兩芯片AHV85000和 AHV85040隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC解決方案可與外部變壓器協(xié)同工作，能夠?yàn)樘柲苣孀兤�、xEV充電基礎(chǔ)設(shè)施和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)等清潔能源以及數(shù)據(jù)中心電源等應(yīng)用提供更大設(shè)計(jì)自由度和更高功率效率。

新的組合芯片隔離柵極驅(qū)動(dòng)器能夠?yàn)榫哂胁煌綦x要求的應(yīng)用提供更多優(yōu)勢。

通過進(jìn)一步優(yōu)化系統(tǒng)成本和空間，這一行業(yè)領(lǐng)先的解決方案可提供更大的設(shè)計(jì)靈活性，包括可選擇不同隔離級別、最適合于具體應(yīng)用的變壓器，及在系統(tǒng)中布置隔離屏障的位置靈活度。

IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。

IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨(dú)立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序，同時(shí)將開關(guān)損耗降至最低。 

內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)偏置,以實(shí)現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 

LM1117IDT-3.3/NOPB

由于輸入電壓偏移和偏置電流以及它們隨后的溫度相關(guān)漂移，檢測放大器電路(幾乎總是為此類應(yīng)用設(shè)計(jì)的運(yùn)算放大器)中的缺陷也會(huì)影響較低的電壓降 - 所有這些這可能會(huì)破壞超出允許公差的感測值。

一般來說，最好使用較小值的電阻器，其相關(guān)電壓降和功率損耗較低，總體上更好，但只能達(dá)到一定程度。一個(gè)起點(diǎn)指導(dǎo)原則是在最大電流下為大約100mV壓降確定電阻器的大小。

對于許多應(yīng)用，快速V=IR計(jì)算將電流檢測電阻值置于1到10毫歐之間。然而，在低壓應(yīng)用中，即使是適度的100mV壓降和相關(guān)的耗散，也可能超出可接受的范圍。

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