功率及性能優(yōu)化的dram正在搶奪sram的風(fēng)頭。

    隨著添加到系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的功能的增加，以及所要求的代碼和數(shù)據(jù)ram容量成比例、甚至更可能的按指數(shù)規(guī)律的增長(zhǎng)，dram相比于sram的每比特成本優(yōu)勢(shì)變得更加難以忽略（如圖1）。為了確定從采用sram轉(zhuǎn)變到dram是否有意義，可能首先需要回顧一下當(dāng)初選擇sram的緣由。也許你并不希望僅僅是對(duì)dram的多元地址總線、刷新要求及存取沖突規(guī)避、隨機(jī)與順序模式下的可變周期或者其它特性進(jìn)行爭(zhēng)論�，F(xiàn)在有了好消息：最新一代的psram（pseudo-ram,偽sram）dram的表現(xiàn)看上去與那些他們?cè)噲D取代的sram越來(lái)越相象。

    圖1 主要的幻想家們熱情洋溢地預(yù)言sram的最終消亡。但也許這是因?yàn)樽鳛樵摂?shù)據(jù)來(lái)源的dram廠商在這種預(yù)言實(shí)現(xiàn)上具有既得利益。（數(shù)據(jù)來(lái)源micron technology）

    功率消耗方面的考慮可能會(huì)促使大家在最初選擇sram而不是dram。畢竟sram的存儲(chǔ)單元中不需要加入一個(gè)的電荷儲(chǔ)存電容，由于其總是在不斷泄露因此需要周期性地對(duì)它進(jìn)行刷新，這就增加了存儲(chǔ)器待機(jī)電流的消耗。努力獲得最低的待機(jī)電流也是促使sram單元結(jié)構(gòu)從四晶體管雙電阻器向當(dāng)今占主導(dǎo)地位的六晶體管單元結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變的主要?jiǎng)右蛑弧１M管在采用現(xiàn)代深亞微米光刻技術(shù)和更低的供電電壓之下，一個(gè)sram單元中所有晶體管合并起來(lái)的泄漏電流和dram待機(jī)電流消耗之間的差距還是在緩慢而確定地縮小著。請(qǐng)記住，dram和sram之間的功率消耗差別也許在紙面上——如進(jìn)行元件數(shù)據(jù)表對(duì)比分析時(shí)，比在實(shí)際應(yīng)用中——如需要將多sram陣列添加到系統(tǒng)中以達(dá)到單片dram存儲(chǔ)密度要求時(shí)，更有意義。

    功率性能優(yōu)化的dram可以實(shí)現(xiàn)對(duì)器件整體或某個(gè)部分關(guān)閉刷新操作。例如，當(dāng)存儲(chǔ)器作為一個(gè)經(jīng)常更新的視頻緩沖器時(shí)，可能根本就不需要刷新。在要求高性能的應(yīng)用中，存儲(chǔ)器只在很小比例的時(shí)間內(nèi)處于待機(jī)模式，因此比較sram和dram之間待機(jī)功耗的差別在很大程度上顯得沒(méi)有意義。dram的低價(jià)也許是吸引人的一個(gè)方面，不過(guò)其在面對(duì)阿爾法粒子和宇宙射線轟擊時(shí)表現(xiàn)出的比sram更高的可靠性可能最終會(huì)成為選擇它的一個(gè)更具吸引力的原因。dram存儲(chǔ)單元比sram鎖存器更高的電容意味著dram對(duì)于外來(lái)離子輻射注入電荷造成的比特翻轉(zhuǎn)有更強(qiáng)的抵御能力。dram單元的可靠性認(rèn)知設(shè)計(jì)可以進(jìn)一步改善其抗輻射容限，而系統(tǒng)級(jí)校驗(yàn)和edac（錯(cuò)誤檢測(cè)及校正）將存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的可靠性提升到更高的水平。

     那么在速度方面sram不是仍然保持優(yōu)勢(shì)嗎？的確如此。從根本上說(shuō)，對(duì)一個(gè)主動(dòng)晶體管鎖存器進(jìn)行存取比讀或?qū)懸粋�(gè)被動(dòng)存儲(chǔ)電容器更快。dram的以成本為核心、不斷縮減芯片尺寸的選擇造成了兩種技術(shù)之間整體性能的差別，如果加入更大的感應(yīng)放大器、大量的小型子陣列以及進(jìn)行其它結(jié)構(gòu)改造，dram速度就可以變得與 sram幾乎一樣快，不過(guò)這樣一來(lái)其與sram之間相比有利的價(jià)格差異就消失了。因此我們考慮問(wèn)題的底線是，隨著光刻線寬的減少，dram自然地越來(lái)越快，而且對(duì)于數(shù)量不斷增長(zhǎng)的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，它已經(jīng)足夠快了，這才是真正應(yīng)該關(guān)心的。

    慢慢品味

     dram制造商們多年以來(lái)不斷表達(dá)著其對(duì)非pc市場(chǎng)的興趣，但是只要pc市場(chǎng)仍然大量“消化”著供應(yīng)商們制造出的各種芯片，dram廠商們就不必將各種“談?wù)摗备吨T行動(dòng)，為適應(yīng)其他應(yīng)用而去“剪裁”他們的產(chǎn)品。在此之前，大家都是在廠商們?yōu)榛趐c應(yīng)用的芯片規(guī)范和封裝形式基礎(chǔ)上進(jìn)行微小的調(diào)整。這種方法的優(yōu)點(diǎn)就是可以使得你能夠從pc市場(chǎng)大批量需求的成本效益中獲益；而缺點(diǎn)則是你最終只能得到勉強(qiáng)滿足特定需求的芯片。

    與高速sram廠商分化為兩個(gè)對(duì)立陣營(yíng)（qdr聯(lián)盟和sigmaram聯(lián)盟）非常類(lèi)似，psram供應(yīng)商們也已經(jīng)被劃分為兩個(gè)聯(lián)盟，當(dāng)然也有像hynix這樣的例外，至少在目前看來(lái)它還滿足于獨(dú)立發(fā)展自己的架構(gòu)。cellularram協(xié)作開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)最初由infineon和micron technology組成，cypress semiconductor于2002年9月加入。2003年5月，該聯(lián)盟宣布infineon可以提供16-mbit和32-mbit器件樣品，micron也正在研制不同的32-mbit和64-mbit器件的樣品，而cypress計(jì)劃在明年付運(yùn)第一批樣品。cellularram與異步sram兼容，采用48凸點(diǎn)的bga封裝；某些存儲(chǔ)密度的產(chǎn)品也采用54凸點(diǎn)的擴(kuò)展集特性封裝，在讀寫(xiě)操作中支持nor閃存兼容的頁(yè)面模式和全同步突發(fā)模式。

    與之競(jìng)爭(zhēng)的聯(lián)盟cosmoram（co-mmon specifications for mobile ram,移動(dòng)ram通用規(guī)范）是2003年2月出現(xiàn)的，它由富士通、nec和東芝組成。integrated silicon solution公司也追捧符合cosmoram規(guī)范的psr