基于IDE硬盤的高速數(shù)據(jù)存儲器研究
發(fā)布時間:2007/9/11 0:00:00 訪問次數(shù):549
摘 要: 介紹了利用MCS-51系列單片機控制IDE硬盤進行讀、寫操作,實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)的無丟失存儲。
關(guān)鍵詞: 數(shù)據(jù)存儲 IDE接口 PIO傳輸模式
隨著遙測技術(shù)的發(fā)展,被測參數(shù)迅速增加,數(shù)據(jù)傳輸速率越來越高,對系統(tǒng)的存儲容量、體積、造價、穩(wěn)定性等都提出了更高要求。為了實現(xiàn)較高的傳輸速率和較大的數(shù)據(jù)量,往往采用多處理機并行處理、傳輸和并行記錄技術(shù)。但這類系統(tǒng)對工作環(huán)境要求較高,加之體積大、占用系統(tǒng)機時等缺點,很難適用于受空間限制的特殊環(huán)境。因此,研制性能可靠、體積小、造價低的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)是十分必要的。近年來作為數(shù)據(jù)存儲媒介的硬盤,以其容量大、接口智能化程度高、控制方便越來越受到人們的重視。充分發(fā)揮硬盤的優(yōu)勢,脫離系統(tǒng)主機,可為用戶開發(fā)速度高、存儲量大、性能可靠的遙測數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)。
基于上述原因,本文提出了采用單片機控制硬盤對遙測數(shù)據(jù)進行實時存儲的方案,對數(shù)千秒遙測數(shù)據(jù)進行實時無丟失存儲,其最大優(yōu)點是不占用系統(tǒng)機時。本系統(tǒng)的特點:
·采用PIO模式進行塊操作的寫盤方法,從而大大提高了硬盤的寫盤速度;
·以單片機為核心,采用I/O口與緩沖存儲器之間進行高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆桨,解決了高速遙測數(shù)據(jù)、CPU和硬盤三者工作速度不一致的矛盾;
·采用EPLD器件對部分電路進行集成,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性,具有較好的通用性,可滿足多種場合的需要而無需改動任何硬件。
1 系統(tǒng)的硬件介紹
系統(tǒng)分為遙測數(shù)據(jù)采集和存儲兩部分,采集部分包括采集控制和串/并轉(zhuǎn)換電路;存儲部分有:幀計數(shù)、讀寫緩沖地址產(chǎn)生電路、讀寫控制電路及主存儲電路。結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。
由于硬盤的工作時序與遙測數(shù)據(jù)的速率不匹配,從數(shù)據(jù)采集部分得到的并行數(shù)據(jù)需采用SRAM作數(shù)據(jù)緩存,然后在單片機的控制下,將SRAM中的數(shù)據(jù)直接存入硬盤。而硬盤的尋道時間相對于遙測數(shù)據(jù)的速率來講比較慢,因此采用適當(dāng)?shù)膶懕P方法,提高硬盤的讀寫速度是本系統(tǒng)的重點之一。其難點在于如何利用單片機控制硬盤進行讀寫、復(fù)位、檢測等操作。
1.1 雙片交替式緩沖存儲器
由于時序不匹配,遙測數(shù)據(jù)無法直接存入硬盤,因此需要一個緩沖存儲器進行匹配或緩沖,使遙測數(shù)據(jù)和硬盤存儲可以分別按各自不同的時序和速度對緩沖存儲器SRAM進行操作,解決了不同時序的匹配問題。因此采用緩沖存儲方法,將遙測數(shù)據(jù)存滿一定容量的SRAM,再對其進行塊操作存儲,可極大地提高存儲的速度。為了實現(xiàn)遙測數(shù)據(jù)無丟失存儲,緩沖存儲器采用雙片交替式,即兩片SRAM分別交替地被寫入遙測數(shù)據(jù)。