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利用RLDRAM II存儲(chǔ)器提高網(wǎng)絡(luò)設(shè)備性能

發(fā)布時(shí)間:2008/5/27 0:00:00 訪問次數(shù):898

        

    

    

    隨著語音、數(shù)據(jù)、視頻流的逐漸融合,下一代網(wǎng)絡(luò)(ngn)設(shè)計(jì)和新的寬帶平臺(tái)必須能在嚴(yán)格的帶寬和時(shí)延條件下提供更強(qiáng)的系統(tǒng)性能。而rldram ii存儲(chǔ)器采用專門針對(duì)高速運(yùn)算進(jìn)行優(yōu)化的8個(gè)內(nèi)存組(bank)結(jié)構(gòu)和為增加帶寬的雙倍數(shù)據(jù)速率i/o,能有效滿足下一代網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的性能需求。

    如今語音、數(shù)據(jù)和視頻數(shù)據(jù)流的融合無疑給網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)設(shè)計(jì)師帶來了極大的挑戰(zhàn)。隨著今后應(yīng)用要求的不斷提高,下一代網(wǎng)絡(luò)(ngn)設(shè)計(jì)和新的寬帶平臺(tái)必須能在嚴(yán)格的帶寬和時(shí)延條件下提供更強(qiáng)的系統(tǒng)性能。為了滿足設(shè)計(jì)師的要求,一種特別的存儲(chǔ)器技術(shù)——rldram(低延時(shí)dram) ii脫穎而出,已經(jīng)成為適合網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的高性價(jià)比解決方案。

    rldram ii是一種先進(jìn)的存儲(chǔ)器解決方案,采用專門針對(duì)高速運(yùn)算進(jìn)行優(yōu)化的8個(gè)bank結(jié)構(gòu)和為增加帶寬的雙倍數(shù)據(jù)速率i/o。這兩大關(guān)鍵特性為實(shí)現(xiàn)隨機(jī)訪問所需的持續(xù)高帶寬和高數(shù)據(jù)速率提供了很大的靈活性,這也正是實(shí)現(xiàn)復(fù)雜ngn架構(gòu)所需要的。

    rldram ii架構(gòu)

    rldram ii架構(gòu)由8個(gè)專門針對(duì)高速數(shù)據(jù)傳輸優(yōu)化的bank構(gòu)成。與典型的4個(gè)bank的dram架構(gòu)相比,這種8個(gè)bank架構(gòu)的bank尺寸小了許多。減小bank尺寸可以使rldram ii器件獲得較高的峰值帶寬,同時(shí)減少隨機(jī)訪問沖突的可能性。這些器件支持每秒28.8gbps的峰值帶寬,最大時(shí)鐘速度為400mhz。

    

    

    

    圖1:rldram ii模式寄存器位分配圖。

    rldram ii器件分兩種類型,分別是分離i/o(sio)和公共i/o(cio):sio架構(gòu)的地址和數(shù)據(jù)總線是分開的,這種架構(gòu)支持讀和寫周期之間最高的總線周轉(zhuǎn)時(shí)間,因此可以消除總線競爭;cio架構(gòu)提供公共的地址和數(shù)據(jù)總線,這種架構(gòu)被認(rèn)為對(duì)于讀或者寫占總線操作最高百分比的應(yīng)用是最佳配置,cio架構(gòu)還具有高性能存儲(chǔ)器件中可能是最少的管腳數(shù)量。

    總之,sio和cio架構(gòu)都可以提供以下特性和功能,這些特性和功能可以用模式寄存器設(shè)置(mrs)命令進(jìn)行設(shè)置:

    1. 2、4和8可編程突發(fā)長度;

    2. 25?到60?可編程輸出阻抗以匹配hstl或sstl i/o;

    3. 智能片上終結(jié)(odt)功能,可以在高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)中產(chǎn)生更好的信號(hào)完整性;

    4. 片上延時(shí)鎖定環(huán),支持精確的輸出數(shù)據(jù)安排;

    5. 所有速度等級(jí)條件下業(yè)界最快的周期時(shí)間(trc=15ns-20ns);

