單片弛張振蕩器的溫度補(bǔ)償方法
發(fā)布時(shí)間:2008/5/29 0:00:00 訪問次數(shù):327
1 引言
弛張充放電振蕩器在pwm電源和電容傳感器中都得到了廣泛的應(yīng)用,也常常作為時(shí)鐘產(chǎn)生電路用在單片功率集成電路中。但是,由于這種振蕩器結(jié)構(gòu)的特殊性,一般的弛張振蕩器輸出頻率受環(huán)境溫度的變化影響較大,溫度性能較差。為了獲得較好的溫度性能,一般都要采用恒溫槽等措施,但增大了體積和成本。為此,本文提出一種適用于這種結(jié)構(gòu)振蕩器的片內(nèi)溫度補(bǔ)償方案,可以簡(jiǎn)單方便地獲得更好的溫度性能。
2 弛張振蕩器的工作原理
弛張振蕩器的一般結(jié)構(gòu)如圖1所示。弛張振蕩器的工作過程如下:先用一個(gè)電流源i1向電容器c充電,這時(shí)電容器上的電壓會(huì)不斷上升,將電容器上的電壓通過比較器與設(shè)定的閾值電壓相比較。當(dāng)電容器上的電壓高于電位比較器的閾值電壓v2時(shí),控制部分將會(huì)控制開關(guān)動(dòng)作,使i1斷開,i2導(dǎo)通,電容器開始通過i2放電,電容器的電壓開始下降,設(shè)此時(shí)的時(shí)刻為t2。當(dāng)電容器的電壓下降到低于低位比較器的閾值電壓v1時(shí),控制部分再次使開關(guān)動(dòng)作,使i1導(dǎo)通,i2斷開,i1又重新對(duì)電容器充電,設(shè)此時(shí)的時(shí)刻為t1。這樣不停反復(fù)就可以在電容器上輸出連續(xù)不斷的振蕩波形。
設(shè)i1=i2=ic,則
如果保持ic、c不變,則由(4)式看出電容器的充放電時(shí)間是由電容器電壓的幅度唯一決定的?赏ㄟ^調(diào)節(jié)2個(gè)比較器的閾值電壓來調(diào)節(jié)電容器的電壓幅度,從而可方便地調(diào)節(jié)振蕩器的輸出頻率。以上分析在各個(gè)電路無時(shí)延的條件下獲得的。
3 溫度對(duì)輸出電壓頻率的影響
3.1 產(chǎn)生頻率誤差的原因
任何電路結(jié)構(gòu)都存在不同程度的延時(shí)。在這種結(jié)構(gòu)的振蕩器中,比較器和控制部分也存在一定的延時(shí),雖然可以采用高速比較器和盡可能簡(jiǎn)單的控制結(jié)構(gòu)來減少延時(shí),但是始終無法消除延時(shí)帶來的影響。因此,當(dāng)電容器上的電壓已經(jīng)上升或下降到需要開關(guān)動(dòng)作時(shí),由于比較器和控制部分的延時(shí)δτ使得開關(guān)往往要經(jīng)過一段時(shí)間后才會(huì)動(dòng)作,而在這段時(shí)間內(nèi),i1(i2)還在繼續(xù)對(duì)電容器充電(放電),因此輸出電壓與uc相比會(huì)產(chǎn)生誤差(icδτ)/c,此時(shí),
(3)式將變?yōu)?/p>
(4)式將變?yōu)?
