摘 要： IS42G32256是高速度16M bit  CMOS同步圖形存儲(chǔ)器（SGRAM），適用于高性能計(jì)算機(jī)的顯示卡、圖形工作站、電視機(jī)頂盒、游戲卡、二維／三維圖形處理等場(chǎng)合。對(duì)其功能、特點(diǎn)、工作原理及其應(yīng)用進(jìn)行了介紹。

   關(guān)鍵詞： SGRAM CMOS IS42G32256 圖形處理

   半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的重要組成部分，隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的迅速發(fā)展，CPU的速度越來(lái)越高，以往采用的普通動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM）速度低，帶寬窄，已無(wú)法適應(yīng)高速CPU。為了適應(yīng)各種實(shí)際應(yīng)用的需要，出現(xiàn)了采用新技術(shù)的DRAM。其中同步DRAM（ＳDRAM）的出現(xiàn)，大大地提高了存儲(chǔ)器的速度，改善了其性能。在高性能計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，常用SDRAM作為主存儲(chǔ)器和顯示存儲(chǔ)器。如果將圖形特點(diǎn)加入到SDRAM中，即得到同步圖形存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱SGRAM。

    IS42G32256是高速16M bit  CMOS同步圖形存儲(chǔ)器，性能優(yōu)良，速度快，適合于圖形工作站、顯示卡、電視機(jī)頂盒、游戲卡、二維／三維圖形處理等高性能、高帶寬的應(yīng)用場(chǎng)合。

    它具有以下特點(diǎn)：①256K×32位×2存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu)；②所有輸入采樣和輸出都在同一個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘的上升沿同步動(dòng)作；③雙重內(nèi)部存儲(chǔ)體控制；④單3.3V±3V電源；⑤可編程方式寄存器指定突發(fā)范圍為1、2、4、8字節(jié)或整頁(yè)，／CAS等待周期為2和3周期，突發(fā)類型為順序和交替；⑥突發(fā)讀寫操作；⑦刷新能力為自動(dòng)和自舉刷新；⑧每32ms刷新2048周期；⑨輸入輸出電平與TTL電平兼容；⑩100引腳PQFP封裝(14mm×20mm)。

     它具有以下圖形特點(diǎn)：①SMRS周期：裝載屏蔽寄存器，裝載顏色寄存器；②寫每位；③塊寫(8列)

      1 工作原理

      IS42G32256 SGRAM的基本組成是兩個(gè)結(jié)構(gòu)為1024×256×32位的存儲(chǔ)體，功能框圖見圖1。它比普通的DRAM增加了一個(gè)可編程的方式寄存器，方式寄存器存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)用來(lái)控制SGRAM的各種操作方式。通過(guò)編程設(shè)置／CAS等待周期、突發(fā)類型、尋址方式、突發(fā)范圍、測(cè)試方式和各種特殊操作，使SGRAM具有各種不同的應(yīng)用。方式寄存器的內(nèi)容缺省時(shí)是不定的，因此，上電時(shí)必須設(shè)置，當(dāng)／CS、／CAS、／RAS、／WE和DSF為低電平時(shí)方式寄存器被寫入，同時(shí)，A0～A10也被寫入。它分成不同區(qū)域：A0～A2用于突發(fā)范圍，A3用于突發(fā)類型，A4～A6用于／CAS等待周期，A7、A8、A10僅供感廠家用或用于測(cè)試方式，SGRAM正常操作時(shí)，必須設(shè)置為低電平，A9用于可編程寫突發(fā)范圍。

      DQM用于屏蔽輸入輸出操作。DQM操作和時(shí)鐘同步，讀等待周期為2周期，寫等待周期為0周期，DQM也用于存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)備選擇和總線控制，DQM0控制DQ0～DQ7，DQM1控制DQ8～DQ15，DQＭ２控制DQ16～DQ23，DQM3控制DQ24～DQ31。

      DSF定義特殊功能，控制SGRAM的圖形應(yīng)用。DSF為低電平時(shí)，SGRAM的功能與普通存儲(chǔ)器相同，只有當(dāng)DSF為高電平時(shí)，才具有圖形功能。SGRAM的功能，諸如／RAS激活、寫和用WCBR(方式寄存器設(shè)置命令)改變SGRAM的功能等，都由DSF控制。

      SGRAM有兩種特殊方式寄存器：顏色寄存器和屏蔽寄存器，用于寫每位和塊寫。當(dāng)AS和DSF為高電平，／CS、／RAS、／CAS和／WE為低電平時(shí)裝載顏色寄存器，通過(guò)DQ引腳裝入與DQ相關(guān)的數(shù)據(jù)。

      當(dāng)時(shí)鐘允許CKE=1時(shí)，允許時(shí)鐘信號(hào)加入SGRAM；當(dāng)CKE=0時(shí)，輸出狀態(tài)和突發(fā)地址被凍結(jié)，芯片進(jìn)入低功耗狀態(tài)。

      存儲(chǔ)體選擇(A10)：SGRAM是由兩個(gè)262144×32bit存儲(chǔ)體組成的，當(dāng)A10為低電平時(shí)，選擇A存儲(chǔ)體，否則選擇B存儲(chǔ)體。

      地址輸入(A0～A9)：譯碼262144個(gè)存儲(chǔ)單元需要18位地址，采用多路復(fù)用器輸入地址A0～A9，10位行地址通過(guò)／RAS和A10鎖存，8位列地址通過(guò)／CAS、／WE和A10鎖存。

      寫每位是選擇數(shù)據(jù)屏蔽位寫入的功能，儲(chǔ)存在內(nèi)部寄存器中，當(dāng)它有效時(shí)，用于數(shù)據(jù)的每一位寫。塊寫允許訪問(wèn)周期連續(xù)的8列數(shù)據(jù)同時(shí)寫入。塊寫時(shí)序圖見圖2。

      引腳功能參見表1，引腳圖略