中國的汽車行駛記錄儀中的數(shù)據(jù)應(yīng)該包括兩個部分，一部分為汽車實時數(shù)據(jù)(存放汽車發(fā)生事故前后的數(shù)據(jù))，另一部分為汽車歷史數(shù)據(jù)(存放汽車過去一段時間內(nèi)的行駛狀況)。汽車實時數(shù)據(jù)主要是用于分析事故發(fā)生的原因和事故的責(zé)任，汽車歷史數(shù)據(jù)作為事故分析的參考依據(jù)和對汽車和司機的運行狀況考核，歷史數(shù)據(jù)是以當(dāng)前汽車實時數(shù)據(jù)為依據(jù)。整個汽車行駛記錄儀記錄的是2個輸入量(如速度,剎車)的狀況，其他可以根據(jù)廠商的要求存儲7個開關(guān)量的數(shù)據(jù)(轉(zhuǎn)向燈,車門等)，比較高級的還會記錄發(fā)動機的溫度和其他的一些輸入量的狀況。由于行駛記錄儀的數(shù)據(jù)是如此重要，所以對存儲器的要求很高。

存儲歷史數(shù)據(jù)的存儲器大家都比較容易選擇，目前大容量的Flash和U盤，很多廠商都能提供。但是汽車的實時數(shù)據(jù)的存儲器比較難選擇，因為實時數(shù)據(jù)比歷史數(shù)據(jù)更為重要，而且要求掉電后數(shù)據(jù)能保存(發(fā)生事故時,汽車系統(tǒng)可能會沒有電源)，為了保證實時數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，要求輸入量的檢測周期越短越好,據(jù)目前我們了解，國標(biāo)要求最大0.2秒采集一次數(shù)據(jù)，以20秒為一個存儲單位，實時數(shù)據(jù)需要存儲10次20秒的數(shù)據(jù)，也就是說需要存儲200秒的實時數(shù)據(jù)，到了200秒后，將實時數(shù)據(jù)抽樣送入歷史記錄中，然后實時數(shù)據(jù)被重新覆蓋，由此可見，在實時數(shù)據(jù)的存儲對存儲器的要求很高。

實時數(shù)據(jù)的存儲對儲器具體要求要求如下：
目前實現(xiàn)這種要求的方式有以下幾種： 下面是幾種方案的性能比較。

SRAM+電池+電源管理IC+EEPROM


圖1 基于SRAM和EEPROM的存儲方案

由于EEPROM和FLASH的擦寫次數(shù)的限制，檢測的數(shù)據(jù)不能實時寫入其中，只能存儲在SRAM中，當(dāng)?shù)揭欢ǖ臅r間或檢測到掉電后，再把數(shù)據(jù)寫入EEPROM和FLASH中，EEPROM存儲實時數(shù)據(jù)，F(xiàn)lash存儲歷史數(shù)據(jù)，此方案的特點:是：系統(tǒng)價格比較便宜，但是性能卻很不可靠，發(fā)生事故時整個系統(tǒng)都可能掉電，當(dāng)系統(tǒng)檢測到掉電時，再把SRAM的數(shù)據(jù)寫入EEPROM和FLASH中，已經(jīng)沒有足夠的時間和電量，而且汽車系統(tǒng)的環(huán)境比較復(fù)雜，我們都知道SRAM+電池的存儲方式很不可靠，目前很少有工程師采用這種方案設(shè)計。

NVRAM+電池管理

圖2 基于NVRAM的存儲方案

NVRAM有二種,一種為SRAM+電池型，另一種為SRAM +EEPROM型。不管是哪一種，首先價格都比較貴，大家都知道，黑匣子是一種民用品(3.5噸以上的貨車和9人以上的私家車都需要裝黑匣子)，如果價格高，不利于市場推廣。

另外在性能方面，如果NVRAM是SRAM+電池型，有電池用完的危險，我們都知道，電池的壽命只有3-5年時間，這之后存儲數(shù)據(jù)將非常不可靠.。

如果NVRAM是SRAM+ EEPROM型，由于此存儲器的原理是在工作時，MCU操作的是SRAM，在檢測到掉電后再把數(shù)據(jù)存儲到EEPROM中，這樣也存在發(fā)生事故時數(shù)據(jù)寫不進的危險，所以數(shù)據(jù)存儲也不是很可靠。

FRAM的存儲方式

在了解第三種方案之前我們先了解FRAM的基本特點。

美國Ramtron公司鐵電存貯器（FRAM）的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存貯產(chǎn)品同時擁有隨機存取存儲器(RAM)和非易失性存儲產(chǎn)品的特性。產(chǎn)品的主要特點如下：

由于FRAM有SRAM的速度和擦寫次數(shù),又有Flash和EEPROM的非易失性的特點，掉電后數(shù)據(jù)能保存，同時多功能的FRAM芯片還有電源管理功能，所以用FRAM首先可以簡化系統(tǒng)的電路，降低系統(tǒng)的成本，另外由于FRAM的諸多特點，提高了系統(tǒng)的可靠性。

目前歐美和韓國等一些汽車工業(yè)發(fā)達國家的汽車黑匣子都是采用FRAM做為他們的數(shù)據(jù)存儲器。

Ramtron公司簡介

Ramtron公司成立于1984年，總部設(shè)在美國科羅拉多州的Colorado Springs市，公司于1992年在美國納斯達克上市，Ramtron是當(dāng)今領(lǐng)先的鐵電存儲器技術(shù)和產(chǎn)品供應(yīng)商，世界上絕大部分重要的半導(dǎo)體存儲器制造商都向Ramtron申請授權(quán)專利來做鐵電存儲器的研究，他們包括日本的Toshiba、Hitachi、Fujistu、Rohm、Asahi,韓國的Samsung和德國的Infineon。

在未來的幾年里，Ramtron會繼續(xù)努力,不斷降低成本。另外，將在明年上半年推出兆級(Mbit)密度的鐵電存儲器，大密度的鐵電體(FRAM)將來會取代各類存儲器，成為真正的“超級存儲器”。