記憶體的分類

    只讀存儲(chǔ)器ROM (Read Only Memory)：

    ROM是一種只能讀取而不能寫入資料之記燱體，因?yàn)檫@個(gè)特所以最常見的就是主機(jī)板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統(tǒng)Basic Input/Output System)因?yàn)锽ISO是計(jì)算機(jī)開機(jī)必備的基本硬件設(shè)定用來與外圍做為低階通信接口，所以BISO之程序燒錄于ROM中以避免隨意被清除資料。

　　EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) ：

　　為一種將資料寫入后即使在電源關(guān)閉的情況下，也可以保留一段相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間，且寫入資料時(shí)不需要另外提高電壓，只要寫入某一些句柄，就可以把資料寫入內(nèi)存中了。

　　EPROM (Erasable Programmable ROM)：

　　為一種可以透過紫外線的照射將其內(nèi)部的資料清除掉之后，再用燒錄器之類的設(shè)備將資料燒錄進(jìn)EPROM內(nèi)，優(yōu)點(diǎn)為可以重復(fù)的燒錄資料。

　　程序規(guī)畫的只讀存儲(chǔ)器 (PROM)：

　　是一種可存程序的內(nèi)存，因?yàn)橹荒軐懸淮钨Y料，所以它一旦被寫入資料若有錯(cuò)誤，是無法改變的且無法再存其它資料，所以只要寫錯(cuò)資料這顆內(nèi)存就無法回收重新使用。

　　MASK ROM：

　　是制造商為了要大量生產(chǎn)，事先制作一顆有原始數(shù)據(jù)的ROM或EPROM當(dāng)作樣本，然后再大量生產(chǎn)與樣本一樣的 ROM，這一種做為大量生產(chǎn)的ROM樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中的資料永遠(yuǎn)無法做修改。

　　隨機(jī)存取內(nèi)存RAM ( Random Access Memory)：

　　RAM是可被讀取和寫入的內(nèi)存，我們?cè)趯戀Y料到RAM內(nèi)存時(shí)也同時(shí)可從RAM讀取資料，這和ROM內(nèi)存有所不同。但是RAM必須由穩(wěn)定流暢的電力來保持它本身的穩(wěn)定性，所以一旦把電源關(guān)閉則原先在RAM里頭的資料將隨之消失。

　　動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)：

　　DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的縮寫，通常是計(jì)算機(jī)內(nèi)的主存儲(chǔ)器，它是而用電容來做儲(chǔ)存動(dòng)作，但因電容本身有漏電問題，所以內(nèi)存內(nèi)的資料須持續(xù)地存取不然資料會(huì)不見。

　　FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)：

　　是改良的DRAM，大多數(shù)為72IPN或30PIN的模塊，F(xiàn)PM 將內(nèi)存內(nèi)部隔成許多頁數(shù)Pages，從512 bite 到數(shù) Kilobytes 不等，它特色是不需等到重新讀取時(shí)，就可讀取各page內(nèi)的資料。

　　EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：

　　EDO的存取速度比傳統(tǒng)DRAM快10%左右，比FPM快12到30倍一般為72PIN、168PIN的模塊。

　　SDRAM：

　　Synchronous DRAM 是一種新的DRAM架構(gòu)的技術(shù)；它運(yùn)用芯片內(nèi)的clock使輸入及輸出能同步進(jìn)行。所謂clock同步是指內(nèi)存時(shí)脈與CPU的時(shí)脈能同步存取資料。SDRAM節(jié)省執(zhí)行指令及數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r(shí)間，故可提升計(jì)算機(jī)效率。

　　DDR：

　　DDR 是一種更高速的同步內(nèi)存，DDR SDRAM為168PIN的DIMM模塊，它比SDRAM的傳輸速率更快， DDR的設(shè)計(jì)是應(yīng)用在服務(wù)器、工作站及數(shù)據(jù)傳輸?shù)容^高速需求之系統(tǒng)。

　　DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM)：

　　DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯(lián)盟于1999年解散后將既有的研發(fā)成果與DDR整合之后的未來新標(biāo)準(zhǔn)。DDRII的詳細(xì)規(guī)格目前尚未確定。

　　DRDRAM (Direct Rambus DRAM)：

　　是下一代的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)之一，由Rambus 公司所設(shè)計(jì)發(fā)展出來，是將所有的接腳都連結(jié)到一個(gè)共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。

　　RDRAM (Rambus DRAM)：

　　是由Rambus公司獨(dú)立設(shè)計(jì)完成，它的速度約一般DRAM的10倍以上，雖有這樣強(qiáng)的效能，但使用后內(nèi)存控制器需要相當(dāng)大的改變，所以目前這一類的內(nèi)存大多使用在游戲機(jī)器或者專業(yè)的圖形加速適配卡上。

　　VRAM (Video RAM)：

　　與DRAM最大的不同在于其有兩組輸出及輸入口，所以可以同時(shí)一邊讀入，一邊輸出資料。

　　WRAM (Window RAM)：

　　屬于VRAM的改良版，其不同之處在于其控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，并采用EDO的資料存取模式。

　　MDRAM (Multi-Bank RAM)：

　　MIDRAM 的內(nèi)部分成數(shù)個(gè)各別不同的小儲(chǔ)存庫(kù) (BANK)，也就是數(shù)個(gè)屬立的小單位矩陣所構(gòu)成。每個(gè)儲(chǔ)存庫(kù)之間以高于外部的資料速度相互連接，其應(yīng)用于高速顯示卡或加速卡中。

　　靜態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存 SRAM (Static Random Access Memory)：

　　SRAM 是Static Random Access Memory 的縮寫，通常比一般的動(dòng)態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定。所謂靜態(tài)的意義是指內(nèi)存資料可以常駐而不須隨時(shí)存取。因?yàn)榇朔N特性，靜態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存通常被用來做高速緩存。

　　Async SRAM：

　　為異步 SRAM這是一種較為舊型的SRAM，通常被用于計(jì)算機(jī)上的 Level 2 Cache上，它在運(yùn)作時(shí)獨(dú)立于計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)時(shí)脈外。

　　Sync SRAM：

　　為同步SRAM，它的工作時(shí)脈與系統(tǒng)是