推挽式輸出無(wú)需外部上拉電阻簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)節(jié)省電路板空間并減少物料清單
發(fā)布時(shí)間:2024/8/27 13:29:20 訪問(wèn)次數(shù):132
開(kāi)關(guān)的工作電壓在1.6V至5.5V之間，能直接由便攜設(shè)備內(nèi)部的電池供電，因此節(jié)省了電源轉(zhuǎn)換的面積與成本。
雙輸出的AH139x系列中的輸出1對(duì)應(yīng)N極，而輸出2對(duì)應(yīng)S極，典型工作點(diǎn)為25G(AH1391)和30G(AH1392)。AH138x系列的單輸出對(duì)應(yīng)于器件絲印(Part-Marking)側(cè)的S極，典型工作點(diǎn)為18G(AH1381)、30G(AH1382)和45G(AH1383)。
由于設(shè)計(jì)更為緊湊，5MWh的容器將會(huì)提供117 Wh/l的能量密度。這比在基于280Ah電池的標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)中具備的80Wh/l能量密度高出46%。
這些開(kāi)關(guān)狹小的工作范圍可確保較低的磁傳播，而其斬波穩(wěn)定設(shè)計(jì)提供最小的開(kāi)關(guān)點(diǎn)漂移和卓越的溫度穩(wěn)定性。
為了提高耐用性，這些器件具有強(qiáng)大的人體模型(HBM)靜電放電(ESD)保護(hù)：AH138x系列為8kV，AH139x系列為6kV。
5兆瓦時(shí)（MWh）容器產(chǎn)品，其采用標(biāo)準(zhǔn)的20英尺容器結(jié)構(gòu)。更緊湊的第二代（ESS 2.0）配置、更高容量的儲(chǔ)能系統(tǒng)將會(huì)進(jìn)行預(yù)裝并且成品可準(zhǔn)備好進(jìn)行連接。
這些器件具有推挽式輸出，無(wú)需外部上拉電阻，進(jìn)而簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)、節(jié)省電路板空間并減少物料清單。
為了確保適用于小型產(chǎn)品應(yīng)用，所有器件均采用業(yè)界最小的封裝：DFN1010-4與 DFN1410-4。AH1381、AH1382及AH1383版本也提供SOT23封裝。AH138x系列提供 DFN封裝與SOT23 封裝。
AH139x系列提供 DFN 封裝。上述型號(hào)及開(kāi)關(guān)完整產(chǎn)品組合都包含在霍爾效應(yīng)傳感器器件選擇工具頁(yè)面中。
深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司http://jhbdt1.51dzw.com
開(kāi)關(guān)的工作電壓在1.6V至5.5V之間，能直接由便攜設(shè)備內(nèi)部的電池供電，因此節(jié)省了電源轉(zhuǎn)換的面積與成本。
雙輸出的AH139x系列中的輸出1對(duì)應(yīng)N極，而輸出2對(duì)應(yīng)S極，典型工作點(diǎn)為25G(AH1391)和30G(AH1392)。AH138x系列的單輸出對(duì)應(yīng)于器件絲印(Part-Marking)側(cè)的S極，典型工作點(diǎn)為18G(AH1381)、30G(AH1382)和45G(AH1383)。
由于設(shè)計(jì)更為緊湊，5MWh的容器將會(huì)提供117 Wh/l的能量密度。這比在基于280Ah電池的標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)中具備的80Wh/l能量密度高出46%。
這些開(kāi)關(guān)狹小的工作范圍可確保較低的磁傳播，而其斬波穩(wěn)定設(shè)計(jì)提供最小的開(kāi)關(guān)點(diǎn)漂移和卓越的溫度穩(wěn)定性。
為了提高耐用性，這些器件具有強(qiáng)大的人體模型(HBM)靜電放電(ESD)保護(hù)：AH138x系列為8kV，AH139x系列為6kV。
5兆瓦時(shí)（MWh）容器產(chǎn)品，其采用標(biāo)準(zhǔn)的20英尺容器結(jié)構(gòu)。更緊湊的第二代（ESS 2.0）配置、更高容量的儲(chǔ)能系統(tǒng)將會(huì)進(jìn)行預(yù)裝并且成品可準(zhǔn)備好進(jìn)行連接。
這些器件具有推挽式輸出，無(wú)需外部上拉電阻，進(jìn)而簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)、節(jié)省電路板空間并減少物料清單。
為了確保適用于小型產(chǎn)品應(yīng)用，所有器件均采用業(yè)界最小的封裝：DFN1010-4與 DFN1410-4。AH1381、AH1382及AH1383版本也提供SOT23封裝。AH138x系列提供 DFN封裝與SOT23 封裝。
AH139x系列提供 DFN 封裝。上述型號(hào)及開(kāi)關(guān)完整產(chǎn)品組合都包含在霍爾效應(yīng)傳感器器件選擇工具頁(yè)面中。
深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司http://jhbdt1.51dzw.com
相關(guān)技術(shù)資料- 7-31200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片應(yīng)用詳情
- 7-3高帶寬內(nèi)存（HBM）和芯片間互連（ICI）應(yīng)用探究
- 7-3第七代TPU—Ironwood技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- 7-3Neuralink新款“心靈感應(yīng)”腦機(jī)接口N1芯片
- 7-3IR最新功率MOSFET的300V器件系列
- 7-3全新第4代SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái)應(yīng)用解釋
- 7-2高性能 32 位 RISC-V MCU技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- 7-2全新無(wú)線通信模組— ML3219D
- 7-26納米制程射頻（RF）和藍(lán)牙先進(jìn)連接芯片
- 7-2先進(jìn)芯片和功率芯片市場(chǎng)需求及發(fā)展趨勢(shì)
- 7-2海思凌霄網(wǎng)絡(luò)760解決方案解讀
- 7-2新型無(wú)線短距通信星閃技術(shù)（NearLink）
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 擴(kuò)展到大量追蹤對(duì)象在性能和成本方面具有優(yōu)勢(shì)減
- 從18厘米到200厘米距離在多個(gè)模塊收發(fā)模式
- BMI323的電流消耗790μA與BMI16
- 彎式接頭彎式插座和直式插座提供共面和背板應(yīng)用
- 硬件和軟件必須順暢協(xié)作才能實(shí)現(xiàn)滿足規(guī)范要求系
- 板卡設(shè)計(jì)中起EMI濾波作用抑制高速信號(hào)線產(chǎn)生
- 穩(wěn)壓電路功能使輸出直流電壓不受電網(wǎng)電壓波動(dòng)和
- 接收信號(hào)時(shí)將空間電磁波轉(zhuǎn)換成電信號(hào)通過(guò)電纜傳
- 在時(shí)脈的驅(qū)動(dòng)下控制部件控制運(yùn)算部件完成所要執(zhí)
- 總線超時(shí)耐壓范圍在-58V--+58V之間支
推薦技術(shù)資料
- 機(jī)器小人車(chē)
- 建余愛(ài)好者制作的機(jī)器入從驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)上大致可以分為兩犬類(lèi)，... [詳細(xì)]
- 1200 V CoolSiC MOSFET
- 高帶寬內(nèi)存（HBM）和芯片間互連（ICI）應(yīng)
- 第七代TPU—Ironwood
- Neuralink新款“心靈感
- IR最新功率MOSFET的30
- 全新第4代SiC MOSFET
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
