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單片弛張振蕩器的溫度補(bǔ)償方法

發(fā)布時(shí)間:2008/5/29 0:00:00 訪問次數(shù):327


1 引言

弛張充放電振蕩器在pwm電源和電容傳感器中都得到了廣泛的應(yīng)用,也常常作為時(shí)鐘產(chǎn)生電路用在單片功率集成電路中。但是,由于這種振蕩器結(jié)構(gòu)的特殊性,一般的弛張振蕩器輸出頻率受環(huán)境溫度的變化影響較大,溫度性能較差。為了獲得較好的溫度性能,一般都要采用恒溫槽等措施,但增大了體積和成本。為此,本文提出一種適用于這種結(jié)構(gòu)振蕩器的片內(nèi)溫度補(bǔ)償方案,可以簡(jiǎn)單方便地獲得更好的溫度性能。

2 弛張振蕩器的工作原理

弛張振蕩器的一般結(jié)構(gòu)如圖1所示。弛張振蕩器的工作過程如下:先用一個(gè)電流源i1向電容器c充電,這時(shí)電容器上的電壓會(huì)不斷上升,將電容器上的電壓通過比較器與設(shè)定的閾值電壓相比較。當(dāng)電容器上的電壓高于電位比較器的閾值電壓v2時(shí),控制部分將會(huì)控制開關(guān)動(dòng)作,使i1斷開,i2導(dǎo)通,電容器開始通過i2放電,電容器的電壓開始下降,設(shè)此時(shí)的時(shí)刻為t2。當(dāng)電容器的電壓下降到低于低位比較器的閾值電壓v1時(shí),控制部分再次使開關(guān)動(dòng)作,使i1導(dǎo)通,i2斷開,i1又重新對(duì)電容器充電,設(shè)此時(shí)的時(shí)刻為t1。這樣不停反復(fù)就可以在電容器上輸出連續(xù)不斷的振蕩波形。

設(shè)i1=i2=ic,則

如果保持ic、c不變,則由(4)式看出電容器的充放電時(shí)間是由電容器電壓的幅度唯一決定的?赏ㄟ^調(diào)節(jié)2個(gè)比較器的閾值電壓來調(diào)節(jié)電容器的電壓幅度,從而可方便地調(diào)節(jié)振蕩器的輸出頻率。以上分析在各個(gè)電路無時(shí)延的條件下獲得的。

3 溫度對(duì)輸出電壓頻率的影響

3.1 產(chǎn)生頻率誤差的原因

任何電路結(jié)構(gòu)都存在不同程度的延時(shí)。在這種結(jié)構(gòu)的振蕩器中,比較器和控制部分也存在一定的延時(shí),雖然可以采用高速比較器和盡可能簡(jiǎn)單的控制結(jié)構(gòu)來減少延時(shí),但是始終無法消除延時(shí)帶來的影響。因此,當(dāng)電容器上的電壓已經(jīng)上升或下降到需要開關(guān)動(dòng)作時(shí),由于比較器和控制部分的延時(shí)δτ使得開關(guān)往往要經(jīng)過一段時(shí)間后才會(huì)動(dòng)作,而在這段時(shí)間內(nèi),i1(i2)還在繼續(xù)對(duì)電容器充電(放電),因此輸出電壓與uc相比會(huì)產(chǎn)生誤差(icδτ)/c,此時(shí),

(3)式將變?yōu)?/p>

(4)式將變?yōu)?

可以看出輸出電壓頻率與設(shè)計(jì)值產(chǎn)生了偏差。

3.2 溫度對(duì)輸出頻率的影響

顯然,在不同溫度條件下比較器和控制部分的延時(shí)是不一樣的。由于主要考察延時(shí)對(duì)輸出頻率的影響,因此設(shè)在不同溫度條件下ic和c保持不變,在溫度t1時(shí),比較器和控制部分產(chǎn)生的延時(shí)為δτ1,在溫度t2時(shí)產(chǎn)生的延時(shí)為δτ2。則(5)式和(7)式可寫為