可以看出輸出電壓頻率與設(shè)計(jì)值產(chǎn)生了偏差。
3.2 溫度對(duì)輸出頻率的影響
顯然,在不同溫度條件下比較器和控制部分的延時(shí)是不一樣的。由于主要考察延時(shí)對(duì)輸出頻率的影響,因此設(shè)在不同溫度條件下ic和c保持不變,在溫度t1時(shí),比較器和控制部分產(chǎn)生的延時(shí)為δτ1,在溫度t2時(shí)產(chǎn)生的延時(shí)為δτ2。則(5)式和(7)式可寫為
從(8)式可以看出,在不同的溫度條件下電容器的充放電時(shí)間發(fā)生了的變化δt,從而導(dǎo)致輸出電壓的頻率隨溫度而變化。
圖2給出在沒有溫度補(bǔ)償?shù)那闆r下,采用csmc 0.6μm雙層金屬、雙層多晶硅工藝下和使用hspice仿真出來的振蕩器輸出波形。其中,取ic為250μa,c為5pe,比較器采用的是參考文獻(xiàn)[2]中介紹的高速比較器方案,低位比較器的閾值電壓為2.4v,高位比較器的閾值電壓為2.5v。圖中t1、t2、t3分別為-40℃、27℃、85℃時(shí)的輸出波形。把振蕩器27℃時(shí)的輸出頻率設(shè)計(jì)為20mhz,測(cè)出此時(shí)振蕩器的溫度系數(shù)約為1 685ppm/℃。圖3中的曲線1給出近似的輸出電壓幅度與溫度的關(guān)系,正如上面所推導(dǎo)的一樣,在不同的溫度條件下輸出的電壓幅度并不相等。
4 溫度補(bǔ)償?shù)膶?shí)現(xiàn)
為了消除溫度對(duì)輸出頻率的影響,從(12)式可以看出還必須使δt=0。為了實(shí)現(xiàn)上述要求,令t1時(shí)的v2=v’ 2;t2時(shí)的v2=v”2,v1保持不變,則(9)、(11)式改寫為(13)式或(17)式:
從(17)式可以看出,為了消除溫度對(duì)輸出頻率的影響,可以使電容電壓在不同溫度條件下取不同的電容值來實(shí)現(xiàn)。只要它們能滿足(17)式的條件,就可以得到零溫度系數(shù)的輸出頻率。在振蕩器中,電容器電壓是由比較器的閾值電壓控制的,可以通過調(diào)節(jié)比較器的閾值電壓來滿足要求。在芯片設(shè)計(jì)中,比較器的閾值電壓一般由基準(zhǔn)源提供;鶞(zhǔn)源往往根據(jù)帶隙原理來調(diào)整它的溫度系數(shù)。一般會(huì)盡量調(diào)節(jié)使其具有零溫度系數(shù)。但從需要出發(fā),也可以把它調(diào)試成所需的非零溫度系數(shù)。因此,可
1 引言
弛張充放電振蕩器在pwm電源和電容傳感器中都得到了廣泛的應(yīng)用,也常常作為時(shí)鐘產(chǎn)生電路用在單片功率集成電路中。但是,由于這種振蕩器結(jié)構(gòu)的特殊性,一般的弛張振蕩器輸出頻率受環(huán)境溫度的變化影響較大,溫度性能較差。為了獲得較好的溫度性能,一般都要采用恒溫槽等措施,但增大了體積和成本。為此,本文提出一種適用于這種結(jié)構(gòu)振蕩器的片內(nèi)溫度補(bǔ)償方案,可以簡(jiǎn)單方便地獲得更好的溫度性能。
2 弛張振蕩器的工作原理
弛張振蕩器的一般結(jié)構(gòu)如圖1所示。弛張振蕩器的工作過程如下:先用一個(gè)電流源i1向電容器c充電,這時(shí)電容器上的電壓會(huì)不斷上升,將電容器上的電壓通過比較器與設(shè)定的閾值電壓相比較。當(dāng)電容器上的電壓高于電位比較器的閾值電壓v2時(shí),控制部分將會(huì)控制開關(guān)動(dòng)作,使i1斷開,i2導(dǎo)通,電容器開始通過i2放電,電容器的電壓開始下降,設(shè)此時(shí)的時(shí)刻為t2。當(dāng)電容器的電壓下降到低于低位比較器的閾值電壓v1時(shí),控制部分再次使開關(guān)動(dòng)作,使i1導(dǎo)通,i2斷開,i1又重新對(duì)電容器充電,設(shè)此時(shí)的時(shí)刻為t1。這樣不停反復(fù)就可以在電容器上輸出連續(xù)不斷的振蕩波形。
設(shè)i1=i2=ic,則
如果保持ic、c不變,則由(4)式看出電容器的充放電時(shí)間是由電容器電壓的幅度唯一決定的。可通過調(diào)節(jié)2個(gè)比較器的閾值電壓來調(diào)節(jié)電容器的電壓幅度,從而可方便地調(diào)節(jié)振蕩器的輸出頻率。以上分析在各個(gè)電路無時(shí)延的條件下獲得的。
3 溫度對(duì)輸出電壓頻率的影響
3.1 產(chǎn)生頻率誤差的原因
任何電路結(jié)構(gòu)都存在不同程度的延時(shí)。在這種結(jié)構(gòu)的振蕩器中,比較器和控制部分也存在一定的延時(shí),雖然可以采用高速比較器和盡可能簡(jiǎn)單的控制結(jié)構(gòu)來減少延時(shí),但是始終無法消除延時(shí)帶來的影響。因此,當(dāng)電容器上的電壓已經(jīng)上升或下降到需要開關(guān)動(dòng)作時(shí),由于比較器和控制部分的延時(shí)δτ使得開關(guān)往往要經(jīng)過一段時(shí)間后才會(huì)動(dòng)作,而在這段時(shí)間內(nèi),i1(i2)還在繼續(xù)對(duì)電容器充電(放電),因此輸出電壓與uc相比會(huì)產(chǎn)生誤差(icδτ)/c,此時(shí),
(3)式將變?yōu)?/p>
(4)式將變?yōu)?
