yōu)特點(diǎn)
- 業(yè)界首創(chuàng)可在線編程電源模塊 m
- 可編程門陣列 (FPGA)智能 電源解決方案
- 高效先進(jìn)封裝工藝
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
