低功耗低溫存儲器通過減少SRAM功率耗散來幫助數(shù)據(jù)中心更低溫地運行

發(fā)布時間:2024/7/9 19:26:35 訪問次數(shù):95

串行SRAM產(chǎn)品線，容量最高可達(dá)4Mb，并將串行外設(shè)接口/串行四通道輸入/輸出接口（SPI/SQI™）的速度提高到143MHz。

新產(chǎn)品線包括提供2 Mb和4 Mb兩種不同容量的器件，旨在為傳統(tǒng)的并行SRAM產(chǎn)品提供成本更低的替代方案，并在SRAM存儲器中包含可選的電池備份切換電路，以便在斷電時保留數(shù)據(jù)。

2Mb和4Mb串行SRAM器件解決了串行SRAM最常見的缺點——并行比串行存儲器快，通過可選的四通道SPI（每個時鐘周期4位），將總線速度提高到143MHz，大大縮小了串行和并行解決方案之間的速度差距。

由于服務(wù)器芯片和人工智能處理器都集成了大量的SRAM，因此遷移到SureCore的低功耗低溫存儲器可以通過減少SRAM功率耗散來幫助數(shù)據(jù)中心更低溫地運行，同時還能顯著降低冷卻負(fù)荷。

電解電容器的電容會隨著時間的推移而偏離標(biāo)稱值，并且公差很大，通常為20%。

這意味著標(biāo)稱電容為47F的鋁電解電容器的測量值預(yù)計在37.6F和56.4F之間。

當(dāng)用于開關(guān)電源時，它們通常是限制電源使用壽命的關(guān)鍵組件，因此在這種應(yīng)用中使用高質(zhì)量的電容器。

隨著電力價格的飆升，潛在的四倍功耗降低肯定會引起業(yè)界的廣泛關(guān)注。

SureCore開發(fā)的技術(shù)使其能夠為量子計算應(yīng)用設(shè)計可低至4K運行的內(nèi)存解決方案。這項技術(shù)同樣適用于77K操作。

低溫晶體管SPICE模型使我們能夠移植和調(diào)整我們的低功耗內(nèi)存技術(shù)，使其能夠在低至4K的溫度下工作。我們的目標(biāo)不僅是開發(fā)低溫運行的存儲器，還要利用我們的節(jié)電技術(shù)，最大限度地降低低溫恒溫器的熱負(fù)荷。

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