首先在地址產(chǎn)生電路控制下將遙測數(shù)據(jù)寫入其中一片SRAM,寫滿后發(fā)出溢出中斷,并且封閉地址產(chǎn)生電路及遙測數(shù)據(jù)的通路而接通硬盤地址和數(shù)據(jù)通路,等待CPU響應(yīng)中斷后,讀取數(shù)據(jù)存入硬盤。與此同時,另一片SRAM的地址和數(shù)據(jù)端馬上被接通到地址產(chǎn)生電路和遙測數(shù)據(jù)通路上,接受遙測數(shù)據(jù)的寫入。同樣寫滿后發(fā)出中斷,切換至被讀取狀態(tài)。兩片SRAM如此交替地工作,連續(xù)不斷地將遙測數(shù)據(jù)緩存、寫盤,只要寫盤所用的時間不大于遙測數(shù)據(jù)寫滿SRAM的時間,數(shù)據(jù)就會無丟失地全部存儲。
1.2 采用MCS-51系列單片機驅(qū)動硬盤的方案
由于目前還沒有為單片機設(shè)計的專用硬盤驅(qū)動器及接口電路,利用單片機系統(tǒng)控制現(xiàn)有的硬盤驅(qū)動器,可極大地提高系統(tǒng)的性能價格比。因此,本系統(tǒng)采用單片機控制硬盤進行高速數(shù)據(jù)的存儲。
IDE接口的硬盤驅(qū)動器提供了兩種數(shù)據(jù)傳輸模式:DMA模式和PIO模式。由于PIO模式控制相對容易,提供了一種編程控制輸入輸出的快速傳輸方法。該模式采用了高速的數(shù)據(jù)塊I/O,以扇區(qū)為單位,用中斷請求方式與處理機進行批量數(shù)據(jù)交換。在扇區(qū)讀寫操作時,一次按16位長度通過內(nèi)部的高速PIO數(shù)據(jù)寄存器實現(xiàn)傳輸。通常情況下,數(shù)據(jù)傳輸以扇區(qū)為單位,每傳輸一扇區(qū)數(shù)據(jù)產(chǎn)生一個中斷。在塊模式下以塊為單位,在讀寫一個塊期間,硬盤驅(qū)動器不產(chǎn)生中斷,這樣就大大地節(jié)省了時間。由于本系統(tǒng)遙測數(shù)據(jù)的碼速率提高到8Mb/s,對硬盤的寫盤速度要求非常高,因此本系統(tǒng)采用了塊傳輸模式以提高硬盤的讀寫速度。硬
摘 要: 介紹了利用MCS-51系列單片機控制IDE硬盤進行讀、寫操作,實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)的無丟失存儲。
關(guān)鍵詞: 數(shù)據(jù)存儲 IDE接口 PIO傳輸模式
隨著遙測技術(shù)的發(fā)展,被測參數(shù)迅速增加,數(shù)據(jù)傳輸速率越來越高,對系統(tǒng)的存儲容量、體積、造價、穩(wěn)定性等都提出了更高要求。為了實現(xiàn)較高的傳輸速率和較大的數(shù)據(jù)量,往往采用多處理機并行處理、傳輸和并行記錄技術(shù)。但這類系統(tǒng)對工作環(huán)境要求較高,加之體積大、占用系統(tǒng)機時等缺點,很難適用于受空間限制的特殊環(huán)境。因此,研制性能可靠、體積小、造價低的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)是十分必要的。近年來作為數(shù)據(jù)存儲媒介的硬盤,以其容量大、接口智能化程度高、控制方便越來越受到人們的重視。充分發(fā)揮硬盤的優(yōu)勢,脫離系統(tǒng)主機,可為用戶開發(fā)速度高、存儲量大、性能可靠的遙測數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)。
基于上述原因,本文提出了采用單片機控制硬盤對遙測數(shù)據(jù)進行實時存儲的方案,對數(shù)千秒遙測數(shù)據(jù)進行實時無丟失存儲,其最大優(yōu)點是不占用系統(tǒng)機時。本系統(tǒng)的特點:
·采用PIO模式進行塊操作的寫盤方法,從而大大提高了硬盤的寫盤速度;
·以單片機為核心,采用I/O口與緩沖存儲器之間進行高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆桨,解決了高速遙測數(shù)據(jù)、CPU和硬盤三者工作速度不一致的矛盾;
