除了ibm、amd在芯片工藝上采用soi（絕緣體上硅）技術之外，現(xiàn)在臺灣第2大芯片代工廠商umc聯(lián)電也宣布在旗下的65nm芯片生產(chǎn)線上開始采用soi技術。

　　絕緣體上硅(soi)是指在一絕緣襯底上再形成一層單晶硅薄膜，或者是單晶硅薄膜被一絕緣層(通常是sio2)從支撐的硅襯底中分開這樣結構的材料、這種材料結構可實現(xiàn)制造器件的薄膜材料完全與襯底材料的隔離。soi技術可以改善芯片性能，降低漏電，以及減少芯片功耗。隨著微處理器（cpu）、圖形芯片（gpu）制程對絕緣層上覆硅技術（soi）需求愈來愈強，soi已成各大芯片代工角逐核心客戶青睞的武器。

　　聯(lián)電表示，借助soi技術，旗下65nm工藝晶圓更加緊湊，芯片切割率可以比無soi技術的65nm晶圓提升25%，同時聯(lián)電65nmsoi技術的芯片功耗可以降低30%，聯(lián)電65nmsoi技術的芯片工作頻率可以最大提升28%，聯(lián)電65nmsoi技術的芯片的生產(chǎn)成本可以降低10%。

　　聯(lián)電目前也是除tmsc臺積電之外，全球第2大芯片代工廠商。