Intel Strata系列閉速存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2008/5/27 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):612
intel strata系列閉速存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用 摘要:intel公司推出了strata系列閉速存儲(chǔ)器,該存儲(chǔ)器單片容量大,可按字節(jié)/字模式或不超過(guò)32字節(jié)的緩沖模式編程,并可實(shí)現(xiàn)塊擦除過(guò)程的掛起和喚醒。在實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)緩沖系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用前景。本文以64m位的28f640j5為例介紹其功能特點(diǎn),并結(jié)合at89c52單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)給出了具體的應(yīng)用編程。 關(guān)鍵詞:閃速存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)塊 掛起 喚醒 完全狀態(tài)檢查 28f640j5 1 前言 閃速存儲(chǔ)器以其容量大、現(xiàn)場(chǎng)可編程、系統(tǒng)斷電后仍能可靠地保存數(shù)據(jù)和性價(jià)比高等諸多優(yōu)點(diǎn)而在實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)緩沖及處理系統(tǒng)中顯現(xiàn)出良好的應(yīng)用前景。但從目前來(lái)看,一般閃速存儲(chǔ)器(如atmael公司的29c040a)的容量最多只能達(dá)到4m位,且大都采用扇區(qū)編程模式。由于扇區(qū)尺寸較大而且固定(如256字節(jié)),因此,一般應(yīng)用中需擴(kuò)展單獨(dú)的ram芯片作編程緩存區(qū),這樣,將需要占用系統(tǒng)地址空間,并增加系統(tǒng)成本[1]。 intel公司推出的strata系列閃速存儲(chǔ)器28f640的單片容量可達(dá)64m位(8m字節(jié)),能按字節(jié)/字模式或不超過(guò)32字節(jié)的緩沖模式進(jìn)行編程,可對(duì)操作結(jié)果進(jìn)行完全狀態(tài)檢查,并可實(shí)現(xiàn)擦除過(guò)程的掛起和喚醒等一系列獨(dú)特的功能,28f640的推出為進(jìn)一步提高應(yīng)用系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性并降低系統(tǒng)成本提供了可能。 本文以28f640j5為例,重點(diǎn)介紹了strata系列閃速存儲(chǔ)器的功能特點(diǎn),對(duì)28f640j5和atmael公司的29c040a的主要不同點(diǎn)作了總結(jié)性比較,并結(jié)合28f640j5在程控交換機(jī)呼叫信息多任務(wù)實(shí)時(shí)緩沖系統(tǒng)中的應(yīng)用,給出了具體的應(yīng)用編程技巧。 2 28f640j5的引腳配置及功能特點(diǎn) 圖1所示為56腳ssop封裝的28f640j5邏輯引腳配置。28f640j5的主要功能特點(diǎn)為: ●a0~a22共23根地址線允許訪問(wèn)的地址空間達(dá)8m字節(jié),是目前單片容量最大的閃速存儲(chǔ)器芯片之一。64m位容量的存儲(chǔ)單元被劃為固定的64個(gè)大小為128k字節(jié)、可獨(dú)立進(jìn)行擦除的存儲(chǔ)塊,單個(gè)存儲(chǔ)塊的典型擦除時(shí)間為1秒,不支持整片擦除操作。 ●讀寫可配置為按字節(jié)(byye#輸入為低,使用dq0~dq7)或按字(byte#輸入為高,內(nèi)部關(guān)閉a0輸入緩沖器,使用dq0~dq15)進(jìn)行,可以方便地應(yīng)用于8位或16位系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 ●采用多級(jí)訪問(wèn)片選(ce0、ce1、ce2)控制機(jī)制,配合rp#及讀/寫允許oe#/we#控制,可為多片存儲(chǔ)器應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)提供很大的靈活性。 ●配置了絕對(duì)保護(hù)接地引腳vpen。vpen接地可以避免對(duì)存儲(chǔ)塊的擦除、編程和加解鎖操作,因而增強(qiáng)了數(shù)據(jù)的安全性。 ●配置了復(fù)位/掉電引腳rp#。當(dāng)rp#為低時(shí),將禁止寫操作,這一方面是為防止電源波動(dòng)破壞數(shù)據(jù),另一方面,使用中動(dòng)態(tài)地拉低rp#可以實(shí)現(xiàn)芯片在無(wú)操作期間進(jìn)入掉電模式,從而達(dá)到降低系統(tǒng)功耗的目的。rp#由低高高可使芯片復(fù)位,從而自動(dòng)進(jìn)入讀陣列模式。而rp#與器件加鎖、塊加鎖命令相配合還可使器件具備靈活安全的軟硬件數(shù)據(jù)保護(hù)功能。 ●支持intel基本命令集、閃速存儲(chǔ)器一般操作命令集和可擴(kuò)展的命令集,操作規(guī)范、安全、方便。通過(guò)向strata系列閃速存儲(chǔ)器的命令用戶接口(cui)寫入不同的命令可實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器相應(yīng)的操作。 ●支持字節(jié)/字模式或按1~32字節(jié)的緩沖模式編程,因而在應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)中一般無(wú)需外擴(kuò)編程緩存ram芯片。典型編程時(shí)間小于200μs。如果起始地址與寫緩沖區(qū)的邊界對(duì)齊(起始地址的低五位a4~a0=00000b),便可獲得最大的編程性能和較低的編程功耗。 ●支持存儲(chǔ)塊擦除過(guò)程的掛起和喚醒,使讀取或者編程其它存儲(chǔ)塊的擔(dān)任可在某存儲(chǔ)塊擦除的過(guò)程中插入進(jìn)行,從而提高了系統(tǒng)數(shù)據(jù)緩存和處理的實(shí)時(shí)性能。 ●支持對(duì)編程、擦除、加鎖及解鎖操作結(jié)果的完全狀態(tài)檢查,可以及時(shí)發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤并確定錯(cuò)誤類型。 表1總結(jié)了intel公司28f640j5
intel strata系列閉速存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用 摘要:intel公司推出了strata系列閉速存儲(chǔ)器,該存儲(chǔ)器單片容量大,可按字節(jié)/字模式或不超過(guò)32字節(jié)的緩沖模式編程,并可實(shí)現(xiàn)塊擦除過(guò)程的掛起和喚醒。在實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)緩沖系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用前景。本文以64m位的28f640j5為例介紹其功能特點(diǎn),并結(jié)合at89c52單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)給出了具體的應(yīng)用編程。 關(guān)鍵詞:閃速存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)塊 掛起 喚醒 完全狀態(tài)檢查 28f640j5 1 前言 閃速存儲(chǔ)器以其容量大、現(xiàn)場(chǎng)可編程、系統(tǒng)斷電后仍能可靠地保存數(shù)據(jù)和性價(jià)比高等諸多優(yōu)點(diǎn)而在實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)緩沖及處理系統(tǒng)中顯現(xiàn)出良好的應(yīng)用前景。但從目前來(lái)看,一般閃速存儲(chǔ)器(如atmael公司的29c040a)的容量最多只能達(dá)到4m位,且大都采用扇區(qū)編程模式。由于扇區(qū)尺寸較大而且固定(如256字節(jié)),因此,一般應(yīng)用中需擴(kuò)展單獨(dú)的ram芯片作編程緩存區(qū),這樣,將需要占用系統(tǒng)地址空間,并增加系統(tǒng)成本[1]。 