對(duì)于全球半導(dǎo)體業(yè)來(lái)說(shuō)，從來(lái)沒(méi)有一種產(chǎn)品能夠象dram那樣讓人愛(ài)恨交加，即使是在產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步回暖的今天，dram依然被認(rèn)為是一個(gè)陰晴不定的市場(chǎng)——難以琢磨的價(jià)格走向似乎隨時(shí)都有可能將你送上浪尖，或是卷入波谷。因此，這個(gè)領(lǐng)域注定會(huì)是“巨人”的競(jìng)技場(chǎng)，排名市場(chǎng)前三位的供應(yīng)商samsung、micron和infineon共占據(jù)了市場(chǎng)67%的份額。isuppli 估計(jì)2003年dram市場(chǎng)總量將達(dá)到167億美元。

    在intel婉轉(zhuǎn)地放棄對(duì)rambus dram的推崇之后，實(shí)際上從技術(shù)層面講dram市場(chǎng)的發(fā)展已經(jīng)不存在什么懸念，dram技術(shù)正在沿著ddr標(biāo)準(zhǔn)的線路圖演進(jìn)，一種普遍的認(rèn)識(shí)是ddr2器件將從2004年起大舉進(jìn)入市場(chǎng)，并在2005年成為市場(chǎng)的主宰；同時(shí)ddr3已經(jīng)“在路上”，預(yù)計(jì)其進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間為2007年。而rambus dram則會(huì)在一些高端應(yīng)用中固守其市場(chǎng)領(lǐng)地。預(yù)計(jì)2004年各類dram產(chǎn)品的市場(chǎng)份額大致為：ddr占74.5%，ddr2占6.9%，sdram占17%，rdram占1.5%。

    因此未來(lái)幾年中dram市場(chǎng)的最大懸念不會(huì)是來(lái)自于技術(shù)領(lǐng)域，而應(yīng)該是與各廠商的商業(yè)行為相關(guān)，比如其策略聯(lián)盟、產(chǎn)能擴(kuò)張、區(qū)域市場(chǎng)的重新分割等等。

    針對(duì)不同的應(yīng)用市場(chǎng)，sram產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展已經(jīng)表現(xiàn)出了兩個(gè)很清晰的走向——一是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所須的高速器件發(fā)展，另一個(gè)是向低功耗性能演變以適應(yīng)蓬勃發(fā)展的便攜式應(yīng)用的需要。目前sram市場(chǎng)總量約在25億美元左右，其中手機(jī)等移動(dòng)終端市場(chǎng)對(duì)sram的需求約占50%左右，另有7~8億美元的sram產(chǎn)品為通信市場(chǎng)所消化，因此可以說(shuō)，目前移動(dòng)終端與通信領(lǐng)域仍然是sram市場(chǎng)主要的驅(qū)動(dòng)力。

    未來(lái)sram市場(chǎng)的增長(zhǎng)將是平穩(wěn)和漸進(jìn)的。這種特點(diǎn)一方面與其所服務(wù)的市場(chǎng)屬性有關(guān)，更重要的一點(diǎn)是傳統(tǒng)的sram技術(shù)正在受到其他競(jìng)爭(zhēng)性的dram技術(shù)的沖擊——在高速網(wǎng)絡(luò)方面，fcram和rldram技術(shù)正在相互競(jìng)爭(zhēng)中快速成長(zhǎng)；在便攜式應(yīng)用領(lǐng)域諸如cellularram與mobile fcram等psram（偽sram）產(chǎn)品也正在逐漸擠壓原先由sram獨(dú)占的低功耗應(yīng)用的空間。盡管sram在某些方面還有其難以替代的功能特性，但市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)品在速度、存儲(chǔ)密度、功耗等方面綜合性的要求將繼續(xù)推進(jìn)那些sram替代技術(shù)的發(fā)展。這其間各廠商之間利益關(guān)系盤根錯(cuò)節(jié)，也是懸念叢生的地方。

    未來(lái)閃存市場(chǎng)的高速成長(zhǎng)是毋庸置疑的，預(yù)計(jì)整個(gè)閃存市場(chǎng)的銷售額將從2002年的78.9億美元上升到2003年的112億美元，閃存最終將發(fā)展成為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)中可與dram比肩的一個(gè)產(chǎn)品門類。我們的疑問(wèn)是，曾經(jīng)在dram市場(chǎng)發(fā)生的市場(chǎng)動(dòng)蕩在多年以后是否也會(huì)在閃存市場(chǎng)重演？

    目前在閃存市場(chǎng)排名前5名的公司——samsung、intel、toshiba、amd及富士通——控制著70%的市場(chǎng)。但在籠統(tǒng)的份額背后我們還應(yīng)該注意nor與nand不同閃存類型之間的發(fā)展競(jìng)速。intel依然是nor閃存的主力推手，但sansung則認(rèn)為nor閃存的市場(chǎng)發(fā)展速度并不會(huì)如預(yù)期的那樣快，而伴隨著消費(fèi)電子及手機(jī)市場(chǎng)的崛起，對(duì)用于海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的nand閃存的需求將超出人們的想象。sansung甚至還在考慮在部分手機(jī)應(yīng)用中用nand+dram的架構(gòu)取代目前流行的nor+nand+ dram架構(gòu)，這也讓未來(lái)的閃存市場(chǎng)增添了不少不確定因素。

    在新一代存儲(chǔ)器技術(shù)的發(fā)展上，我們有多種選擇，包括fram、mram、ovonic存儲(chǔ)器、pfram，以及pmc（programmable metalization cell）技術(shù)。其中fram在投入商用上先行了一步，比mram和ovonic存儲(chǔ)器大約早了一至二年。但這并不意味著fram會(huì)成為最后的勝利者，從各主要存儲(chǔ)器廠商的態(tài)度上看，雖然每家在技術(shù)的選擇上或多或少會(huì)有一些傾向性，但有實(shí)力的廠商都選擇了針對(duì)多種技術(shù)同時(shí)開(kāi)展研發(fā)。從目前的狀況來(lái)看，投入商用的幾種技術(shù)在產(chǎn)品的成本和存儲(chǔ)密度上與主流存儲(chǔ)器產(chǎn)品相比還有很大差距，因此其只是被有限的一些低存儲(chǔ)量應(yīng)用所采用。

    在這些新技術(shù)中，誰(shuí)將脫穎而出？這取決于兩個(gè)因素：一是技術(shù)本身的發(fā)展后勁如何，二是這種技術(shù)遷移對(duì)現(xiàn)有存儲(chǔ)器廠商既得利益的影響如何。因此面對(duì)這一夾雜著復(fù)雜商業(yè)利益的技術(shù)問(wèn)題，我們通常只能作一個(gè)“事后諸葛”。