采用確好芯片開發(fā)MCP閃存系統(tǒng)
發(fā)布時間:2008/5/27 0:00:00 訪問次數(shù):479
    
    
     采用需要認(rèn)真規(guī)劃的確好管芯來開發(fā)一個可靠、低成本的存儲器子系統(tǒng)! ∽罱谑謾C存儲器系統(tǒng)開發(fā)者中產(chǎn)生了一個增長的趨勢,他們把管芯垂直堆疊在一個封裝外殼里——通常稱為mcp(multi-chip packaging,多芯片封裝),設(shè)計者采用此方法去節(jié)約小巧的印刷電路板空間,這種方法在小型化的終端用戶產(chǎn)品(比如移動電話)上應(yīng)用日益廣泛。這些設(shè)計采用多層布線、多模塊,或者多層布線和多模塊相結(jié)合的辦法對各個不同廠商生產(chǎn)的存儲器管芯進行多芯片或系統(tǒng)級封裝。這些封裝包括一個或一個以上的處理器、存儲器,甚至外圍電路。通過把管芯堆疊在一個封裝外殼里,不僅節(jié)約了電路板空間,而且簡化了印刷電路板的設(shè)計,簡化的方法包括減少信號布線需要的路徑長度、降低功耗,以及通過使用更短的布線來改善性能。
     然而,這種趨勢帶來了新的經(jīng)濟方面的挑戰(zhàn),這個挑戰(zhàn)就是降低了封裝良品率,從而削減了利潤。這種潛在損失使很多存儲器廠商確信,他們的商業(yè)模型應(yīng)該是基于kgd(確好管芯)的,這種確好管芯是被供應(yīng)商廣泛測試和驗證過并且證明是良好的。和那些僅僅在封裝整合之后才測試的管芯相反,kgd能夠使存儲器廠商保證在整合之前每個管芯都有一個特定的質(zhì)量和可靠水平。
     但是kgd的實現(xiàn)是耗時并且昂貴的,而且是基于各種可變的精確等級的非標(biāo)準(zhǔn)測試方案。你決定是否采用kgd,以及在何種程度上采用它來確保低成本,這個過程是很艱難的。
     想做得好為何這么難?
     不幸的是,現(xiàn)在還不存在針對kgd的普遍接受的定義。通常,這些管芯是裸露、未包裝的,而且已經(jīng)被制造商全功能測試和驗證過,并且滿足全范圍器件規(guī)范和特定等級的可靠性要求。然而,供應(yīng)商為kgd指定不同的可靠等級,甚至可靠特性的定義有時候也由于供應(yīng)商的不同而不同。由于獲得這些可靠等級所付出的努力變化特別大,所以評估kgd的先決條件之一就是必須精確的定義所需的可靠等級。
     當(dāng)決定是否要使用kgd的時候,我們主要考慮它的使用只是達到眾多目的的手段,而它本身不是目的,這些目的中最重要的一個就是kgd能夠產(chǎn)生堆疊封裝的高良品率,就像多芯片和系統(tǒng)級封裝。在封裝外殼里面堆越多的管芯,由于其中一個管芯的缺陷所造成的經(jīng)濟上的損失就越多,尤其是封裝裝配之后才發(fā)現(xiàn)造成的損失就更大。如果不丟棄一個壞管芯,那么你可能需要在最后的制造階段丟棄若干好管芯,同時在時間和原料上的花費將非常多。尤其痛苦的情況是,你的缺陷管芯相當(dāng)便宜而你的系統(tǒng)級封裝還包括其它昂貴的部分,例如處理器。由于這個原因,獨立的封裝元件必須保證是可靠的。
     使用kgd的另一個目的是允許你在一個獨立單元里面使用從不同制造商那里得到的最合適的元件,這樣你就能夠獲得一個最佳的系統(tǒng)級封裝。如果制造商能夠確保封裝外殼里面的所有管芯滿足預(yù)定的質(zhì)量和可靠等級,你就可以為封裝設(shè)計測試程序,這個程序負責(zé)測試組合的封裝功能,而不是獨立的管芯性能,這樣將節(jié)約測試時間和開銷。
