IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。

MOSFET由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。

反相放大器與生俱來的有個小缺陷，反相輸入放大器的輸入阻抗不是很高，而我們在電路設計中一般希望放大器的輸入阻抗要高，這樣放大器才不會從信號源吸收電流，才不會影響待放大信號以及對電路的放大結果產(chǎn)生影響。

根據(jù)運放“虛短虛斷”的特點來分析下，同相輸入端接地，電位為0，根據(jù)運放虛短的特點，運放的3腳同相輸入端和4腳反相輸入端的電位相等，所以4腳反相輸入端的電位也為0電位。

運算放大器具有以下特點，當輸出端不加電源電壓時，正相輸入端（+）和反相輸入端（-)被認為施加了相同的電壓，也就是說可以認為是虛短路。所以，當正相輸入端(+)為0V時，A點的電壓也為0V。

晶體管只有當基極-發(fā)射極被加載正向電壓時才會工作，因此電阻（連接于集電極上的電阻）的兩端得到的是被切掉了半邊的、只有半波的輸入信號整流波形（如果輸入信號太小，甚至連此整流波形也無法得到）。結果，得到的是與輸入波形相去甚遠的波形。

雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 高出很多。

由以上條件，對R2使用歐姆定律，則得出Vout=-I1xR2。I1為負是因為I2從電壓為0V的點A流出。

換一個角度來看，當反相輸入端（-)的輸入電壓上升時，輸出會被反相，向負方向大幅度放大。由于這個負方向的輸出電壓經(jīng)由R2與反相輸入端相連，因此，會使反相輸入端（-)的電壓上升受阻。反相輸入端和正相輸入端電壓都變?yōu)?V，輸出電壓穩(wěn)定。

LM1117IDT-3.3/NOPB                                                

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