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研諾12V降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器AAT1162靜態(tài)電流為115μA

發(fā)布時間:2008/5/28 0:00:00 訪問次數(shù):359

  專為移動消費(fèi)電子設(shè)備提供電源管理半導(dǎo)體器件的開發(fā)商研諾邏輯科技有限公司(analogictech),近日宣布推出aat1162,這是同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器系列中第一款運(yùn)行在輸入電壓為12v、可提供1.5a至5v或更低輸出的設(shè)計(jì)。新的轉(zhuǎn)換器消耗115μa超低靜態(tài)電流,有望減少廣泛的12v行業(yè)應(yīng)用的用電量,同時為使用雙核鋰聚合物電池的便攜式系統(tǒng)提供更高電量。

全負(fù)載范圍內(nèi)的高效率

新款12v降壓轉(zhuǎn)換器運(yùn)行的輸入范圍在4.0v到13.2v,并提供高達(dá)1.5a的電流。輸出電壓可固定,也可在0.6v至vin調(diào)節(jié)。轉(zhuǎn)換效率高達(dá)96%。一個組合的脈沖寬度調(diào)制(pwm)/輕負(fù)載模式有利于在全負(fù)載范圍內(nèi)最大限度地提高效率。運(yùn)行的開關(guān)頻率可高達(dá)800khz,aat1162采用較小的外部組件,從而使整體解決方案尺寸最小。軟啟動可控制輸入浪涌電流,并排除啟動時輸出電壓過沖。該轉(zhuǎn)換器還帶有過流保護(hù)和過熱保護(hù)功能。

modularbcd工藝

aat1162采用研諾的modularbcd生產(chǎn)工藝技術(shù)。與過去的傳統(tǒng)線性ic制造或通用數(shù)字cmos制造工藝的不同之處在于,modularbcd處理工藝代表新一代的模擬、電源與混合信號ic技術(shù),他們是特別創(chuàng)新的高科技晶圓制造技術(shù),并為在以前生產(chǎn)dram的晶圓廠中進(jìn)行了優(yōu)化。

新工藝令單片的混合信號及系統(tǒng)芯片無論在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都更加可行,這是因?yàn)樵趩螇K芯片上將完全隔離的、電壓分別為3v、5v和12v的、并帶有高速互補(bǔ)雙極晶體管的cmos器件,與電壓為30v的、強(qiáng)勁的dmos(雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體)功率器件集成一體,并無需采用外延或高溫?cái)U(kuò)散等極復(fù)雜昂貴的工藝。因此,采用modularbcd而生產(chǎn)的器件與傳統(tǒng)工藝生產(chǎn)的器件相比,不僅效率更高、尺寸更小、集成度更高,而且有助于移動消費(fèi)電子產(chǎn)品更好的管理電源并延長電池的使用壽命,這些產(chǎn)品包括手機(jī)、便攜式多媒體播放器、臺式電腦與手提電腦、數(shù)碼相機(jī)等。

價格與供貨

aat1162的額定工作溫度范圍是-40至+85℃,采用無鉛、16引腳、3×4-mm tdfn封裝。訂貨量為1,000片時每片單價為0.94美元。



  專為移動消費(fèi)電子設(shè)備提供電源管理半導(dǎo)體器件的開發(fā)商研諾邏輯科技有限公司(analogictech),近日宣布推出aat1162,這是同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器系列中第一款運(yùn)行在輸入電壓為12v、可提供1.5a至5v或更低輸出的設(shè)計(jì)。新的轉(zhuǎn)換器消耗115μa超低靜態(tài)電流,有望減少廣泛的12v行業(yè)應(yīng)用的用電量,同時為使用雙核鋰聚合物電池的便攜式系統(tǒng)提供更高電量。

全負(fù)載范圍內(nèi)的高效率

新款12v降壓轉(zhuǎn)換器運(yùn)行的輸入范圍在4.0v到13.2v,并提供高達(dá)1.5a的電流。輸出電壓可固定,也可在0.6v至vin調(diào)節(jié)。轉(zhuǎn)換效率高達(dá)96%。一個組合的脈沖寬度調(diào)制(pwm)/輕負(fù)載模式有利于在全負(fù)載范圍內(nèi)最大限度地提高效率。運(yùn)行的開關(guān)頻率可高達(dá)800khz,aat1162采用較小的外部組件,從而使整體解決方案尺寸最小。軟啟動可控制輸入浪涌電流,并排除啟動時輸出電壓過沖。該轉(zhuǎn)換器還帶有過流保護(hù)和過熱保護(hù)功能。

modularbcd工藝

aat1162采用研諾的modularbcd生產(chǎn)工藝技術(shù)。與過去的傳統(tǒng)線性ic制造或通用數(shù)字cmos制造工藝的不同之處在于,modularbcd處理工藝代表新一代的模擬、電源與混合信號ic技術(shù),他們是特別創(chuàng)新的高科技晶圓制造技術(shù),并為在以前生產(chǎn)dram的晶圓廠中進(jìn)行了優(yōu)化。

新工藝令單片的混合信號及系統(tǒng)芯片無論在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都更加可行,這是因?yàn)樵趩螇K芯片上將完全隔離的、電壓分別為3v、5v和12v的、并帶有高速互補(bǔ)雙極晶體管的cmos器件,與電壓為30v的、強(qiáng)勁的dmos(雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體)功率器件集成一體,并無需采用外延或高溫?cái)U(kuò)散等極復(fù)雜昂貴的工藝。因此,采用modularbcd而生產(chǎn)的器件與傳統(tǒng)工藝生產(chǎn)的器件相比,不僅效率更高、尺寸更小、集成度更高,而且有助于移動消費(fèi)電子產(chǎn)品更好的管理電源并延長電池的使用壽命,這些產(chǎn)品包括手機(jī)、便攜式多媒體播放器、臺式電腦與手提電腦、數(shù)碼相機(jī)等。

價格與供貨

aat1162的額定工作溫度范圍是-40至+85℃,采用無鉛、16引腳、3×4-mm tdfn封裝。訂貨量為1,000片時每片單價為0.94美元。



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