由二極管和電容器組成的自舉電路可以用來(lái)代替浮地電源。當(dāng)MOSFET由逆變器或類似電路的上臂和下臂驅(qū)動(dòng)時(shí)，可以在每個(gè)相中使用自舉電容C，而不是浮置電源。最初，必須接通下臂中的器件以通過虛線的路徑從下臂的電源對(duì)電容C充電。

下臂MOSFET每次導(dǎo)通時(shí)，電容C通過該路徑充電。由于上臂器件的占空比與電容C上存儲(chǔ)的電荷量有一定的關(guān)系，因此上臂的占空比存在限制。與輸出電壓的情況一樣，上臂的柵極電壓波動(dòng)使其對(duì)噪聲敏感。因此，在設(shè)計(jì)上臂門電路時(shí)應(yīng)謹(jǐn)慎。

目前已有精度達(dá)±0.1°C高精度集成溫度傳感芯片，如TI的TMP117，ANALOG的ADT7442、MAX30205、MAX30207、MAX30208都能達(dá)到±0.1°C的高精度。而A級(jí)的PT100的精度只有（0.15+0.002*|t|°C。

這樣在測(cè)量精度、成本、實(shí)現(xiàn)的簡(jiǎn)單性方面集成溫度傳感芯片都有優(yōu)勢(shì)。如TMP117就是為代替高精度的鉑熱電阻而設(shè)計(jì)，不但精度高，而且因?yàn)槭∪チ算K熱電阻測(cè)量所需要的精密參考源、匹配布線、復(fù)雜的溫度換算和標(biāo)定而簡(jiǎn)化了測(cè)量系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。

FT25LX04T-RT

TMP117支持SMBus和I2C接口，測(cè)量范圍-55C ~+150C，在 –20°C~ 50°C 范圍內(nèi)測(cè)量精度±0.1 °C，在 –40°C ~ 70°C范圍內(nèi)測(cè)量精度±0.15°C ，在–40°C ~100°C范圍內(nèi)測(cè)量精度±0.2°C ，在–40°C t~125 °C范圍內(nèi)測(cè)量精度±0.25°C，在–55°C ~125°C 范圍內(nèi)測(cè)量精度±0.3°C。

為保證總線空閑時(shí)該引腳為高電平，DQ引腳必須經(jīng)過一個(gè)約5kΩ的電阻與正電源相連另外，主機(jī)是指單片機(jī)等控制器。

沒有專用單總線引腳的單片機(jī)可以用I/O口引腳模擬單總線引腳。

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