intel公司推出的strata系列閃速存儲(chǔ)器28f640的單片容量可達(dá)64m位(8m字節(jié)),能按字節(jié)/字模式或不超過(guò)32字節(jié)的緩沖模式進(jìn)行編程,可對(duì)操作結(jié)果進(jìn)行完全狀態(tài)檢查,并可實(shí)現(xiàn)擦除過(guò)程的掛起和喚醒等一系列獨(dú)特的功能,28f640的推出為進(jìn)一步提高應(yīng)用系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性并降低系統(tǒng)成本提供了可能。 本文以28f640j5為例,重點(diǎn)介紹了strata系列閃速存儲(chǔ)器的功能特點(diǎn),對(duì)28f640j5和atmael公司的29c040a的主要不同點(diǎn)作了總結(jié)性比較,并結(jié)合28f640j5在程控交換機(jī)呼叫信息多任務(wù)實(shí)時(shí)緩沖系統(tǒng)中的應(yīng)用,給出了具體的應(yīng)用編程技巧。 2 28f640j5的引腳配置及功能特點(diǎn) 圖1所示為56腳ssop封裝的28f640j5邏輯引腳配置。28f640j5的主要功能特點(diǎn)為: ●a0~a22共23根地址線允許訪問(wèn)的地址空間達(dá)8m字節(jié),是目前單片容量最大的閃速存儲(chǔ)器芯片之一。64m位容量的存儲(chǔ)單元被劃為固定的64個(gè)大小為128k字節(jié)、可獨(dú)立進(jìn)行擦除的存儲(chǔ)塊,單個(gè)存儲(chǔ)塊的典型擦除時(shí)間為1秒,不支持整片擦除操作。 ●讀寫可配置為按字節(jié)(byye#輸入為低,使用dq0~dq7)或按字(byte#輸入為高,內(nèi)部關(guān)閉a0輸入緩沖器,使用dq0~dq15)進(jìn)行,可以方便地應(yīng)用于8位或16位系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 ●采用多級(jí)訪問(wèn)片選(ce0、ce1、ce2)控制機(jī)制,配合rp#及讀/寫允許oe#/we#控制,可為多片存儲(chǔ)器應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)提供很大的靈活性。 ●配置了絕對(duì)保護(hù)接地引腳vpen。vpen接地可以避免對(duì)存儲(chǔ)塊的擦除、編程和加解鎖操作,因而增強(qiáng)了數(shù)據(jù)的安全性。 ●配置了復(fù)位/掉電引腳rp#。當(dāng)rp#為低時(shí),將禁止寫操作,這一方面是為防止電源波動(dòng)破壞數(shù)據(jù),另一方面,使用中動(dòng)態(tài)地拉低rp#可以實(shí)現(xiàn)芯片在無(wú)操作期間進(jìn)入掉電模式,從而達(dá)到降低系統(tǒng)功耗的目的。rp#由低高高可使芯片復(fù)位,從而自動(dòng)進(jìn)入讀陣列模式。而rp#與器件加鎖、塊加鎖命令相配合還可使器件具備靈活安全的軟硬件數(shù)據(jù)保護(hù)功能。 ●支持intel基本命令集、閃速存儲(chǔ)器一般操作命令集和可擴(kuò)展的命令集,操作規(guī)范、安全、方便。通過(guò)向strata系列閃速存儲(chǔ)器的命令用戶接口(cui)寫入不同的命令可實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器相應(yīng)的操作。 ●支持字節(jié)/字模式或按1~32字節(jié)的緩沖模式編程,因而在應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)中一般無(wú)需外擴(kuò)編程緩存ram芯片。典型編程時(shí)間小于200μs。如果起始地址與寫緩沖區(qū)的邊界對(duì)齊(起始地址的低五位a4~a0=00000b),便可獲得最大的編程性能和較低的編程功耗。 ●支持存儲(chǔ)塊擦除過(guò)程的掛起和喚醒,使讀取或者編程其它存儲(chǔ)塊的擔(dān)任可在某存儲(chǔ)塊擦除的過(guò)程中插入進(jìn)行,從而提高了系統(tǒng)數(shù)據(jù)緩存和處理的實(shí)時(shí)性能。 ●支持對(duì)編程、擦除、加鎖及解鎖操作結(jié)果的完全狀態(tài)檢查,可以及時(shí)發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤并確定錯(cuò)誤類型。 表1總結(jié)了intel公司28f640j5
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