閃存lh28f160及基于dsp的編程寫入 摘要：flash memory是一種可以在線進行電擦寫，并在掉電后信息不丟失的存儲器，可廣泛應用于外部存儲系統(tǒng)中。文中介紹了sharp公司的閃爍存儲器lh28f160s5t的功能特點及工作狀態(tài)，詳細敘述了在ti公司的dsp tms320c32pcm60仿真環(huán)境下，lh28f160s5t的硬件接口電路及軟件編程方法。 關鍵詞：閃爍存儲器 dsp lh28f160s5t 1 閃存介紹 閃存（flash memory-p.htm" target="_blank" title="memory貨源和pdf資料">memory閃爍存儲器）是一種可以在線進行電擦寫，并在掉電后信息不丟失的存儲器。是近年來發(fā)展最快的一種存儲器芯片。由于這種芯片具有不揮發(fā)的特性，因而可廣泛應用于外部存儲領域，如存儲個人計算機和電子筆記本os應用程序和系統(tǒng)數據等。同時它還具有在線電擦寫、低功耗、大容量、擦寫速度快等特點，并可在內部加入嵌入式算法以便對芯片進行操作。目前由于閃存具有與dram等同的低價位成本，因而使得它在尋呼機系統(tǒng)、智能儀表、嵌入式系統(tǒng)、筆記本電腦等領域得到了廣泛的應用。表1所列為內存與其它存儲器和特性比較。

表1 各種半導體存儲的特性比較 　 種 類 讀出速度 變更方式 寫入速度 數據保持功率 相對位成本 ram dram （1～9）*10ns 重寫 10ns～90ns (1～9)*100μw 1 sram (1～9)*10ns 重寫 10ns～90ns (1～9)*100μw 4 nvram 100ns 重寫 10ms 不要 1000 rom eeprom 100ns 重寫 10ms 不要 10 eprom 100ns 紫外線擦除+電氣寫入 100s900s 不要 1.2 閃爍存儲器 100ns 紫外線擦除+電氣寫入 10s 不要 1 otp 100ns 不可 不要 0.8 掩膜rom 100ns 不可 不要 0.5 2 閃存lh28f160s5t主要特點 lh28f160s5t是sharp公司推出的16mbit的閃存產品，它具有以下特點： ●5v工作電壓，5v寫入電壓； ●具有通用flash接口（cfi）； ●可擴充的命令集； ●高速寫入性能，寫入速度可達2μs/byte； ●高速讀出性能，讀取速度為70ns； ●高密度對稱式分塊結構，具有32個64kbyte的可擦除塊； ●用戶可配置×8