renesas technology公司開(kāi)發(fā)出稱(chēng)為“supersram”的低功耗sram系列產(chǎn)品，這些產(chǎn)品因開(kāi)發(fā)出一種新型存儲(chǔ)單元而具有很大的存儲(chǔ)容量和很低的功耗，但芯片尺寸卻很小。

    初始階段的16mb supersram 有r1la1616r系列（1.8v版本）和r1lv1616r系列（3v版本），據(jù)稱(chēng)“采用0.15微米工藝制造成世界上最小芯片尺寸的16mb低功耗sram，芯片尺寸約為 32 mm2”。這兩個(gè)系列適用于便攜式設(shè)備，如移動(dòng)電話(huà)。

    該新型存儲(chǔ)單元既有以p溝道tft作為負(fù)載晶體管和以n溝道m(xù)osfet作為驅(qū)動(dòng)晶體管的sram單元，又有在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)采用疊層電容器的dram單元。該電容器使得驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸可以最小，從而有可能使存儲(chǔ)器單元面積約為使用采用相同的工藝的常規(guī)6晶體管結(jié)構(gòu)的cmos sram的一半。

    存儲(chǔ)在電容器中的電荷可使軟錯(cuò)誤率比常規(guī)cmos ram減少大約兩個(gè)數(shù)量級(jí)，從而實(shí)現(xiàn)非�？煽康膕ram。

    與常規(guī)sram一樣，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的信息可通過(guò)負(fù)載晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管來(lái)自動(dòng)保持，因此不需要刷新。在標(biāo)準(zhǔn)條件下(25℃)，“supersram”的數(shù)據(jù)保持電流為1a，這與該公司常規(guī)16mb低功耗sram相同。根據(jù)一個(gè)金屬掩模選件，“supersram”有兩個(gè)外部電壓版本：1.8v (1.65 v～2.3 v) r1la1616r系列和3v (2.7 v～3.6 v) r1lv1616r系列。

    “supersram”有兩種封裝：52腳tsop封裝，尺寸為10.79×10.49mm，引腳間距為0.40mm；8球小間距bga封裝，尺寸為7.5×8.5 mm，球距為0.75mm。

     網(wǎng)址：www.sg.renesas.com