可以看出輸出電壓頻率與設(shè)計(jì)值產(chǎn)生了偏差。
3.2 溫度對(duì)輸出頻率的影響
顯然,在不同溫度條件下比較器和控制部分的延時(shí)是不一樣的。由于主要考察延時(shí)對(duì)輸出頻率的影響,因此設(shè)在不同溫度條件下ic和c保持不變,在溫度t1時(shí),比較器和控制部分產(chǎn)生的延時(shí)為δτ1,在溫度t2時(shí)產(chǎn)生的延時(shí)為δτ2。則(5)式和(7)式可寫為
從(8)式可以看出,在不同的溫度條件下電容器的充放電時(shí)間發(fā)生了的變化δt,從而導(dǎo)致輸出電壓的頻率隨溫度而變化。
圖2給出在沒有溫度補(bǔ)償?shù)那闆r下,采用csmc 0.6μm雙層金屬、雙層多晶硅工藝下和使用hspice仿真出來的振蕩器輸出波形。其中,取ic為250μa,c為5pe,比較器采用的是參考文獻(xiàn)[2]中介紹的高速比較器方案,低位比較器的閾值電壓為2.4v,高位比較器的閾值電壓為2.5v。圖中t1、t2、t3分別為-40℃、27℃、85℃時(shí)的輸出波形。把振蕩器27℃時(shí)的輸出頻率設(shè)計(jì)為20mhz,測(cè)出此時(shí)振蕩器的溫度系數(shù)約為1 685ppm/℃。圖3中的曲線1給出近似的輸出電壓幅度與溫度的關(guān)系,正如上面所推導(dǎo)的一樣,在不同的溫度條件下輸出的電壓幅度并不相等。
4 溫度補(bǔ)償?shù)膶?shí)現(xiàn)
為了消除溫度對(duì)輸出頻率的影響,從(12)式可以看出還必須使δt=0。為了實(shí)現(xiàn)上述要求,令t1時(shí)的v2=v’ 2;t2時(shí)的v2=v”2,v1保持不變,則(9)、(11)式改寫為(13)式或(17)式:
從(17)式可以看出,為了消除溫度對(duì)輸出頻率的影響,可以使電容電壓在不同溫度條件下取不同的電容值來實(shí)現(xiàn)。只要它們能滿足(17)式的條件,就可以得到零溫度系數(shù)的輸出頻率。在振蕩器中,電容器電壓是由比較器的閾值電壓控制的,可以通過調(diào)節(jié)比較器的閾值電壓來滿足要求。在芯片設(shè)計(jì)中,比較器的閾值電壓一般由基準(zhǔn)源提供;鶞(zhǔn)源往往根據(jù)帶隙原理來調(diào)整它的溫度系數(shù)。一般會(huì)盡量調(diào)節(jié)使其具有零溫度系數(shù)。但從需要出發(fā),也可以把它調(diào)試成所需的非零溫度系數(shù)。因此,可
熱門點(diǎn)擊
- AD590 集成電路溫度傳感器的特性測(cè)量與應(yīng)
- 氧化物半導(dǎo)體甲烷敏感元件的研究進(jìn)展
- 聲表面波無源無線傳感器研究
- 汽車空氣質(zhì)量傳感器的最新進(jìn)展及探討
- 基于Labview的光纖傳感器相位解調(diào)技術(shù)
- Crossbow推出了新一代無線傳感器網(wǎng)絡(luò)研
- 安捷倫新型130萬像素CMOS圖像傳感器大幅
- ADXL105 加速度傳感器在車輛平順性測(cè)試
- 能溫度傳感器Dsl8b20在多路測(cè)溫中的應(yīng)用
- Microchip兩線式溫度傳感器最大誤差值
推薦技術(shù)資料
- 滑雪繞樁機(jī)器人
- 本例是一款非常有趣,同時(shí)又有一定調(diào)試難度的玩法。EDE2116AB... [詳細(xì)]
- 高頻、高效音頻功放IC模塊
- 8英寸180納米GaN固態(tài)變壓器(SST)
- 新一代光纖通信光收發(fā)器接收器芯
- 第三代半導(dǎo)體SiC(碳化硅)和
- 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終端市場(chǎng)需求及技
- GaN與SiC材料單片集成技術(shù)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究