     盡管使用kgd的好處顯而易見,但是當(dāng)你準(zhǔn)備采用那些能夠低成本地使用kgd的測試方法和等級時,需要了解實際制造和標(biāo)準(zhǔn)測試以及它們的不足在哪里。
     對測試進行研究
     在過去幾年,供應(yīng)商從典型的八英寸(20cm)閃存晶圓切割下來的管芯數(shù)目已經(jīng)從300增長到了500甚至更多。盡管為了滿足更小的終端用戶產(chǎn)品要求和減少硅片費用,管芯做的更小了,但是由于他們采用了更高密度的90nm閃存工藝,所以他們包含了更多的電路。管芯在前封裝和后封裝階段的測試過程如圖1所示。
     圖1,標(biāo)準(zhǔn)晶圓和管芯的加工流程包括前封裝和后封裝測試! ≈圃焐淘谇皽y試階段完成的電氣測試是標(biāo)準(zhǔn)測試過程的一部分。當(dāng)測試發(fā)現(xiàn)與管芯上的壞塊相關(guān)的缺陷時,后端處理流程采用fuse blowing——一種激光修復(fù)工序——來嘗試改正它們。
     供應(yīng)商在預(yù)定的測試點完成最初的電氣測試從而定位總?cè)毕。電氣測試把那些不能正常工作的器件與那些供應(yīng)商有可能修復(fù)的器件分離開。這個過程使用供應(yīng)商為這個步驟特別設(shè)計并預(yù)留的閑置模塊,通過fuse blowing技術(shù)來映射和替換壞的模塊,fuse blowing技術(shù)修復(fù)一些這樣的缺陷,然后供應(yīng)商就丟棄掉那些他們無法修復(fù)的器件。
     一旦制造商封裝了一個器件,它就要經(jīng)過老化工序處理,這個工序包括在一個125℃~150℃的烤箱里經(jīng)受幾個小時高壓測試。在這期間,測試程序在管芯上完
    
    
     采用需要認(rèn)真規(guī)劃的確好管芯來開發(fā)一個可靠、低成本的存儲器子系統(tǒng)。 最近在手機存儲器系統(tǒng)開發(fā)者中產(chǎn)生了一個增長的趨勢,他們把管芯垂直堆疊在一個封裝外殼里——通常稱為mcp(multi-chip packaging,多芯片封裝),設(shè)計者采用此方法去節(jié)約小巧的印刷電路板空間,這種方法在小型化的終端用戶產(chǎn)品(比如移動電話)上應(yīng)用日益廣泛。這些設(shè)計采用多層布線、多模塊,或者多層布線和多模塊相結(jié)合的辦法對各個不同廠商生產(chǎn)的存儲器管芯進行多芯片或系統(tǒng)級封裝。這些封裝包括一個或一個以上的處理器、存儲器,甚至外圍電路。通過把管芯堆疊在一個封裝外殼里,不僅節(jié)約了電路板空間,而且簡化了印刷電路板的設(shè)計,簡化的方法包括減少信號布線需要的路徑長度、降低功耗,以及通過使用更短的布線來改善性能。
     然而,這種趨勢帶來了新的經(jīng)濟方面的挑戰(zhàn),這個挑戰(zhàn)就是降低了封裝良品率,從而削減了利潤。這種潛在損失使很多存儲器廠商確信,他們的商業(yè)模型應(yīng)該是基于kgd(確好管芯)的,這種確好管芯是被供應(yīng)商廣泛測試和驗證過并且證明是良好的。和那些僅僅在封裝整合之后才測試的管芯相反,kgd能夠使存儲器廠商保證在整合之前每個管芯都有一個特定的質(zhì)量和可靠水平。
     但是kgd的實現(xiàn)是耗時并且昂貴的,而且是基于各種可變的精確等級的非標(biāo)準(zhǔn)測試方案。你決定是否采用kgd,以及在何種程度上采用它來確保低成本,這個過程是很艱難的。
     想做得好為何這么難?