從(8)式可以看出,在不同的溫度條件下電容器的充放電時(shí)間發(fā)生了的變化δt,從而導(dǎo)致輸出電壓的頻率隨溫度而變化。

圖2給出在沒有溫度補(bǔ)償?shù)那闆r下,采用csmc 0.6μm雙層金屬、雙層多晶硅工藝下和使用hspice仿真出來的振蕩器輸出波形。其中,取ic為250μa,c為5pe,比較器采用的是參考文獻(xiàn)[2]中介紹的高速比較器方案,低位比較器的閾值電壓為2.4v,高位比較器的閾值電壓為2.5v。圖中t1、t2、t3分別為-40℃、27℃、85℃時(shí)的輸出波形。把振蕩器27℃時(shí)的輸出頻率設(shè)計(jì)為20mhz,測(cè)出此時(shí)振蕩器的溫度系數(shù)約為1 685ppm/℃。圖3中的曲線1給出近似的輸出電壓幅度與溫度的關(guān)系,正如上面所推導(dǎo)的一樣,在不同的溫度條件下輸出的電壓幅度并不相等。

4 溫度補(bǔ)償?shù)膶?shí)現(xiàn)

為了消除溫度對(duì)輸出頻率的影響,從(12)式可以看出還必須使δt=0。為了實(shí)現(xiàn)上述要求,令t1時(shí)的v2=v’ 2;t2時(shí)的v2=v”2,v1保持不變,則(9)、(11)式改寫為(13)式或(17)式:

從(17)式可以看出,為了消除溫度對(duì)輸出頻率的影響,可以使電容電壓在不同溫度條件下取不同的電容值來實(shí)現(xiàn)。只要它們能滿足(17)式的條件,就可以得到零溫度系數(shù)的輸出頻率。在振蕩器中,電容器電壓是由比較器的閾值電壓控制的,可以通過調(diào)節(jié)比較器的閾值電壓來滿足要求。在芯片設(shè)計(jì)中,比較器的閾值電壓一般由基準(zhǔn)源提供;鶞(zhǔn)源往往根據(jù)帶隙原理來調(diào)整它的溫度系數(shù)。一般會(huì)盡量調(diào)節(jié)使其具有零溫度系數(shù)。但從需要出發(fā),也可以把它調(diào)試成所需的非零溫度系數(shù)。因此,可


1 引言

弛張充放電振蕩器在pwm電源和電容傳感器中都得到了廣泛的應(yīng)用,也常常作為時(shí)鐘產(chǎn)生電路用在單片功率集成電路中。但是,由于這種振蕩器結(jié)構(gòu)的特殊性,一般的弛張振蕩器輸出頻率受環(huán)境溫度的變化影響較大,溫度性能較差。為了獲得較好的溫度性能,一般都要采用恒溫槽等措施,但增大了體積和成本。為此,本文提出一種適用于這種結(jié)構(gòu)振蕩器的片內(nèi)溫度補(bǔ)償方案,可以簡(jiǎn)單方便地獲得更好的溫度性能。

2 弛張振蕩器的工作原理

弛張振蕩器的一般結(jié)構(gòu)如圖1所示。弛張振蕩器的工作過程如下:先用一個(gè)電流源i1向電容器c充電,這時(shí)電容器上的電壓會(huì)不斷上升,將電容器上的電壓通過比較器與設(shè)定的閾值電壓相比較。當(dāng)電容器上的電壓高于電位比較器的閾值電壓v2時(shí),控制部分將會(huì)控制開關(guān)動(dòng)作,使i1斷開,i2導(dǎo)通,電容器開始通過i2放電,電容器的電壓開始下降,設(shè)此時(shí)的時(shí)刻為t2。當(dāng)電容器的電壓下降到低于低位比較器的閾值電壓v1時(shí),控制部分再次使開關(guān)動(dòng)作,使i1導(dǎo)通,i2斷開,i1又重新對(duì)電容器充電,設(shè)此時(shí)的時(shí)刻為t1。這樣不停反復(fù)就可以在電容器上輸出連續(xù)不斷的振蕩波形。

設(shè)i1=i2=ic,則

如果保持ic、c不變,則由(4)式看出電容器的充放電時(shí)間是由電容器電壓的幅度唯一決定的。可通過調(diào)節(jié)2個(gè)比較器的閾值電壓來調(diào)節(jié)電容器的電壓幅度,從而可方便地調(diào)節(jié)振蕩器的輸出頻率。以上分析在各個(gè)電路無時(shí)延的條件下獲得的。