    6. 完全兼容ieee1149.1 jtag邊界掃描。

    性能和工作模式

    rldram ii技術(shù)可以提供標(biāo)準(zhǔn)dram所沒有的許多獨(dú)特的特性和功能。

    為了保證最優(yōu)的功能,rldram ii存儲(chǔ)器有一個(gè)非常特別的上電和初始化過程。一旦器件加電后,通過訪問mrs并輸入合適的數(shù)據(jù)以控制rldram ii存儲(chǔ)器工作模式,即開始初始化過程。mrs可對(duì)配置、trc、突發(fā)長度、地址復(fù)用、片上dll、i/o阻抗匹配和odt有關(guān)的所有活動(dòng)編程。圖1就是模式寄存器的位分配圖。(注:上電順序和初始化過程用的專門指令可參考rldram ii數(shù)據(jù)手冊(cè)和設(shè)計(jì)指南。)

    

    

    

    圖2:rldram ii性能和總線使用率。

    當(dāng)工作在非復(fù)用模式時(shí),rldram ii器件可以用來支持sram類型的接口。在這種模式下,rldram ii器件還可以在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)接受完整的地址,因此無論突發(fā)長度是多少,都能獲得最高的性能。對(duì)引腳數(shù)量敏感的控制器設(shè)計(jì)還可以使用復(fù)用尋址模式。在復(fù)用地址模式下,地址在兩個(gè)連續(xù)的時(shí)鐘周期內(nèi)提交給rldram ii器件。這樣能減少控制器一端所需的引腳數(shù)量,有效地減少到一半的引腳數(shù)量。復(fù)用尋址模式時(shí)所需的地址和bank信號(hào)都要比ddr和ddr2 sdram器件少,同時(shí)其地址總線仍能兼容這兩種器件。

    除了以上這些特性外,9、18和36位寬數(shù)據(jù)總線可以提供實(shí)現(xiàn)奇偶校驗(yàn)/ecc所需的額外的位,奇偶校驗(yàn)/ecc是網(wǎng)絡(luò)和通信應(yīng)用所要求的。另外,片上dll可以消除時(shí)鐘和數(shù)據(jù)之間存在的較大片上偏移。根據(jù)所設(shè)計(jì)的系統(tǒng)復(fù)雜性不同,jtag測試功能可能變得非常重要。rldrm ii存儲(chǔ)器提供按照ieee1149.1-2001標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)行的串行邊界掃描測試訪問端口(tap)、指令寄存器、邊界掃描寄存器、旁路寄存器和id寄

        

    

    

    隨著語音、數(shù)據(jù)、視頻流的逐漸融合,下一代網(wǎng)絡(luò)(ngn)設(shè)計(jì)和新的寬帶平臺(tái)必須能在嚴(yán)格的帶寬和時(shí)延條件下提供更強(qiáng)的系統(tǒng)性能。而rldram ii存儲(chǔ)器采用專門針對(duì)高速運(yùn)算進(jìn)行優(yōu)化的8個(gè)內(nèi)存組(bank)結(jié)構(gòu)和為增加帶寬的雙倍數(shù)據(jù)速率i/o,能有效滿足下一代網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的性能需求。

    如今語音、數(shù)據(jù)和視頻數(shù)據(jù)流的融合無疑給網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)設(shè)計(jì)師帶來了極大的挑戰(zhàn)。隨著今后應(yīng)用要求的不斷提高,下一代網(wǎng)絡(luò)(ngn)設(shè)計(jì)和新的寬帶平臺(tái)必須能在嚴(yán)格的帶寬和時(shí)延條件下提供更強(qiáng)的系統(tǒng)性能。為了滿足設(shè)計(jì)師的要求,一種特別的存儲(chǔ)器技術(shù)——rldram(低延時(shí)dram) ii脫穎而出,已經(jīng)成為適合網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的高性價(jià)比解決方案。

    rldram ii是一種先進(jìn)的存儲(chǔ)器解決方案,采用專門針對(duì)高速運(yùn)算進(jìn)行優(yōu)化的8個(gè)bank結(jié)構(gòu)和為增加帶寬的雙倍數(shù)據(jù)速率i/o。這兩大關(guān)鍵特性為實(shí)現(xiàn)隨機(jī)訪問所需的持續(xù)高帶寬和高數(shù)據(jù)速率提供了很大的靈活性,這也正是實(shí)現(xiàn)復(fù)雜ngn架構(gòu)所需要的。

    rldram ii架構(gòu)

    rldram ii架構(gòu)由8個(gè)專門針對(duì)高速數(shù)據(jù)傳輸優(yōu)化的bank構(gòu)成。與典型的4個(gè)bank的dram架構(gòu)相比,這種8個(gè)bank架構(gòu)的bank尺寸小了許多。減小bank尺寸可以使rldram ii器件獲得較高的峰值帶寬,同時(shí)減少隨機(jī)訪問沖突的可能性。這些器件支持每秒28.8gbps的峰值帶寬,最大時(shí)鐘速度為400mhz。