     不幸的是,現(xiàn)在還不存在針對kgd的普遍接受的定義。通常,這些管芯是裸露、未包裝的,而且已經(jīng)被制造商全功能測試和驗證過,并且滿足全范圍器件規(guī)范和特定等級的可靠性要求。然而,供應(yīng)商為kgd指定不同的可靠等級,甚至可靠特性的定義有時候也由于供應(yīng)商的不同而不同。由于獲得這些可靠等級所付出的努力變化特別大,所以評估kgd的先決條件之一就是必須精確的定義所需的可靠等級。
     當(dāng)決定是否要使用kgd的時候,我們主要考慮它的使用只是達到眾多目的的手段,而它本身不是目的,這些目的中最重要的一個就是kgd能夠產(chǎn)生堆疊封裝的高良品率,就像多芯片和系統(tǒng)級封裝。在封裝外殼里面堆越多的管芯,由于其中一個管芯的缺陷所造成的經(jīng)濟上的損失就越多,尤其是封裝裝配之后才發(fā)現(xiàn)造成的損失就更大。如果不丟棄一個壞管芯,那么你可能需要在最后的制造階段丟棄若干好管芯,同時在時間和原料上的花費將非常多。尤其痛苦的情況是,你的缺陷管芯相當(dāng)便宜而你的系統(tǒng)級封裝還包括其它昂貴的部分,例如處理器。由于這個原因,獨立的封裝元件必須保證是可靠的。
     使用kgd的另一個目的是允許你在一個獨立單元里面使用從不同制造商那里得到的最合適的元件,這樣你就能夠獲得一個最佳的系統(tǒng)級封裝。如果制造商能夠確保封裝外殼里面的所有管芯滿足預(yù)定的質(zhì)量和可靠等級,你就可以為封裝設(shè)計測試程序,這個程序負責(zé)測試組合的封裝功能,而不是獨立的管芯性能,這樣將節(jié)約測試時間和開銷。
     盡管使用kgd的好處顯而易見,但是當(dāng)你準(zhǔn)備采用那些能夠低成本地使用kgd的測試方法和等級時,需要了解實際制造和標(biāo)準(zhǔn)測試以及它們的不足在哪里。
     對測試進行研究
     在過去幾年,供應(yīng)商從典型的八英寸(20cm)閃存晶圓切割下來的管芯數(shù)目已經(jīng)從300增長到了500甚至更多。盡管為了滿足更小的終端用戶產(chǎn)品要求和減少硅片費用,管芯做的更小了,但是由于他們采用了更高密度的90nm閃存工藝,所以他們包含了更多的電路。管芯在前封裝和后封裝階段的測試過程如圖1所示。
     圖1,標(biāo)準(zhǔn)晶圓和管芯的加工流程包括前封裝和后封裝測試。 制造商在前測試階段完成的電氣測試是標(biāo)準(zhǔn)測試過程的一部分。當(dāng)測試發(fā)現(xiàn)與管芯上的壞塊相關(guān)的缺陷時,后端處理流程采用fuse blowing——一種激光修復(fù)工序——來嘗試改正它們。
     供應(yīng)商在預(yù)定的測試點完成最初的電氣測試從而定位總?cè)毕荨k姎鉁y試把那些不能正常工作的器件與那些供應(yīng)商有可能修復(fù)的器件分離開。這個過程使用供應(yīng)商為這個步驟特別設(shè)計并預(yù)留的閑置模塊,通過fuse blowing技術(shù)來映射和替換壞的模塊,fuse blowing技術(shù)修復(fù)一些這樣的缺陷,然后供應(yīng)商就丟棄掉那些他們無法修復(fù)的器件。
     一旦制造商封裝了一個器件,它就要經(jīng)過老化工序處理,這個工序包括在一個125℃~150℃的烤箱里經(jīng)受幾個小時高壓測試。在這期間,測試程序在管芯上完
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