尺寸更小，成本和功耗更低的趨勢，在過去受益于硅工藝的快速升級更新，得到了持續(xù)的發(fā)展。但近年來，隨著硅工藝尺寸發(fā)展到單納米水平，摩爾定律的延續(xù)越來越困難。

2D Flip-Chip、2.5D、3D等具有異構集成的先進封裝解決方案將繼續(xù)滿足小型化、高性能、低成本的市場需求，成為延續(xù)摩爾定律的主要方向。但它也提出了新的挑戰(zhàn)，特別是對于系統(tǒng)級的LVS檢查。

由于異構集成封裝結構復雜、規(guī)模龐大，任何一個環(huán)節(jié)的失誤都會產(chǎn)生巨大的影響，因此急需一個完整的解決方案，可以對各類異構集成封裝進行有效的系統(tǒng)級檢查。

現(xiàn)有的光纖傳感器中，將液體泄漏事件轉換為溫度或應變的轉換過程是不具備實時性的，將極大影響系統(tǒng)的實時性能。

一種光纖多源掃描定位的準分布式漏水傳感器，基于光纖側向耦合效應，通過缺陷耦合結構與LED燈帶之間的傳輸介質變化直接反映泄漏事件，具有結構簡單、測量成本低、響應速度快的優(yōu)點。

但受限于光纖側耦合結構造成的損耗以及光源較大的發(fā)散角，使得耦合進光纖的光強太小，需要級聯(lián)中繼來增加測量距離，為獲得更高的分辨率，需要更多的中繼來實現(xiàn)。

LDO結構，使用交叉耦合差分輸入對作為第一級輸入，第二級采用推挽輸出的CLASS-AB運放結構作為EA誤差放大器，并疊加動態(tài)偏置電路，調節(jié)EA內部跟隨負載跳變時所需的偏置電流。

在環(huán)路中，引入限幅電路大幅改善了LDO的瞬態(tài)響應能力和過沖。

通過利用LEO衛(wèi)星的運行特性，即運行速度較快，可在一段時間范圍內觀測大量定位參數(shù)，如到達頻差、信號到達時差、接收信號強度、到達角度等參數(shù)，以確定輻射源及其載體平臺位置。

單一的納米工藝在綜合考慮成本、良率、功耗等因素后，將不再具有競爭優(yōu)勢。

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