    

    

    

    圖1:rldram ii模式寄存器位分配圖。

    rldram ii器件分兩種類型,分別是分離i/o(sio)和公共i/o(cio):sio架構(gòu)的地址和數(shù)據(jù)總線是分開的,這種架構(gòu)支持讀和寫周期之間最高的總線周轉(zhuǎn)時(shí)間,因此可以消除總線競爭;cio架構(gòu)提供公共的地址和數(shù)據(jù)總線,這種架構(gòu)被認(rèn)為對(duì)于讀或者寫占總線操作最高百分比的應(yīng)用是最佳配置,cio架構(gòu)還具有高性能存儲(chǔ)器件中可能是最少的管腳數(shù)量。

    總之,sio和cio架構(gòu)都可以提供以下特性和功能,這些特性和功能可以用模式寄存器設(shè)置(mrs)命令進(jìn)行設(shè)置:

    1. 2、4和8可編程突發(fā)長度;

    2. 25?到60?可編程輸出阻抗以匹配hstl或sstl i/o;

    3. 智能片上終結(jié)(odt)功能,可以在高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)中產(chǎn)生更好的信號(hào)完整性;

    4. 片上延時(shí)鎖定環(huán),支持精確的輸出數(shù)據(jù)安排;

    5. 所有速度等級(jí)條件下業(yè)界最快的周期時(shí)間(trc=15ns-20ns);

    6. 完全兼容ieee1149.1 jtag邊界掃描。

    性能和工作模式

    rldram ii技術(shù)可以提供標(biāo)準(zhǔn)dram所沒有的許多獨(dú)特的特性和功能。

    為了保證最優(yōu)的功能,rldram ii存儲(chǔ)器有一個(gè)非常特別的上電和初始化過程。一旦器件加電后,通過訪問mrs并輸入合適的數(shù)據(jù)以控制rldram ii存儲(chǔ)器工作模式,即開始初始化過程。mrs可對(duì)配置、trc、突發(fā)長度、地址復(fù)用、片上dll、i/o阻抗匹配和odt有關(guān)的所有活動(dòng)編程。圖1就是模式寄存器的位分配圖。(注:上電順序和初始化過程用的專門指令可參考rldram ii數(shù)據(jù)手冊(cè)和設(shè)計(jì)指南。)

    

    

    

    圖2:rldram ii性能和總線使用率。

    當(dāng)工作在非復(fù)用模式時(shí),rldram ii器件可以用來支持sram類型的接口。在這種模式下,rldram ii器件還可以在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)接受完整的地址,因此無論突發(fā)長度是多少,都能獲得最高的性能。對(duì)引腳數(shù)量敏感的控制器設(shè)計(jì)還可以使用復(fù)用尋址模式。在復(fù)用地址模式下,地址在兩個(gè)連續(xù)的時(shí)鐘周期內(nèi)提交給rldram ii器件。這樣能減少控制器一端所需的引腳數(shù)量,有效地減少到一半的引腳數(shù)量。復(fù)用尋址模式時(shí)所需的地址和bank信號(hào)都要比ddr和ddr2 sdram器件少,同時(shí)其地址總線仍能兼容這兩種器件。

    除了以上這些特性外,9、18和36位寬數(shù)據(jù)總線可以提供實(shí)現(xiàn)奇偶校驗(yàn)/ecc所需的額外的位,奇偶校驗(yàn)/ecc是網(wǎng)絡(luò)和通信應(yīng)用所要求的。另外,片上dll可以消除時(shí)鐘和數(shù)據(jù)之間存在的較大片上偏移。根據(jù)所設(shè)計(jì)的系統(tǒng)復(fù)雜性不同,jtag測試功能可能變得非常重要。rldrm ii存儲(chǔ)器提供按照ieee1149.1-2001標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)行的串行邊界掃描測試訪問端口(tap)、指令寄存器、邊界掃描寄存器、旁路寄存器和id寄

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