熱電阻測溫是基于金屬導(dǎo)體的電阻值隨溫度的增加而增加這一特性來進(jìn)行溫度測量的。常用的有鉑電阻PT100、PT1000等。其后端測量電路是對電阻的測量，一般要組成測量橋路，因?yàn)橐跓犭娮柚辛鬟^電流，會有自熱現(xiàn)象，在高精度測溫時(shí)一定要重視。

熱電偶和熱電阻一般成本較高，還要匹配復(fù)雜的測量電路。各大元器件公司設(shè)計(jì)了一些集成溫度測量元件，直接數(shù)字輸出，方便使用，簡化了測量電路。XC4VFX60-11FFG672I

如DS18B20是一種應(yīng)用較為廣泛的溫度測量器件，其測量范圍-55C~+125C，-10°C ~+85°C范圍測量精度達(dá)0.5C，一線接口，并且一線可以掛接多個(gè)DS18B20組成分布式溫度測量。

芯片集成了射頻接收器、射頻發(fā)射器、頻率綜合器、GFSK調(diào)制器、GFSK解調(diào)器等功能模塊，并且支持-一對多線網(wǎng)和帶ACK的通信模式。發(fā)射輸出功率、工作頻道以及通信數(shù)據(jù)率均可配置。芯片已將多顆外圍貼片阻容感器件集成到芯片內(nèi)部。容易過FCC等認(rèn)證。

嵌入高達(dá)64Kbytes flash和8Kbytes SRAM存儲器，最高工作頻率48MHz。

包含多種不同封裝類型多款產(chǎn)品。芯片集成多路I2C、SPI、USART等通訊外設(shè)，1路12bitADC, 5個(gè)16bit定時(shí)器，以及2路比較器。

芯片內(nèi)含32位ARM@Cortex@_ M0+內(nèi)核MCU,寬電壓工作范圍的MCU。

在玻璃基片上,蒸鍍一層厚度約1um的叉指形金電極,作為下電極;在其表面上均勻涂覆或浸漬一層醋酸纖維膜,作為感濕膜,再在感濕膜的表面上蒸鍍一層多孔性金薄膜做上電極.將上下電極焊接出引線.這樣,由上、下電極和中間的感濕膜就構(gòu)成了一個(gè)對濕度敏感的平板形電容器。FT25LX04T-RT

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