N5200作為我們的首款企業(yè)級固態(tài)硬盤，是我們擴(kuò)展存儲產(chǎn)品組合的一個(gè)重要里程碑。

7.5Gbps（千兆字節(jié)每秒）低功耗壓縮附加內(nèi)存模組（LPCAMM）形態(tài)規(guī)格，這有望改變個(gè)人計(jì)算機(jī)和筆記本電腦的 DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器） 市場，甚至改變數(shù)據(jù)中心的DRAM市場。三星的突破性研發(fā)成果已在英特爾平臺上完成了系統(tǒng)驗(yàn)證。

相比之下，雖然So-DIMM 可以更方便地被安裝或拆卸，但在性能、功耗和其他物理特性方面還存在諸多限制。

通過為用戶提供不同的可選開關(guān)點(diǎn)、工作磁極、輸出相位、采樣頻率、輸出接口、封裝形式等關(guān)鍵特性，NSM105x系列可以全面覆蓋各個(gè)應(yīng)用場景下的不同系統(tǒng)需求。

NSM105x系列采用了TO92S與SOT23-3兩種行業(yè)通用封裝，兼容市面主流競品，支持穿孔焊接以及PCB表貼，可實(shí)現(xiàn)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)保持不變的前提下進(jìn)行芯片直接替換。

這種長壽命電池對全球工商業(yè)和住宅儲能系統(tǒng)具有重要價(jià)值，能使工商業(yè)儲能用戶有效實(shí)現(xiàn)光儲同壽，并且由于克服了傳統(tǒng)電池壽命限制，能在VPP模式下為住宅儲能用戶帶來更大收益。

N5200 SSD采用4 通道PCIe和NVMe 1.4接口，連續(xù)數(shù)據(jù)讀取速率高達(dá)7000MB/s，寫入速率高達(dá) 4200MB/s。隨機(jī)讀取和寫入能力分別高達(dá)135萬IOPS 和45萬IOPS。在閃存壽命方面，按標(biāo)準(zhǔn)化工作負(fù)載（JEDEC企業(yè)工作負(fù)載）測量。

此外，N5200還具有糾錯和數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制，支持多達(dá)128個(gè)命名空間，并且具備Swissbit powersafe功能，可在斷電期間提供最高級別的數(shù)據(jù)保護(hù)。

LPDDR的省電特性使其應(yīng)用于服務(wù)器上被廣泛看好，它可以幫助數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)降本增效。

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