電子注入和擴(kuò)散可以通過(guò)控制基區(qū)的電流來(lái)調(diào)節(jié)集電區(qū)的電流
發(fā)布時(shí)間:2024/9/10 23:44:39 訪問(wèn)次數(shù):206
BJT是一種三層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件,由兩個(gè)PN結(jié)連接而成。 它的核心部件是由一塊n型半導(dǎo)體材料和兩塊p型半導(dǎo)體材料組成的三層結(jié)構(gòu),其中中間的n型半導(dǎo)體區(qū)域稱為基區(qū)(Base),兩側(cè)的p型半導(dǎo)體區(qū)域稱為發(fā)射區(qū)(Emitter)和集電區(qū)(Collector)。
當(dāng)發(fā)射極向基極注入電子時(shí),這些電子會(huì)在基區(qū)中擴(kuò)散,并與基區(qū)中的空穴復(fù)合,產(chǎn)生大量的少數(shù)載流子。
當(dāng)控制基區(qū)的電流時(shí),由于基區(qū)帶電荷的變化,它將影響發(fā)射區(qū)中的載流子注入和集電區(qū)中的載流子吸收,從而使集電電流隨之變化。
讀數(shù)時(shí)視線應(yīng)正對(duì)指針,即只能看見指針實(shí)物而不能看見指針在弧形反光鏡中的像所讀出的值。
如果被測(cè)的直流電壓大于1000V時(shí),則可將1000V擋擴(kuò)展為2500V擋。方法很簡(jiǎn)單,將轉(zhuǎn)換開關(guān)置 1000V 量程,紅表筆從原來(lái)的"+"插孔中取出,插入標(biāo)有2500V的插孔中即可測(cè)2500V以下的高電壓。
這些載流子被從基區(qū)的另一端,即集電區(qū)吸收,從而形成集電電流。 由于基區(qū)的厚度很薄,因此它的電阻很小,可以忽略不計(jì)。
TMF8806強(qiáng)化單區(qū)檢測(cè)功能,其標(biāo)準(zhǔn)模式下檢測(cè)范圍可擴(kuò)展至1cm至2.5m,遠(yuǎn)程模式更可達(dá)5m。
BJT的工作原理基于PN結(jié)的電子注入和擴(kuò)散,它可以通過(guò)控制基區(qū)的電流來(lái)調(diào)節(jié)集電區(qū)的電流,從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大和控制。
因此,BJT可以用作放大器和開關(guān)等電路中的控制元件。

西旗科技(銷售二部)https://xiqikeji.51dzw.com
BJT是一種三層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件,由兩個(gè)PN結(jié)連接而成。 它的核心部件是由一塊n型半導(dǎo)體材料和兩塊p型半導(dǎo)體材料組成的三層結(jié)構(gòu),其中中間的n型半導(dǎo)體區(qū)域稱為基區(qū)(Base),兩側(cè)的p型半導(dǎo)體區(qū)域稱為發(fā)射區(qū)(Emitter)和集電區(qū)(Collector)。
當(dāng)發(fā)射極向基極注入電子時(shí),這些電子會(huì)在基區(qū)中擴(kuò)散,并與基區(qū)中的空穴復(fù)合,產(chǎn)生大量的少數(shù)載流子。
當(dāng)控制基區(qū)的電流時(shí),由于基區(qū)帶電荷的變化,它將影響發(fā)射區(qū)中的載流子注入和集電區(qū)中的載流子吸收,從而使集電電流隨之變化。
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如果被測(cè)的直流電壓大于1000V時(shí),則可將1000V擋擴(kuò)展為2500V擋。方法很簡(jiǎn)單,將轉(zhuǎn)換開關(guān)置 1000V 量程,紅表筆從原來(lái)的"+"插孔中取出,插入標(biāo)有2500V的插孔中即可測(cè)2500V以下的高電壓。
這些載流子被從基區(qū)的另一端,即集電區(qū)吸收,從而形成集電電流。 由于基區(qū)的厚度很薄,因此它的電阻很小,可以忽略不計(jì)。
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BJT的工作原理基于PN結(jié)的電子注入和擴(kuò)散,它可以通過(guò)控制基區(qū)的電流來(lái)調(diào)節(jié)集電區(qū)的電流,從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大和控制。
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