應(yīng)用材料公司推出centura carina etch系統(tǒng)用于世界上最先進(jìn)晶體管的刻蝕。運(yùn)用創(chuàng)新的高溫技術(shù)，它能提供45納米及更小技術(shù)節(jié)點上采用高k介電常數(shù)/金屬柵極(hk/mg)的邏輯和存儲器件工藝擴(kuò)展所必需的材料刻蝕輪廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生產(chǎn)的解決方案。應(yīng)用材料公司的carina技術(shù)具有獨一無二的表現(xiàn)，它能達(dá)到毫不妥協(xié)的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)要求：平坦垂直，側(cè)邊輪廓不含任何硅材料凹陷，同時沒有任何副產(chǎn)品殘留物。

　　這套系統(tǒng)高性能的關(guān)鍵之處在于其擁有知識產(chǎn)權(quán)的高溫陰極。高溫工藝可以提供平坦垂直的輪廓，不會產(chǎn)生傳統(tǒng)溫度工藝下帶來困擾的高k介質(zhì)材料殘留和硅材料凹陷。此外，高溫防止了被刻蝕的材料再次沉積到硅片上，也無需采用復(fù)雜的濕/干組合工藝去除殘余物。先進(jìn)的反應(yīng)腔材料能提供長期的工藝穩(wěn)定性和所有可用的先進(jìn)柵極刻蝕系統(tǒng)中最低的耗材成本。