·采用EPLD器件對部分電路進行集成,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性,具有較好的通用性,可滿足多種場合的需要而無需改動任何硬件。
1 系統(tǒng)的硬件介紹
系統(tǒng)分為遙測數(shù)據(jù)采集和存儲兩部分,采集部分包括采集控制和串/并轉(zhuǎn)換電路;存儲部分有:幀計數(shù)、讀寫緩沖地址產(chǎn)生電路、讀寫控制電路及主存儲電路。結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。
由于硬盤的工作時序與遙測數(shù)據(jù)的速率不匹配,從數(shù)據(jù)采集部分得到的并行數(shù)據(jù)需采用SRAM作數(shù)據(jù)緩存,然后在單片機的控制下,將SRAM中的數(shù)據(jù)直接存入硬盤。而硬盤的尋道時間相對于遙測數(shù)據(jù)的速率來講比較慢,因此采用適當(dāng)?shù)膶懕P方法,提高硬盤的讀寫速度是本系統(tǒng)的重點之一。其難點在于如何利用單片機控制硬盤進行讀寫、復(fù)位、檢測等操作。
1.1 雙片交替式緩沖存儲器
由于時序不匹配,遙測數(shù)據(jù)無法直接存入硬盤,因此需要一個緩沖存儲器進行匹配或緩沖,使遙測數(shù)據(jù)和硬盤存儲可以分別按各自不同的時序和速度對緩沖存儲器SRAM進行操作,解決了不同時序的匹配問題。因此采用緩沖存儲方法,將遙測數(shù)據(jù)存滿一定容量的SRAM,再對其進行塊操作存儲,可極大地提高存儲的速度。為了實現(xiàn)遙測數(shù)據(jù)無丟失存儲,緩沖存儲器采用雙片交替式,即兩片SRAM分別交替地被寫入遙測數(shù)據(jù)。首先在地址產(chǎn)生電路控制下將遙測數(shù)據(jù)寫入其中一片SRAM,寫滿后發(fā)出溢出中斷,并且封閉地址產(chǎn)生電路及遙測數(shù)據(jù)的通路而接通硬盤地址和數(shù)據(jù)通路,等待CPU響應(yīng)中斷后,讀取數(shù)據(jù)存入硬盤。與此同時,另一片SRAM的地址和數(shù)據(jù)端馬上被接通到地址產(chǎn)生電路和遙測數(shù)據(jù)通路上,接受遙測數(shù)據(jù)的寫入。同樣寫滿后發(fā)出中斷,切換至被讀取狀態(tài)。兩片SRAM如此交替地工作,連續(xù)不斷地將遙測數(shù)據(jù)緩存、寫盤,只要寫盤所用的時間不大于遙測數(shù)據(jù)寫滿SRAM的時間,數(shù)據(jù)就會無丟失地全部存儲。
1.2 采用MCS-51系列單片機驅(qū)動硬盤的方案
由于目前還沒有為單片機設(shè)計的專用硬盤驅(qū)動器及接口電路,利用單片機系統(tǒng)控制現(xiàn)有的硬盤驅(qū)動器,可極大地提高系統(tǒng)的性能價格比。因此,本系統(tǒng)采用單片機控制硬盤進行高速數(shù)據(jù)的存儲。
IDE接口的硬盤驅(qū)動器提供了兩種數(shù)據(jù)傳輸模式:DMA模式和PIO模式。由于PIO模式控制相對容易,提供了一種編程控制輸入輸出的快速傳輸方法。該模式采用了高速的數(shù)據(jù)塊I/O,以扇區(qū)為單位,用中斷請求方式與處理機進行批量數(shù)據(jù)交換。在扇區(qū)讀寫操作時,一次按16位長度通過內(nèi)部的高速PIO數(shù)據(jù)寄存器實現(xiàn)傳輸。通常情況下,數(shù)據(jù)傳輸以扇區(qū)為單位,每傳輸一扇區(qū)數(shù)據(jù)產(chǎn)生一個中斷。在塊模式下以塊為單位,在讀寫一個塊期間,硬盤驅(qū)動器不產(chǎn)生中斷,這樣就大大地節(jié)省了時間。由于本系統(tǒng)遙測數(shù)據(jù)的碼速率提高到8Mb/s,對硬盤的寫盤速度要求非常高,因此本系統(tǒng)采用了塊傳輸模式以提高硬盤的讀寫速度。硬
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