vishay intertechnology, inc.具有雙面冷卻功能的polarpak功率mosfet系列中增添了新型n信道20v、30v及40v器件，從而為設計人員提供了通過更出色的mosfet散熱性能減小系統(tǒng)尺寸及成本的新方式。

　　日前宣布推出的這四款新型vishay siliconix polarpak器件面向電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)中的同步整流、負載點轉換器及or-ing應用，與市場上僅次于它們的具有雙面冷卻功能的器件相比，這四款器件的導通電阻低48%，導通電阻與柵極電荷乘積的性能高12%。

　　這些更出色的規(guī)范可轉變成能夠降低終端系統(tǒng)功耗的更低傳導及開關損耗。polarpak雙面冷卻構造提供的雙散熱通道可在具有強迫通風冷卻功能的系統(tǒng)中實現(xiàn)高電流密度，從而可縮小設計尺寸和/或減少并行mosfet的數(shù)目。從完全需要并行的意義上講，polarpak憑借其簡潔而直接的外引腳簡化了這些設計，可將來自板布局的電感降至最低，從而可提高效率，尤其在更高頻率時。

　　日前推出的這些polarpak器件具有與標準so-8相同的占位面積，但厚度是它的1/2，僅為0.8毫米。新型20v sie810df與sie808df30-v sie806df, 及40-v sie812df的導通電阻范圍介于1.4mω～2.6mω。它們的導通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值也非常低。30v與40v器件的fom分別為127.5及135.2，幾乎與同步整流應用的fom相同，同時對于可使用由40v擊穿電壓器件提供的額外擴展空間的應用而言，可實現(xiàn)更高額定值選擇。

　　對于將開關損耗降至最低比低傳導損耗更關鍵的應用，vishay還推出了兩款導通電阻略高的polarpak器件。在10v柵極驅動時，30v sie830df的額定導通電阻為4.2mω，40v sie832df的額定導通電阻為5.5mω。

　　除它們的低功耗及熱管理優(yōu)勢外，vishay siliconix polarpak功率mosfet還可為制造商提供最大靈活性、可靠性及處理輕松性。當推出新一代芯片時，與該系列中的芯片尺寸無關的固定占位面積與襯墊布局可將重新設計需求降至最低。它們的標準引線框及塑料封裝結構提供了更出色的芯片保護。因此，polarpak已快速贏得了成為具有由多個制造商提供的雙面冷卻功能的首款mosfet封裝的聲譽。

　　目前，這些新型polarpak功率mosfet的樣品和量產(chǎn)批量均已提供，大宗訂單的供貨周期為8～10周。