3 溫度對(duì)輸出電壓頻率的影響

3.1 產(chǎn)生頻率誤差的原因

任何電路結(jié)構(gòu)都存在不同程度的延時(shí)。在這種結(jié)構(gòu)的振蕩器中,比較器和控制部分也存在一定的延時(shí),雖然可以采用高速比較器和盡可能簡(jiǎn)單的控制結(jié)構(gòu)來減少延時(shí),但是始終無法消除延時(shí)帶來的影響。因此,當(dāng)電容器上的電壓已經(jīng)上升或下降到需要開關(guān)動(dòng)作時(shí),由于比較器和控制部分的延時(shí)δτ使得開關(guān)往往要經(jīng)過一段時(shí)間后才會(huì)動(dòng)作,而在這段時(shí)間內(nèi),i1(i2)還在繼續(xù)對(duì)電容器充電(放電),因此輸出電壓與uc相比會(huì)產(chǎn)生誤差(icδτ)/c,此時(shí),

(3)式將變?yōu)?/p>

(4)式將變?yōu)?

可以看出輸出電壓頻率與設(shè)計(jì)值產(chǎn)生了偏差。

3.2 溫度對(duì)輸出頻率的影響

顯然,在不同溫度條件下比較器和控制部分的延時(shí)是不一樣的。由于主要考察延時(shí)對(duì)輸出頻率的影響,因此設(shè)在不同溫度條件下ic和c保持不變,在溫度t1時(shí),比較器和控制部分產(chǎn)生的延時(shí)為δτ1,在溫度t2時(shí)產(chǎn)生的延時(shí)為δτ2。則(5)式和(7)式可寫為

從(8)式可以看出,在不同的溫度條件下電容器的充放電時(shí)間發(fā)生了的變化δt,從而導(dǎo)致輸出電壓的頻率隨溫度而變化。

圖2給出在沒有溫度補(bǔ)償?shù)那闆r下,采用csmc 0.6μm雙層金屬、雙層多晶硅工藝下和使用hspice仿真出來的振蕩器輸出波形。其中,取ic為250μa,c為5pe,比較器采用的是參考文獻(xiàn)[2]中介紹的高速比較器方案,低位比較器的閾值電壓為2.4v,高位比較器的閾值電壓為2.5v。圖中t1、t2、t3分別為-40℃、27℃、85℃時(shí)的輸出波形。把振蕩器27℃時(shí)的輸出頻率設(shè)計(jì)為20mhz,測(cè)出此時(shí)振蕩器的溫度系數(shù)約為1 685ppm/℃。圖3中的曲線1給出近似的輸出電壓幅度與溫度的關(guān)系,正如上面所推導(dǎo)的一樣,在不同的溫度條件下輸出的電壓幅度并不相等。

4 溫度補(bǔ)償?shù)膶?shí)現(xiàn)

為了消除溫度對(duì)輸出頻率的影響,從(12)式可以看出還必須使δt=0。為了實(shí)現(xiàn)上述要求,令t1時(shí)的v2=v’ 2;t2時(shí)的v2=v”2,v1保持不變,則(9)、(11)式改寫為(13)式或(17)式:

從(17)式可以看出,為了消除溫度對(duì)輸出頻率的影響,可以使電容電壓在不同溫度條件下取不同的電容值來實(shí)現(xiàn)。只要它們能滿足(17)式的條件,就可以得到零溫度系數(shù)的輸出頻率。在振蕩器中,電容器電壓是由比較器的閾值電壓控制的,可以通過調(diào)節(jié)比較器的閾值電壓來滿足要求。在芯片設(shè)計(jì)中,比較器的閾值電壓一般由基準(zhǔn)源提供;鶞(zhǔn)源往往根據(jù)帶隙原理來調(diào)整它的溫度系數(shù)。一般會(huì)盡量調(diào)節(jié)使其具有零溫度系數(shù)。但從需要出發(fā),也可以把它調(diào)試成所需的非零溫度系數(shù)。因此,可

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