DMM6500是6½的DMM，電壓精度為1mV，電流精度為0.5mA，適合用于電芯校準(zhǔn)，此外，還可以選擇電壓精度更高的DMM7510（0.1mV）。

DMM7510型號(hào)是市場(chǎng)上非常精確的7.5位數(shù)字萬(wàn)用表之一。它適用于需要精確和快速測(cè)量的場(chǎng)合，是先進(jìn)科學(xué)和工程應(yīng)用的優(yōu)選。

DMM7510是具有更高的精度和更豐富的功能，專為要求嚴(yán)苛的測(cè)量任務(wù)而設(shè)計(jì)。

DMM7510采用32位A/D轉(zhuǎn)換器，具備極低的噪聲水平和高分辨率，能夠精確測(cè)量從傳感器發(fā)出的微弱電流和電壓信號(hào)，確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性。

配備觸摸屏的圖形用戶界面，使得復(fù)雜數(shù)據(jù)的監(jiān)測(cè)和分析變得直觀簡(jiǎn)便。工程師可以實(shí)時(shí)查看和分析測(cè)量數(shù)據(jù)，快速準(zhǔn)確地進(jìn)行調(diào)整和優(yōu)化。

DMM7510支持廣泛的測(cè)量功能，包括電壓、電流、電阻及更多，適應(yīng)多變的測(cè)試需求。自動(dòng)校準(zhǔn)功能確保長(zhǎng)期使用中的測(cè)量準(zhǔn)確性。

為了充分提高GaN HEMT的低損耗和高速開(kāi)關(guān)性能，使器件應(yīng)用更加穩(wěn)定可靠， 羅姆不僅注重提高GaN HEMT單體的性能，還不斷改進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和控制技術(shù)，讓GaN器件在各種應(yīng)用中進(jìn)一步普及。

例如，用戶可以選擇設(shè)置軸參數(shù)（SAP）以獲得最大電流，從而調(diào)整允許的絕對(duì)電流水平。但是，用戶必須透徹了解他們要通過(guò)此功能修改的參數(shù)，不正確的設(shè)置可能會(huì)導(dǎo)致TMC ROS驅(qū)動(dòng)程序故障。

因此，強(qiáng)烈建議任何配置都通過(guò)TMCL-IDE執(zhí)行。提供了調(diào)用此服務(wù)的示例，展示了使用指令類型208對(duì)DrvStatusFlags進(jìn)行獲取軸參數(shù)（GAP）操作。

將柵極-源極額定電壓從普通GaN產(chǎn)品的6V提高到8V，提升了GaN器件電源電路的設(shè)計(jì)裕度和可靠性。650V耐壓GaN HEMT，至此同時(shí)提供了150V和650V GaN分立式器件。

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